Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Ổn định mức Fermi bởi mức độ cộng hưởng gallium trong hợp kim Pb1−x SnxTe
Tóm tắt
Các tính chất điện của hợp kim n-Pb1−x SnxTe được dop bằng gallium (x=0.09−0.21) đã được nghiên cứu. Những phụ thuộc nhiệt độ bất thường của hệ số Hall cho thấy sự định vị mức Fermi bởi một mức độ resonant của gallium trong băng dẫn. Các phụ thuộc của nồng độ electron và năng lượng Fermi vào thành phần hợp kim và nhiệt độ được tính toán từ dữ liệu thực nghiệm dựa trên quan hệ phân tán hai băng Kane. Kết quả cho thấy vị trí của mức resonant gallium tương đối với đỉnh băng hóa trị gần như không phụ thuộc vào thành phần ma trận. Phụ thuộc của hệ số nhiệt độ dịch chuyển mức độ cộng hưởng so với điểm giữa khoảng băng được thu được.
Từ khóa
#hợp kim Pb1−x SnxTe #gallium #mức Fermi #hệ số Hall #điện trở #kính hiển vi điện tử.Tài liệu tham khảo
V. I. Kaĭdanov and Yu. I. Ravich, Usp. Fiz. Nauk 145, 51 (1985) [Sov. Phys. Usp. 28, 31 (1985)].
B. A. Volkov, L. I. Ryabova, and D. R. Khokhlov, Usp. Fiz. Nauk 172, 875 (2002) [Phys. Usp. 45, 819 (2002)].
E. P. Skipetrov, E. A. Zvereva, L. A. Skipetrova, et al., J. Cryst. Growth 210, 292 (2000).
E. P. Skipetrov, E. A. Zvereva, O. S. Volkova, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 38, 1199 (2004) [Semiconductors 38, 1164 (2004)].
V. E. Slyn’ko, Visn. L’viv. Derzh. Univ. 34, 291 (2001).
V. I. Kaĭdanov, S. A. Nemov, and Yu. I. Ravich, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 26, 201 (1992) [Sov. Phys. Semicond. 26, 113 (1992)].
G. Nimtz and B. Schlicht, in Narrow-Gap Semiconductors, Ed. by R. Dornhaus, G. Nimtz, and B. Schlicht (Springer, Berlin, 1983), p. 1.
B. A. Akimov, R. S. Vadkhva, and S. M. Chudinov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (Leningrad) 12, 1927 (1978) [Sov. Phys. Semicond. 12, 1146 (1978)].
M. Ratuszek and M. J. Ratuszek, J. Phys. Chem. Solids 46, 837 (1985).
L. M. Kashirskaya, L. I. Ryabova, O. I. Tananaeva, and N. A. Shirokova, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (Leningrad) 24, 1349 (1990) [Sov. Phys. Semicond. 24, 848 (1990)].