Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Căng thẳng trong các lớp phim parylene được xử lý nhiệt
Tóm tắt
Căng thẳng là một vấn đề cho quá trình chế tạo và độ tin cậy của các Module đa chip (MCM) lớp mỏng. Căng thẳng có thể gây ra sự cố bám dính, nứt dây và gãy vỡ polymer. Parylene có thể được lắng đọng trong trạng thái căng thẳng nén thấp, và tại đây chúng tôi khám phá hành vi căng thẳng theo nhiệt độ. Căng thẳng sinh ra do sự không khớp về hệ số giãn nở nhiệt (TCE) giữa các lớp phim parylene-n dày (4-7 μm) và các nền Si đã được nghiên cứu theo chức năng của nhiệt độ. Các phép đo căng thẳng được thực hiện trên các lớp phim đã lắng đọng; sau khi xử lý nhiệt và cũng tại chỗ. Các lớp phim đã lắng đọng ở trạng thái căng thẳng nén 20 MPa. Khi các lớp phim được xử lý nhiệt, căng thẳng giảm đi và sau đó trở thành căng thẳng kéo, đạt đỉnh ở khoảng 53 MPa. Người ta quan sát thấy rằng căng thẳng giảm trong các lớp phim PA-n trong suốt các biến đổi pha tinh thể ở khoảng 200 và 270°C. Căng thẳng đã được so sánh với dữ liệu được báo cáo từ các nguồn khác và thấy rằng nó nhất quán. Căng thẳng trong các lớp phim PA-c (clo hóa), và chloro-polymer hóa PA-n và PA-e (ethyl), và parylene (PA-f) có fluor cũng được đánh giá. Nhiệt độ chuyển tiếp thủy tinh hiệu quả và hệ số giãn nở tuyến tính cũng được ước tính.
Từ khóa
#căng thẳng #parylene #MCM #xử lý nhiệt #phim polymer #hệ số giãn nở nhiệtTài liệu tham khảo
citation_journal_title=IEEE Trans. Electron Devices; citation_author=W. H. Steinbaugh, A. Harrus, W. R. Knolle; citation_volume=36; citation_publication_date=1989; citation_pages=542-542; citation_doi=10.1109/16.19966; citation_id=CR1
citation_journal_title=Appl. Phys. Lett.; citation_author=Che-Yu Li, R. D. Black, W. R. LaFontaine; citation_volume=53; citation_publication_date=1988; citation_pages=31-31; citation_doi=10.1063/1.100113; citation_id=CR2
citation_journal_title=Mat. Res. Soc. Symp. Proc.; citation_author=M. S. Hu; citation_volume=167; citation_publication_date=1990; citation_pages=153-153; citation_id=CR3
D. A. Jeannotte, L. S. Goldmann and R. J. Howard, Package Reliability, Ch. 5, Microelectronic Packaging Handbook, Van Norstrand Reinhold, NY 1989.
citation_journal_title=J. Electron. Mater.; citation_author=N. Majid, S. Dabral, J. F. McDonald; citation_volume=18; citation_publication_date=1989; citation_pages=301-301; citation_doi=10.1007/BF02657422; citation_id=CR5
W. F. Beach, C. Lee, D. R. Basset, T. M. Austin and R. Oison, Encycl. Pol. Sci. Engr., Vol. 17, 2nd Ed., John Wiley & Sons Inc., 1989, pp. 990.
W. F. Beach and T. M. Austin, 2nd Intl. SAMPE Elect. Conf., June 1988, pp. 25.
B. J. Bachmann, First Int. SAMPE Conf., June 23-25 1987.
citation_title=MS Thesis; citation_publication_date=1989; citation_id=CR9; citation_author=A. M. Pelella; citation_publisher=Rensselaer Polytechnic Institute
D. Soane and Z. Martynenko, Polymers in Microelectronics, Ch. 2, Elsevier, 1989, pp. 15.
citation_journal_title=J. Appl. Phys.; citation_author=W. D. Niegisch; citation_volume=37; citation_publication_date=1966; citation_pages=4041-4041; citation_doi=10.1063/1.1707972; citation_id=CR11
C.-K. Hu, H. M. Tong, C. Feger and P. S. Ho, IEEE VMIC 1985, pp. 280–284.
citation_title=Thermal endurance of Parylenes III, Characterization of Parylene AF 4; citation_publication_date=1966; citation_id=CR13; citation_author=C. E. White; citation_author=W. E. Loeb; citation_publisher=Union Carbide Corp., Polymers R & D
P. S. Ho, “Chemical Bonding and Stress Relaxation at Metal-Polymer Interfaces”, Principles of Electronic Packaging, Ch. 27, McGraw Hill, 1989, pp. 809.
citation_journal_title=J. Electron. Mater.; citation_author=G.-R. Yang, S. Dabral, L. You, H. Bakhru, J. F. McDonald, T. M. Lu; citation_volume=20; citation_publication_date=1991; citation_pages=571-571; citation_doi=10.1007/BF02666020; citation_id=CR15