Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Căng thẳng gần các cạnh của màng silicon vuông
Tóm tắt
Phương pháp phần tử hữu hạn (FEM) được sử dụng để tính toán các ứng suất trong một phần tử cảm biến áp lực silicon vuông. Các ứng suất gần các cạnh của màng được tính toán và đo đạc. Sự phù hợp gần gũi được đạt được giữa các dự đoán của FEM và kết quả thực nghiệm. Một công thức thực nghiệm được xây dựng cho thành phần dọc của ứng suất tại các điểm bên ngoài màng. Nó được xác định rằng thành phần ứng suất pháp tuyến cần được xem xét khi thiết kế các cảm biến áp lực cho các áp lực thực tế vượt quá 107 Pa.
Từ khóa
#Phương pháp phần tử hữu hạn #ứng suất #màng silicon #cảm biến áp lựcTài liệu tham khảo
Gridchin, V.A., Lubimsky, V.M., and Shaporin, A.V., Nonlinear Response of a Rectangular Membrane Sensing Element, Mikroelektronika, 2003, vol. 32, no.4, pp. 294–304.
Chouaf, A., Malhaire, C., Le Berre, M., Dupeux, M., Pourroy, F., and Barbier, D., Stress Analysis at Singular Points of Micromachined Silicon Membranes, Sens. Actuators, 2000, vol. 84, pp. 109–115.
Gridchin, V.A., Grichenko, V.V., Lubimsky, V.M., and Shaporin, A.V., Stresses in Square Shaped Silicon Membranes, in Trudy IV mezhdunarodnoi konferentsii “Aktual’nye problemy elektronnogo priborostroeniya” APEP-98 (Proc. 4th Int. Conf. on Current Issues of Electronic Instrumentation, APEP-98), Novosibirsk, 1998, vol. 4, pp. 32–36.
Lubimsky, V.M., Ivanov, V.A., and Shaporin, A.V., Edge Stresses in the Membrane of a Pressure Sensor, in Trudy V mezhdunarodnoi konferentsii “Aktual’nye problemy elektronnogo priborostroeniya” APEP-2000 (Proc. 5th Int. Conf. on Current Issues of Electronic Instrumentation, APEP-2000), Novosibirsk, 2000, vol. 7, pp. 71–79.
Gridchin, V.A., Grichenko, V.V., Lubimsky, V.M., Shaporin, A.V., and Lee, J.H., Design Features for High Pressure Transducers
Gridchin, V.A., Grichenko, V.V., Lubimsky, V.M., Square-Membrane Deflection and Stress: Identifying the Validity Range of a Calculation Procedure, Mikroelektronika, 2005, vol. 34, no.3, pp.
Gridchin, V.A. and Lubimsky, V.M., Phenomenological Model of the Piezoresistive Effect in Polysilicon Films, Mikroelektronika, 2003, vol. 32, no.4, pp. 261–270.