Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Làm phẳng các cấu trúc không đồng nhất bằng phương pháp phun ion vật lý
Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques - Tập 5 - Trang 1180-1184 - 2011
Tóm tắt
Động học của quá trình phun ion của các cấu trúc vi mô thử nghiệm, mô phỏng các mảnh vụn của cấu trúc bề mặt của các mạch tích hợp hiện đại quy mô rất lớn, đã được nghiên cứu. Các cấu trúc vi mô dạng dải nhôm cao 0.5 μm và rộng 1 μm được đặt trên bề mặt hoặc nhúng vào SiO2 đã được sử dụng làm mẫu thử. Chùm ion Ar+ 1 keV với mật độ dòng 0.5 mA/cm2, chiếu vào bề mặt của mẫu, quay với tốc độ 60 vòng/phút, tại góc 87°, đã được sử dụng trong các thí nghiệm. Sự tiến hóa hình thái bề mặt đã được nghiên cứu bằng kính hiển vi lực nguyên tử. Các thí nghiệm cho thấy rằng quá trình phun ion vật lý tại các góc tới nghiêng có thể được sử dụng để làm phẳng các cấu trúc ban đầu không đồng nhất. Độ phẳng đạt được cho phép sử dụng phương pháp này để phát hiện khuyết tật trong các lớp đa cấp của quá trình kim loại hóa của các mạch tích hợp hiện đại quy mô rất lớn.
Từ khóa
#phun ion vật lý #làm phẳng cấu trúc #vi mô #mạch tích hợp hiện đại #độ phẳng bề mặtTài liệu tham khảo
M. Wising, M. Batzill, and K. J. Snowdon, Nanotecnology 8, 40 (1997).
M. Zgirski, K-P. Riikonen, V. Tuboltsev, et al., Nanotecnology 19, 055301 (2008).
V. Tichonov, “Apparatus and Method for Deprocessing a Multi-Layer Semiconductor Device,” Patent USA No. 6033994A (New York, 2000).
A. F. Vyatkin and V. I. Zinenko, Prib. Tekh. Eksp., No. 2, 132 (2011).
Sputtering by Particle Bombardment, Ed. by R. Behrisch and K. Wittmaack, Springer Series in Appl. Phys., Vol. 64 (Springer, Berlin, Heidelberg, 1991).