R.A. Mezger, Compd. Semicond. 1, 21 (1995).
U. Konig, Phys. Scr., T 68, 90 (1996).
R. A. Soref, Thin Solid Films 294, 325 (1997).
T. Tashiro, T. Tatsumi, M. Sugiyama, et al., IEEE Trans. Electron Devices 44, 545 (1997).
D. J. Paul, Thin Solid Films 321, 172 (1998).
A. I. Yakimov, V. A. Markov, A. V. Dvurechenskii, and O. P. Pchelyakov, Philos. Mag. B 65, 701 (1992).
D. Leonard, M. Krishnamurthy, C.M. Reaves, et al., Appl. Phys. Lett. 63, 3203 (1993); D. Leonard, K. Pond, and P.M. Petroff, Phys. Rev. B 50, 11687 (1994).
J.-M. Marzin, J.-M. Gerard, A. Izrael, and D. Barrier, Phys. Rev. Lett. 73, 716 (1994).
L. N. Aleksandrov, R. N. Lovyagin, O. P. Pchelyakov, and S. I. Stenin, J. Cryst. Growth 24/25, 298 (1974).
D. J. Eaglesham and M. Cerullo, Phys. Rev. Lett. 64, 1943 (1990).
S. Guha, A. Madhukar, and K. C. Rajkumar, Appl. Phys. Lett. 57, 2110 (1990).
R. Nötzel, Semicond. Sci. Technol. 11, 1365 (1996).
F. Liu and M. G. Lagally, Surf. Sci. 386, 169 (1997).
N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, V. A. Shchukin, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 32, 385 (1998) [Semiconductors 32, 343 (1998)].
P. Müller and R. Kern, J. Cryst. Growth 193, 257 (1998).
A. A. Chernov, E. I. Givargizov, and Kh. S. Bagdasarov, in Modern Crystallography, Vol. 3: Crystal Growth (Nauka, Moscow, 1980; Springer-Verlag, Berlin, 1984).
F. Liu and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 76, 3156 (1996).
R. J. Asaro and W. A. Tiller, Metall. Trans. 3, 789 (1972).
M. A. Grinfel’d, Dokl. Akad. Nauk SSSR 290, 1358 (1986) [Sov. Phys. Dokl. 31, 831 (1986)].
W. Dorsch, H. P. Strunk, H. Wawra, et al., Appl. Phys. Lett. 72, 179 (1998).
Yu. B. Bolkhovityanov, V. I. Yudaev, and A. K. Gutakovsky, Thin Solid Films 137, 111 (1986).
S. A. Kukushkin and A. V. Osipov, Usp. Fiz. Nauk 168, 1083 (1998).
I. M. Lifshitz and V. V. Slyozov, J. Phys. Chem. Solids 19, 35 (1961).
B. K. Chakraverty, J. Phys. Chem. Solids 28, 2401 (1967).
M. C. Bartelt and J. W. Evans, Phys. Rev. B 46, 12675 (1992).
N. C. Bartelt, W. Theis, and R. M. Tromp, Phys. Rev. B 54, 11741 (1996).
I. Goldfarb, P. T. Hayden, J. H. G. Owen, and G. A. D. Briggs, Phys. Rev. Lett. 78, 3959 (1997); Phys. Rev. B 56, 10459 (1997).
