Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Đặc điểm đặc biệt của việc kích hoạt điện tử 28Si trong GaAs đơn tinh thể và lớp epitaxy GaAs dưới tác động của quá trình tôi nhiệt nhanh
Tóm tắt
Hồ sơ nồng độ của 28Si được cấy vào GaAs đơn tinh thể và GaAs lớp epitaxy đã được xác định bằng cách đo đặc tính C-V sau khi thực hiện quá trình tôi nhiệt nhanh 12 giây ở T=825, 870 và 905°C. Sự phụ thuộc theo nhiệt độ của tính di động Hall của các electron trong các lớp được cấy Si đã được xác định qua phương pháp Van der Pauw trong khoảng 70–400 K. Khác với quá trình tôi nhiệt truyền thống (30 phút ở 800°C), quá trình tôi nhiệt nhanh dẫn đến sự phân phối khuếch tán của silicon vào các lớp sâu hơn của GaAs cho cả hai loại vật liệu, trong đó độ khuếch tán của silicon cao gấp đôi trong GaAs đơn tinh thể so với trong các lớp epitaxy GaAs. Phân tích sự phụ thuộc nhiệt độ của di động electron trong các lớp cấy ion sau quá trình tôi nhiệt nhanh cho thấy nồng độ khiếm khuyết hạn chế di động thấp hơn đáng kể so với trường hợp của quá trình tôi nhiệt truyền thống kéo dài 30 phút.
Từ khóa
#GaAs #28Si #tôi nhiệt nhanh #tính di động electron #phân phối khuếch tánTài liệu tham khảo
V. M. Ardyshev and M. V. Ardyshev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 10, 1153 (1998).
V. M. Ardyshev and M. V. Ardyshev, Izv. Vyssh. Uchebn. Zaved., Fiz., No. 7, 89 (1998).
V. M. Ardyshev and M. V. Ardyshev, Izv. Vyssh. Uchebn. Zaved., Fiz., No. 11, 78 (1998).
A. V. Burenkov, F. F. Komarov, M. A. Kumakhov, and M. M. Temkin, Tables of Parameters of Spatial Distribution of Ion-Implanted Impurities [in Russian] (Beloruss. Gos. Univ., Minsk, 1980).
Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits, Ed. by Paolo Antognetti, Dimitri A. Antoniadis, Robert W. Dutton, and William G. Oldham (Martinus Nijhoff, Boston, 1983; Radio i Svyaz’, Moscow, 1988).
T. T. Lavrischev and S. S. Khludkov, in Gallium Arsenide [in Russian] (Tomsk Gos. Univ., Tomsk, 1974).
B. M. Goryunov and E. I. Zorin, in Gallium Arsenide [in Russian] (Tomsk Gos. Univ., Tomsk, 1974).
B. Pödor and N. Nador, Acta. Phys. Acad. Sci. Hung. 37(4), 317 (1974).
F. J. Blatt, Solid State Phys. 4, 1999 (1957); Mobility of Electrons in Semiconductors, (Fizmatgiz, Moscow, 1963).
L. R. Weisberg, J. Appl. Phys. 33, 1817 (1962).
R. Stratton, J. Phys. Soc. Jpn. 23, 1011 (1962).