Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Phổ phát xạ kích thích xuất phát từ sự hấp thụ liên băng của một xung quang học pico giây trong một lớp mỏng GaAs
Tóm tắt
Bơm một lớp mỏng GaAs bằng xung quang học pico giây công suất cao dẫn đến phát xạ biên không ổn định. Dữ liệu thực nghiệm được thu thập để nghiên cứu sự biến đổi của phổ công suất tích hợp theo thời gian của phát xạ này với đường kính chùm tia và năng lượng của xung bơm quang học. Những dữ liệu này đủ để xác nhận bản chất kích thích của phát xạ, có thời gian kéo dài trong khoảng pico giây.
Từ khóa
#GaAs #phát xạ kích thích #xung quang học #phổ công suất #hấp thụ liên băngTài liệu tham khảo
D. Hulin, M. Joffre, A. Migus, J. L. Oudar, J. Dubard, and F. Alexandre, J. de Physique 48, 267 (1987).
N. N. Ageeva, I. L. Bronevoi, E. G. Dyadyushkin, and B. S. Yavich, JETP Lett. 48, 276 (1988).
N. N. Ageeva, I. L. Bronevoi, E. G. Dyadyushkin, V. A. Mironov, S. E. Kumekov, and V. I. Perel’, Solid State Commun. 72, 625 (1989).
A. M. Fox, R. J. Manning, and A. Miller, J. Appl. Phys. 65, 4287 (1989).
I. L. Bronevoi, A. N. Krivonosov, and T. A. Nalet, Solid State Commun. 98, 903 (1996).
J. P. Foing, D. Hulin, M. Joffre, M. K. Jackson, J. L. Oudar, C. Tanguy, and M. Combescot, Phys. Rev. Lett. 68, 110 (1992).
I. L. Bronevoi, S. E. Kumekov, and V. I. Perel’, JETP Lett. 43, 473 (1986).
S. E. Kumekov and V. I. Perel’, Zh. Éksp. Teor. Fiz. 94, 346 (1988) [Sov. Phys. JETP 67, 193 (1988)].
Yu. D. Kalafati and V. A. Kokin, JETP Lett. 50, 495 (1989).
N. N. Ageeva, V. A. Borisov, I. L. Bronevoi, V. A. Mironov, S. E. Kumekov, V. I. Perel’, and B. S. Yavich, Solid State Commun. 75, 167 (1990); N. N. Ageeva, I. L. Bronevoi, V. A. Mironov, S. E. Kumekov, and V. I. Perel’, Solid State Commun. 81, 969 (1992).
Yu. D. Kalafati, V. A. Kokin, H. M. Van Driel, and G. R. Allan, in Hot Carriers in Semiconductors, Karl Hess et al. Eds. (Plenum Press, N. Y., 1996), p. 587.
D. N. Nasledov, A. A. Rogachev, S. M. Ryvkin, and B. V. Tsarenkov, Fiz. Tverd. Tela (Leningrad) 4, 1062 (1962) [Sov. Phys. Solid State 4, 782 (1962)].
A. Yariv and R. C. C. Leite, J. Appl. Phys. 34, 3410 (1963).
L. N. Kurbatov, S. S. Shakhidzhanov, L. V. Bystrova, and V. V. Krapukhin, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 4, 2025 (1970) [Sov. Phys. Semicond. 4, 1739 (1970)].
T. George, M. A. Khan, S. Krishnankutty, R. A. Skogman, J. N. Kuznia, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 65, 520 (1994).
L. W. Casperson, J. Appl. Phys. 48, 256 (1977).
E. O. Goebel, O. Hildebrand, and K. Lohnert, IEEE J. Quantum Electron. QE-13, 848 (1977).
F. Stern, J. Appl. Phys. 47, 5382 (1976).
P. S. Kop’ev, S. V. Ivanov, A. Yu. Yegorov, and D. Yu. Uglov, J. Cryst. Growth 96, 533 (1989).
I. L. Bronevoi, A. N. Krivonosov, and V. I. Perel’, Solid State Commun. 94, 805 (1995).
H. C. Casey and M. B. Panish, Heterostructure Lasers (Academic Press, London, 1978).
A. P. Levanyuk and V. V. Osipov, Usp. Fiz. Nauk 133, 427 (1981) [Sov. Phys. Usp. 24, 187 (1981)].
Yu. D. Kalafati and V. A. Kokin, Zh. Éksp. Teor. Fiz. 99, 1793 (1991) [Sov. Phys. JETP 72, 1003 (1991)].
N. N. Ageeva, I. L. Bronevoi, V. A. Mironov, S. E. Kumekov, and V. I. Perel’, in Mode-Locked Lasers and Ultrafast Phenomena, G. B. Altshuler, Ed. [Proc. SPIE 1842, 70 (1992)]; I. L. Bronevoi, A. N. Krivonosov, and V. I. Perel’, Solid State Commun. 94, 363 (1995).