Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Oxy hóa và Xói mòn ZnO trong Nước
Tóm tắt
Sự oxy hóa quang điện hóa của các màng ZnO trong nước ở nhiệt độ phòng được đánh giá thực nghiệm như một phương pháp để thay đổi các tính chất quang học và điện của các màng bằng cách đưa oxy dư vào các khuyết tật tự nhiên so với tỉ lệ hóa học. Biến đổi của quang phổ phát quang và độ kháng điện theo thời gian oxy hóa dưới điện áp áp dụng được khảo sát. Kết quả cho thấy quá trình oxy hóa làm giảm mật độ của các khuyết tật cho phép VO và IZndonor, đồng thời tăng mật độ của các khuyết tật chấp nhận VZn. Người ta nhận thấy rằng tốc độ oxy hóa tăng theo điện áp áp dụng.
Từ khóa
#ZnO #oxy hóa quang điện hóa #khuyết tật #quang phổ phát quang #độ kháng điệnTài liệu tham khảo
Liang, W.I. and Yoffe, A.D., Transmission Spectra of ZnO Single Crystals, Phys. Rev. Lett., 1980, vol. 20, pp. 59-62.
Kavokin, A., Zamfirescu, V., Gil, B., and Malpuech, G., ZnO as a Material Mostly Adapted for Realization of Room-Temperature Polariton Lasers, Phys. Status Solidi A, 2002, vol. 192, pp. 212-217.
Ohta, H., Kavamura, K., Orita, M., and Hirano, M., Current Injection Emission from a Transparent p-n Junction Composed of p-SrCu2O2/n-ZnO, Appl. Phys. Lett., 2000, vol. 77, pp. 475-477.
Garces, N.Y., Giles, N.C., Halliburton, L.E., Cantwell, G., and Eason, D.B., Production of Nitrogen Acceptors in ZnO by Thermal Annealing, Appl. Phys. Lett., 2002, vol. 80, pp. 1334-1336.
Joseph, M., Tabata, H., Saeki, H., Ueda, K., and Kawai, T., Fabrication of the Low-Resistive p-Type ZnO by Codoping Method, Physica B (Amsterdam), 2001, vols. 302–303, pp. 140-148.
Mais, N., Reithmaier, J.P., Forchel, A., Kohis, M., Spanhel, L., and Muller, G., Er Doped Nanocrystalline ZnO Planar Waveguide Structures for 1.55 mkm Amplifier Applications, Appl. Phys. Lett., 1999, vol. 75, pp. 2005-2007.
Gruzintsev, A.N., Volkov, V.T., and Matveeva, L.N., ZnO Films Deposited by Electron-Beam Evaporation: The Effect of Ion Bombardment, Mikroelektronika, 2002, vol. 31,no. 3, pp. 223-227.
Georgobiani, A.N., Gruzintsev, A.N., Volkov, V.T., and Vorob'ev, M.O., Effect of Oxygen-Radical Annealing on the Luminescent and Electrical Properties of ZnO:N Films, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg), 2002, vol. 36, issue 3, pp. 265-269.
Gruzintsev, A.N., Volkov, V.T., Bartkhou, K., and Benalul, P., Spontaneous and Stimulated Emisson from Nanoscale ZnO/SiO2/Si Thin-Film Resonators Made by Magnetron Sputtering, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg), 2002, vol. 36, pp. 741-745.
Rotter, T., Mistele, D., Stemmer, J., Fedler, F., and Heuken, M., Photoinduced Oxide Film Formation on n-Type GaN Surfaces Using Alkaline Solutions, Appl. Phys. Lett., 2000, vol. 76, pp. 3923-3925.
Youtsey, C., Adesida, I., and Bulman, G., Highly Anisotropic Photoenhanced Wet Etching on n-Type GaN, Appl. Phys. Lett., 1997, vol. 71, pp. 2151-2156.
Seo, J.W., Oh, C.S., Jeong, H.S., Yang, J.W., and Lee, H.J., Bias-Assisted Photoelectrochemical Oxidation of n-GaN in H2O, Appl. Phys. Lett., 2002, vol. 81, pp. 1029-1031.
Abduev, A.L., Adukov, A.F., and Ataev, B.M., Excitonic Luminescence of Epitaxial Zinc Oxide Layers, Opt. Spektrosk., 1981, vol. 50, pp. 1137-1141.
Butkhuzi, T.V., Georgobiani, A.N., Zada-Uly, E., and El'tazarov, B.T., Luminescence of n-or p-Type Monocrystalline Zinc Oxide Layers, Tr. FIAN, 1987, vol. 182, pp. 142-185.