Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Chuẩn bị và Đặc tính Độ dẫn điện Phi tuyến của Cao su Silicon có chứa Sợi Kẽm Oxit Hình Tứ diện được Phủ bạc
Tóm tắt
Sợi kẽm oxit hình tứ diện (T-ZnO) được phủ bạc bằng phương pháp mạ hóa học (T-ZnO@Ag). Các tổ hợp T-ZnO(T-ZnO@Ag)/cao su silicon được chế tạo ở nhiệt độ 165°C và áp suất 15 MPa. Các đặc tính độ dẫn điện phi tuyến của các tổ hợp T-ZnO(T-ZnO@Ag)/cao su silicon với các tỷ lệ thể tích 1 vol.%, 2.4 vol.%, 3.7 vol.% và 5 vol.% đã được nghiên cứu. Các đặc tính điện môi của các tổ hợp với dải tần số từ 0.1 Hz đến 10 MHz đã được phân tích. Độ dẫn điện của tổ hợp T-ZnO/cao su silicon tăng lên cùng với hàm lượng T-ZnO, trong khi trường chuyển đổi giảm xuống. Khi T-ZnO được phủ bạc, các đặc tính phi tuyến của tổ hợp T-ZnO@Ag/cao su silicon được cải thiện đáng kể. Hệ số phi tuyến đạt giá trị 10.95 tại hàm lượng phụ gia 2.4 vol.%. Ngưỡng truyền dẫn của các hạt phụ gia T-ZnO thấp hơn đáng kể so với các hạt phụ gia ZnO hình cầu. Ngưỡng truyền dẫn và hiệu ứng rào cản Schottky đã được sử dụng để giải thích các đặc tính điện phi tuyến.
Từ khóa
#T-ZnO #bạc #cao su silicon #độ dẫn điện phi tuyến #hạt kẽm oxitTài liệu tham khảo
S. Ilhan and A. Ozdemir, IEEE Trans. Dielectr. Electr. Insul. 18, 1638 (2011).
T. Doshi, R.S. Gorur, and J. Hunt, IEEE Trans. Dielectr. Electr. Insul. 18, 861 (2011).
L. Gao, X. Yang, J. Hu, and J. He, Mater. Lett. 171, 1 (2016).
L. Donzel and J. Schuderer, IEEE Trans. Dielectr. Electr. Insul. 19, 955 (2012).
G.S. Wang, Y. Deng, Y. Xiang, and L. Guo, Adv. Funct. Mater. 18, 2584 (2008).
L. Donzel, F. Greuter, and T. Christen, IEEE Electr. Insul. Mag. 27, 18 (2011).
J. Tian, R. Xu, H. He, and Y. Feng, J. Alloys Compd. 723, 1011 (2017).
R. Abd-Rahman, A. Haddad, N. Harid, and H. Griffiths, IEEE Trans. Dielectr. Electr. Insul. 19, 705 (2012).
X. Yang, J. He, and J. Hu, J. Appl. Polym. Sci. (2015). https://doi.org/10.1002/app.42645.
E. Tuncer, Solid State Electron. 134, 46 (2017).
X. Wang, J.K. Nelson, and L.S. Schadler, IEEE Trans. Dielectr. Electr. Insul. 17, 1687 (2010).
T. Christen, L. Donzel, and F. Greuter, IEEE Electr. Insul. Mag. 26, 47 (2010).
S.M. Lebedev, O.S. Gefle, and A.E. Strizhkov, IEEE Electr. Insul. Mag. 20, 289 (2013).
Y. Jiang, R. Sun, H. Zhang, P. Min, D. Yang, and Z. Yu, Compos. Part A 94, 104 (2017).