Mô hình vật lý của hiệu ứng nhiệt Joule động cho quá trình đặt lại trong bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên cầu dẫn
Tóm tắt
Từ khóa
#hiệu ứng nhiệt Joule #bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên cầu dẫn #quá trình đặt lại #hình học sợi dẫn #phân bố điện trườngTài liệu tham khảo
Wang, Z., Yu, H., Tran, X.A., Fang, Z., Wang, J., Su, H.: Transport properties of HfO2−x based resistive-switching memories. Phys. Rev. B 85(19), 195322 (2012)
Xue, K.-H., Blaise, P., Fonseca, L.R.C., Nishi, Y.: Prediction of semimetallic tetragonal Hf2O3 and Zr2O3 from first principles. Phys. Rev. Lett. 110(6), 065502 (2013)
Guan, W., Liu, M., Long, S., Liu, Q., Wang, W.: On the resistive switching mechanisms of Cu/ZrO[2]:Cu/Pt. Appl. Phys. Lett. 93(22), 223506 (2008)
Standards, U.S.B.o.: Copper wire tables. Government Printing Office (1914)
Liu, Q., Long, S., Wang, W., Zuo, Q., Zhang, S., Chen, J., Liu, M.: Improvement of resistive switching properties in ZrO2-based ReRAM with implanted Ti ions. IEEE Electron Device Lett. 30(12), 1335 (2009)