Photodetectors with an InGaAs Active Region and InGaP Metamorphic Buffer Layer Grown on GaAs Substrates

Semiconductors - Tập 52 Số 12 - Trang 1564-1567 - 2018
I. V. Samartsev1, С. М. Некоркин1, Б. Н. Звонков1, V. Ya. Aleshkin2, А. А. Дубинов2, I. J. Pashenkin3, Н. В. Дикарева1, A. B. Chigineva1
1Physical-Technical Research Institute, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia
2Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia
3Physical Technical Research Institute, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, 603950, Nizhny Novgorod, Russia

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

L. M. Kanskaya and A. Yu. Kulikov, Tech. Phys. Lett. 21, 173 (1995).

B. N. Zvonkov, S. M. Nekorkin, M. V. Karzanova, and N. V. Dikareva, in Proceedings of the Conference of the Sedakov Res. Inst. of Measuring Systems, 2014, p. 102.

S. M. Plankina, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, N. Yu. Konnova, A. V. Nezhdanov, and I. Yu. Pashenkin, Semiconductors 50, 1539 (2016).

I. A. Andreev, O. Yu. Serebrennikova, N. D. Il’inskaya, A. A. Pivovarova, G. G. Konovalov, E. V. Kunitsyna, V. V. Sherstnev, and Yu. P. Yakovlev, Semiconductors 49, 1671 (2015).

http://www.dilas.ru/.

A. V. Sorochkin, V. S. Varavin, A. V. Predein, I. V. Sabinina, and M. V. Yakushev, Semiconductors 46, 535 (2012).

Thông tin
Thông tin xuất bản

Semiconductors

Tập 52 Số 12

1564-1567

Thông tin tác giả