B. A. Joyce, D. D. Vvedensky, A. R. Avery, et al., Appl. Surf. Sci. 130–132, 357 (1998).
T. I. Kamins, G. Medeiros-Ribeiro, D. A. A. Ohlberg, and R. Stanley Williams, J. Appl. Phys. 85, 1159 (1999).
A. R. Avery, H. T. Dobbs, D. M. Holmes, et al., Phys. Rev. Lett. 79, 3938 (1997).
J. Drucker, Phys. Rev. B 48, 18203 (1993).
Y. Chen and J. Washburn, Phys. Rev. Lett. 77, 4046 (1996).
D. E. Jesson, G. Chen, K. M. Chen, and S. J. Pennycook, Phys. Rev. Lett. 80, 5156 (1998).
M. Kästner and B. Voigtländer, Phys. Rev. Lett. 82, 2745 (1999).
T. I. Kamins, E. C. Carr, R. S. Williams, and S. J. Rosner, J. Appl. Phys. 81, 211 (1997).
G. Medeiros-Ribeiro, A. M. Bratkovski, T. I. Kamins, et al., Science 279, 353 (1998).
G. Medeiros-Ribeiro, T. I. Kamins, D. A. A. Ohlberg, and R. S. Williams, Phys. Rev. B 58, 3533 (1998).
T. I. Kamins, G. Medeiros-Ribeiro, D. A. A. Ohlberg, and R. S. Williams, Appl. Phys. A: Solids Surf. 67, 727 (1998).
R. S. Williams, G. Medeiros-Ribeiro, T. I. Kamins, and D. A. A. Ohlberg, J. Phys. Chem. B 102, 9605 (1998).
T. I. Kamins, G. A. D. Briggs, and R. Stanley Williams, Appl. Phys. Lett. 73, 1862 (1998).
F. M. Ross, J. Tersoff, and R. M. Tromp, Phys. Rev. Lett. 80, 984 (1998); Microsc. Microanal. 4, 254 (1998).
N. V. Vostokov, S. A. Gusev, I. V. Dolgov, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 34, 8 (2000) [Semiconductors 34, 6 (2000)].
C.-H. Chiu, Appl. Phys. Lett. 75, 3473 (1999).
V. A. Shchukin and D. Bimberg, Appl. Phys. A: Solids Surf. 67, 687 (1998); Rev. Mod. Phys. 71, 1125 (1999).
P. Müller and R. Kern, J. Cryst. Growth 193, 257 (1998).
J. A. Floro, V. B. Sinclair, E. Chason, et al., Phys. Rev. Lett. 84, 701 (2000).
Y.-W. Mo, D. E. Savage, B. S. Swartzentruber, and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 65, 1020 (1990).
S. M. Pintus, S. M. Stenin, A. I. Toropov, et al., Thin Solid Films 151, 275 (1998).
J. A. Floro, E. Chason, L. B. Freund, et al., Phys. Rev. B 59, 1990 (1999).
F. K. LeGoues, M. C. Reuter, J. Tersoff, et al., Phys. Rev. Lett. 73, 300 (1994).
H. T. Johnson and L. B. Freund, J. Appl. Phys. 81, 6081 (1997).
V. A. Markov, A. I. Nikiforov, and O. P. Pchelyakov, J. Cryst. Growth 175/176, 736 (1997).
Z. Jiang, H. Zhu, F. Lu, et al., Thin Solid Films 321, 60 (1998).
V. A. Markov, O. P. Pchelyakov, L. V. Sokolov, et al., Surf. Sci. 250, 229 (1991).
Y. Kim, B. D. Min, and E. K. Kim, J. Appl. Phys. 85, 2140 (1999).
J. Zhu, K. Brunner, and G. Abstreiter, Appl. Phys. Lett. 73, 620 (1998).
J. Johansson and W. Seifert, Appl. Surf. Sci. 148, 86 (1999).
O. P. Pchelyakov, I. G. Neisvestnyi, and Z. Sh. Yanovitskaya, Phys. Low-Dimens. Struct. 10/11, 389 (1995).
J. A. Floro, E. Chason, M. B. Sinclair, et al., Appl. Phys. Lett. 73, 951 (1998).
H. Omi and T. Ogino, Appl. Surf. Sci. 130–132, 781 (1998).
G. Springholz, V. Holy, M. Pinczolits, and G. Bauer, Science 282, 734 (1998).
Y. W. Zhang, S. J. Xu, and C.-H. Chiu, Appl. Phys. Lett. 74, 1809 (1999).
F. M. Ross, R. M. Tromp, and M. C. Reuter, Science 286, 1931 (1999).
Y. Obayashi and K. Shintani, J. Appl. Phys. 84, 3141 (1998).
G. Abstreiter, P. Schittenhelm, C. Engel, et al., Semicond. Sci. Technol. 11, 1521 (1996).
A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, Yu. Yu. Proskuryakov, et al., Appl. Phys. Lett. 75, 1413 (1999).
