Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Đặc trưng photoluminescence của các giếng lượng tử AlGaN-GaN giả hình và tính toán sự dịch khoảng cách năng lượng do ứng suất gây ra
Tóm tắt
Tính chất photoluminescence ở nhiệt độ thấp (77 K) của các giếng lượng tử Al x Ga1-x N-GaN với các giá trị x khác nhau được phát triển bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học tổ hợp kim loại (MOCVD) đã được nghiên cứu. Các quang phổ photoluminescence đã cung cấp thông tin hữu ích để phân tích cả hiệu ứng giam giữ lượng tử và sự dịch năng lượng do ứng suất gây ra. Những sự dịch này được phát hiện là một hàm mạnh của thành phần nhôm x. Một mô hình đã được phát triển để tính toán sự dịch khoảng cách năng lượng do ứng suất gây ra tại k = 0. Các giá trị được dự đoán bởi mô hình này, lấy vào tài khoản cấu trúc tinh thể wurtzite của hệ vật liệu, có sự phù hợp tốt với (tức là trong khoảng 2 meV) với các sự dịch được đo thực nghiệm.
Từ khóa
#photoluminescence #giếng lượng tử #AlGaN-GaN #ứng suất #khoảng cách năng lượngTài liệu tham khảo
N. G. Anderson, W. D. Laidig, G. Lee, Y. C. Lo and M. Ozturk, Mat. Res. Soc. Symp. Proc.37, 223 (1985).
R. M. Kolbas, N. G. Anderson, W. D. Laidig, Y. Sin, Y. C. Lo, K. Y. Hsieh and Y. J. Yang, IEEE J. Quantum Electron24, 1605 (1988).
Hiromitsu Asai and Kunishige Oe, J. Appl. Phys.54, 2052 (1983).
M. A. Khan, R. A. Skogman, J. M. Van Hove, S. Krishnankutty and R. M. Kolbas, Appl. Phys. Lett.56, 1257 (1990).
Z. Sitar, Ph.D. Dissertation, Dept. Mater. Sci. and Eng., North Carolina State University, 1991.
S. Krishnankutty, R. M. Kolbas, M. A. Khan, J. N. Kuznia, J. M. Van Hove and D. T. Olson, submitted for publication to the J. Electron. Mater.
G. E. Pikus and G. E. Bir, Sov. Phys. Solid State1, 136 (1959).
Landolt-Bornstein, New Series, Vol. 17, Semiconductors sub vol. a, Physics of Group IV elements and III–V Compounds (Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, New York, 1982).
V. A. Savastenko and A. U. Sheleg, Phys. Stat. Solidi (a)48, K135 (1978).
A. U. Sheleg and V. A. Savastenko, Izv. Akad. Nauk SSR, Neorg Mater.15, no. 9, 1598 (1979).
D. L. Camphausen and G. A. N. Connell, J. Appl. Phys.42, 4438 (1971).