Single-carrier space-charge controlled conduction vs. ballistic transport in GaAs devices at 77° K

IEEE Electron Device Letters - Tập 2 Số 8 - Trang 205-207 - 1981
Pierre Schmidt1, M. Octavio1, Paul Esqueda1
1Laboratorio de Ingeniería Eléctrica, Instituto Venezolano de Investigaciones Científicas, Caracas, Venezuela

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo