Seed manipulation for artificially controlled defect technique in new growth method for quasi-monocrystalline Si ingot based on casting

Applied Physics Express - Tập 8 Số 10 - Trang 105501 - 2015
Isao Takahashi1, Supawan Joonwichien1, Taisho Iwata1, Noritaka Usami1
1Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan

Tóm tắt

Từ khóa


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Applied Physics Express

Tập 8 Số 10

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