Chuẩn bị và Tính Chất của các Phim a-Si Chất Lượng Cao Với Siêu Phòng: Buồng Phản Ứng Siêu Cao Áp Lực Tách Biệt

Một hệ thống buồng phản ứng siêu cao áp lực (UHV) tách biệt, được gọi là siêu phòng, đã được phát triển mới. Áp suất nền đạt được là 10^-9 Torr, và nồng độ tạp chất của oxy, nitơ và carbon trong một phim a-Si được chế tạo trong siêu phòng lần lượt là 2×10¹⁸ cm^-3, 1×10¹⁷ cm^-3, và 2×10¹⁸ cm^-3. Mật độ điện tích không gian và mật độ spin ESR của phim a-Si lần lượt là 5×10¹⁴ cm^-3 và 2×10¹⁵ cm^-3. Những giá trị này thấp hơn nhiều so với các phim được chế tạo trong buồng truyền thống. Tỷ lệ suy giảm do ánh sáng trong khả năng dẫn điện quang của phim a-Si cũng nhỏ hơn so với các phim a-Si thông thường. Hiệu suất chuyển đổi đạt được là 11,7% cho một tế bào quang điện a-Si loại kính/bề mặt kết cấu TCO/pin/Ag, mà lớp i của nó được chế tạo trong siêu phòng.