C. S. Peng, Q. Huang, W. Q. Cheng, et al., Appl. Phys. Lett. 72, 2541 (1998).
B. Voigtländer and A. Zinner, Appl. Phys. Lett. 63, 3055 (1993).
P. W. Deelman, L. J. Schawalter, and T. Thundat, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 930 (1997).
A. Shklyaev, M. Shibata, and M. Ichikawa, Surf. Sci. 416, 192 (1998).
L. N. Aleksandrov, R. N. Lovyagin, O. P. Pchelyakov, and S. I. Stenin, in Growth and Doping of Semiconductor Crystals and Films (Nauka, Novosibirsk, 1977), Part II, p. 139.
I. Berbezier, B. Gallas, A. Ronda, and J. Derrien, Surf. Sci. 412/413, 415 (1998).
B. Z. Ol’shanetskii, V. I. Mashanov, and A. I. Nikiforov, Fiz. Tverd. Tela (Leningrad) 23, 2567 (1981) [Sov. Phys. Solid State 23, 1505 (1981)].
Z. Gai, R. G. Zhao, H. Ji, et al., Phys. Rev. B 56, 12308 (1997).
B. Z. Olshanetsky and V. I. Mashanov, Surf. Sci. 111, 414 (1981).
B. Z. Olshanetsky, A. E. Solovyov, A. E. Dolbak, and A. A. Maslov, Surf. Sci. 306, 327 (1994).
F. Liu, F. Wu, and M. G. Lagally, Chem. Rev. 97, 1045 (1997).
D. J. Eaglesham, A. E. White, L. C. Feldman, et al., Phys. Rev. Lett. 70, 1643 (1993).
J. Walz, A. Greuer, G. Wedler, et al., Appl. Phys. Lett. 73, 2579 (1998).
M. Abdallah, I. Berbezier, P. Dawson, et al., Thin Solid Films 336, 256 (1998).
J. Zhu, K. Brunner, and G. Abstreiter, Appl. Phys. Lett. 72, 424 (1998).
K. Sakamoto, H. Matsuhata, M. O. Tanner, et al., Thin Solid Films 321, 55 (1998).
H. Omi and T. Ogino, Appl. Surf. Sci. 130–132, 781 (1998).
H. Omi and T. Ogino, Phys. Rev. B 59, 7521 (1999).
D. Martou, P. Gentile, and N. Magnea, J. Cryst. Growth 201/202, 101 (1999).
Y. Homma, P. Finnie, T. Ogino, et al., J. Appl. Phys. 86, 3083 (1999).
C. W. Oh, E. Kim, and Y. H. Lee, Phys. Rev. Lett. 76, 776 (1996).
A. Nagashima, T. Kimura, and J. Yoshino, Appl. Surf. Sci. 130–132, 248 (1998).
T. Tezuka and N. Sugiyama, J. Appl. Phys. 83, 5239 (1998).
V. Le Thanh, Thin Solid Films 321, 98 (1998).
X. Deng and M. Krishnamurthy, Phys. Rev. Lett. 81, 1473 (1998).
O. G. Schmidt, C. Lange, K. Eberl, et al., Thin Solid Films 321, 70 (1998).
O. Leifeld, R. Hartmann, E. Müller, et al., Nanotechnology 10, 122 (1999).
E. S. Kim, N. Usami, and Y. Shiraki, Appl. Phys. Lett. 72, 1617 (1998).
A. A. Shklyaev, M. Shibata, and M. Ichikawa, Appl. Phys. Lett. 72, 320 (1998).
T. I. Kamins and R. S. Williams, Appl. Phys. Lett. 71, 1201 (1997).
T. I. Kamins, R. S. Williams, and D. P. Basile, Nanotechnology 10, 117 (1999).
O. P. Pchelyakov, V. A. Markov, A. I. Nikiforov, and L. V. Sokolov, Thin Solid Films 306, 299 (1997).
L. V. Sokolov, M. A. Lamin, O. P. Pchelyakov, et al., Poverkhnost’ 9, 75 (1985).
M. A. Lamin, O. P. Pchelyakov, L. V. Sokolov, et al., Surf. Sci. 207, 418 (1989).
