Room-temperature continuous-wave operation of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers fabricated using epitaxial lateral overgrowth

Applied Physics Express - Tập 8 Số 6 - Trang 062702 - 2015
Shouichiro Izumi1, Noriyuki Fuutagawa1, Tatsushi Hamaguchi1, Masahiro Murayama1, Masaru Kuramoto1, Hironobu Narui1
1Compound Semiconductor Development Department, Semiconductor Device Development Division, Sony Corporation, Atsugi, Kanagawa 243-0014, Japan

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

Nakamura S., 1995, Jpn. J. Appl. Phys., 34, L797, 10.1143/JJAP.34.L797

10.1063/1.117816

Someya T., 1998, Jpn. J. Appl. Phys., 37, L1424, 10.1143/JJAP.37.L1424

10.1063/1.124121

Hashemi E., 2013, Jpn. J. Appl. Phys., 52, 10.7567/JJAP.52.08JG04

10.1364/OE.22.000411

Holder C. O., 2012, Appl. Phys. Express, 5, 10.1143/APEX.5.092104

10.1063/1.4890864

10.1063/1.2908034

10.1063/1.3483133

10.1109/JSTQE.2011.2116771

10.1063/1.4757873

Higuchi Y., 2008, Appl. Phys. Express, 1

Omae K., 2009, Appl. Phys. Express, 2, 10.1143/APEX.2.052101

Kasahara D., 2011, Appl. Phys. Express, 4, 10.1143/APEX.4.072103

10.1063/1.4885384

10.1109/JQE.2012.2203586

Okur S., 2013, Jpn. J. Appl. Phys., 52, 10.7567/JJAP.52.08JH03

Thông tin
Thông tin xuất bản

Applied Physics Express

Tập 8 Số 6

062702

Thông tin tác giả