Nghiên cứu Photoluminescence và Raman trong vật liệu màng mỏng: Sự chuyển đổi từ silic vô định hình sang silic vi tinh thể

Applied Physics Letters - Tập 75 Số 4 - Trang 492-494 - 1999
Guozhen Yue1, J. D. Lorentzen1, Junda Lin1, Daxing Han1, Qi Wang2
1Department of Physics & Astronomy, University of North Carolina at Chapel Hill, Chapel Hill, North Carolina 27599-3255
2National Renewable Energy Laboratory, Golden, Colorado 80401

Tóm tắt

Chúng tôi đã đo quang phát quang (PL) và phổ Raman cho các lớp màng được lắng động bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học bằng dây nóng với tỷ lệ hydro trên silane khác nhau. Chúng tôi quan sát thấy: (a) sự tăng năng lượng đỉnh PL từ 1,25 đến 1,4 eV khi vật liệu tiếp cận khu vực chuyển tiếp từ a- sang μc-Si; (b) xuất hiện hai đỉnh PL tại 1,3 và 1,0 eV cho lớp màng có tỷ lệ pha loãng H là 3; và (c) khi tỷ lệ H tăng, PL 1,3 eV mờ dần và PL với năng lượng thấp chiếm ưu thế. Đồng thời, cũng quan sát thấy hiện tượng đỏ dời của vị trí đỉnh, sự giảm cường độ và băng thông hẹp hơn cho PL năng lượng thấp. PL năng lượng thấp được giải thích bằng các quá trình chuyển tiếp phát quang từ đuôi băng của hai loại ranh giới hạt.

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

1994, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 336, 377, 10.1557/PROC-336-377

1995, Appl. Phys. Lett., 67, 82, 10.1063/1.115515

1980, Appl. Phys. Lett., 36, 163, 10.1063/1.91416

1995, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 377, 57, 10.1557/PROC-377-57

1996, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 420, 295, 10.1557/PROC-420-295

1979, Solid State Commun., 31, 677, 10.1016/0038-1098(79)90322-3

1983, Physica B, 117&118, 917

1987, Phys. Rev. B, 36, 3344, 10.1103/PhysRevB.36.3344

1988, Appl. Phys. Lett., 52, 1675, 10.1063/1.99054

1996, J. Appl. Phys., 80, 2475, 10.1063/1.363083

1985, Phys. Rev. B, 31, 6881, 10.1103/PhysRevB.31.6881

Thông tin
Thông tin xuất bản

Applied Physics Letters

Tập 75 Số 4

492-494

Thông tin tác giả