N. Ohshima, Y. Koide, S. Zaima, and Y. Yasuda, J. Cryst. Growth 115, 106 (1991).
Y. Koide, A. Furukawa, S. Zaima, and Y. Yasuda, J. Cryst. Growth 115, 365 (1991).
C. Tatsuyama, T. Terasaki, H. Obata, et al., J. Cryst. Growth 115, 112 (1991).
K. Reginski, M. A. Lamin, V. I. Mashanov, et al., Surf. Sci. 327, 93 (1995).
A. I. Yakimov, V. A. Markov, A. V. Dvurechenskii, and O. P. Pchelyakov, J. Phys.: Condens. Matter 6, 2573 (1994).
U. Meirav and E. B. Foxman, Semicond. Sci. Technol. 10, 255 (1995).
R. C. Ashoori, H. L. Stormer, J. S. Weiner, et al., Phys. Rev. Lett. 68, 3088 (1992).
A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, and O. P. Pchelyakov, Pis’ma Zh. Éksp. Teor. Fiz. 68, 125 (1998) [JETP Lett. 68, 135 (1998)].
G. Medeiros-Ribeiro, D. Leonard, and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 66, 1767 (1995).
A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, and O. P. Pchelyakov, Thin Solid Films 336, 332 (1998).
A. I. Yakimov, C. J. Adkins, R. Boucher, et al., Phys. Rev. B 59, 12598 (1999).
A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, V. V. Kirienko, et al., J. Phys.: Condens. Matter 11, 9715 (1999).
A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, and O. P. Pchelyakov, Phys. Low-Dimens. Struct. 3/4, 99 (1999).
S. Anand, N. Carlsson, M.-E. Pistol, et al., J. Appl. Phys. 84, 3747 (1998).
M. Sugawara, K. Mukai, and H. Shoji, Appl. Phys. Lett. 71, 2791 (1997).
J. L. Liu, W. G. Wu, A. Balandin, et al., Appl. Phys. Lett. 74, 185 (1999).
P. Boucaud, V. Le Thanh, S. Sauvage, et al., Appl. Phys. Lett. 74, 401 (1999).
D. K. Schreder, in Charge-Coupled Devices, Ed. by D. Barbe (Springer-Verlag, Heidelberg, 1980; Mir, Moscow, 1982).
S. Sauvage, P. Boucaud, J.-M. Gerard, and V. Thierry-Mieg, Phys. Rev. B 58, 10562 (1998).
P. Schittenhelm, C. Engel, F. Findeis, et al., J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1575 (1998).
S. K. Zhang, H. J. Zhu, F. Lu, et al., Phys. Rev. Lett. 80, 3340 (1998).
V. Ya. Aleshkin, N. A. Bukin, N. G. Kalugin, et al., Pis’ma Zh. Éksp. Teor. Fiz. 67, 46 (1998) [JETP Lett. 67, 48 (1998)].
M. Grassi Alessi, M. Capizzi, A. S. Bhatti, et al., Phys. Rev. B 59, 7620 (1999).
X. Wang, Z. Jiang, H. Zhu, et al., Appl. Phys. Lett. 71, 3543 (1997).
C. S. Peng, Q. Huang, Y. H. Zhang, et al., Thin Solid Films 323, 174 (1998).
P. Boucaud, V. Le Thanh, S. Sauvage, et al., Thin Solid Films 336, 240 (1998).
E. S. Kim, N. Usami, and Y. Shiraki, Appl. Phys. Lett. 72, 1617 (1998).
E. Mateeva, P. Sutter, and M. G. Lagally, Appl. Phys. Lett. 74, 567 (1999).
E. Palange, G. Capellini, L. Di Gaspare, and F. Evangelisti, Appl. Phys. Lett. 68, 2982 (1996).
R. Apetz, L. Vescan, A. Hartmann, et al., Appl. Phys. Lett. 66, 445 (1995).
