Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Tính chất vật lý của tinh thể đơn CdTe:Cl bán dẫn cách điện được phát triển từ pha hơi
Tóm tắt
Một phương pháp pha hơi để phát triển các tinh thể đơn CdTe:Cl có điện trở cao được mô tả. Quang phổ phát quang của các tinh thể này được nghiên cứu như một hàm của hàm lượng chất doping. Vị trí mức năng lượng quyết định độ dẫn điện của các tinh thể đơn này đã được xác định thông qua các nghiên cứu điện và quang điện.
Từ khóa
#CdTe:Cl #tinh thể đơn #phát quang #điện trở cao #độ dẫn điệnTài liệu tham khảo
F. A. Kroger and J. Vink, Phys. Status Solidi 3, 310 (1956).
G. Mandel, Phys. Rev. A 134, 1073 (1964).
T. I. Milenov and M. M. Gospodinov, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A 322, 368 (1992).
P. Hoshl, P. Polivka, M. Vanecek, and M. Skrivankova, Rev. Phys. Appl. 12, 229 (1977).
R. Triboulet, Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. 85, 128 (1994).
T. Shoji, H. Onabe, and Y. Hiratate, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A 322, 324 (1992).
N. A. Ukrainets, Author’s Abstract of Candidate’s Dissertation (NU “L’vovskaya Politekhnika”, L’vov, 2000).
M. Fiederle, T. Feltgen, M. Rogalla, et al., Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A 434, 152 (1999).
A. L. Grokhol’skii, Quality-factor Meters — Q-meters (Nauka, Novosibirsk, 1966).
Zh. R. Panosyan, Tr. Fiz. Inst. Akad. Nauk SSSR 68, 147 (1973).
N. V. Agrinskaya, N. N. Zinov’ev, O. A. Matveev, and I. D. Yaroshetskii, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (Leningrad) 14, 172 (1980) [Sov. Phys. Semicond. 14, 100 (1980)].
Hage-Ali and P. Siffert, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A 322, 313 (1992).
D. V. Korbutyak, S. V. Mel’nichuk, É. V. Korbut, and M. M. Borisyuk, Cadmium Telluride: Impurity-Defect States and Detector Properties (Izd. “Ivan Fedorov”, Kiev, 2000).
B. K. Meyer and W. Stadler, J. Cryst. Growth 161, 119 (1996).
N. V. Agrinskaya, E. N. Arkad’eva, and O. A. Matveev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (Leningrad) 5, 869 (1971) [Sov. Phys. Semicond. 5, 767 (1971)].
N. V. Agrinskaya, O. A. Matveev, A. V. Nikitin, and V. A. Sladkova, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (Leningrad) 21, 676 (1987) [Sov. Phys. Semicond. 21, 414 (1987)].
J. Saraie, H. Shinohara, H. Edanatzu, and T. Tanaka, J. Lumin. 21, 337 (1980).
K. V. Shalimova, Physics of Semiconductors (Énergiya, Moscow, 1976).
A. V. Lyubchenko, E. A. Sal’kov, and F. F. Sizov, Physical Foundations of Semiconductor Quantum Photoelectronics (Naukova Dumka, Kiev, 1984)
N. V. Agrinskaya, E. N. Arkad’eva, O. A. Matveev, and Yu. V. Rud’, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (Leningrad) 2, 932 (1968) [Sov. Phys. Semicond. 2, 776 (1969)].