Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Hiệu ứng quang điện dung trong tụ điện kim loại-điện môi-bán dẫn đơn cực ở nhiệt độ thấp
Tóm tắt
Hiệu ứng quang điện dung đã được nghiên cứu lý thuyết trong trường hợp ion hóa quang của các nguyên tử tạp chất trong một tụ điện MIS đơn cực ở nhiệt độ thấp. Các biểu thức phân tích đã được rút ra cho các đặc tính điện dung-điện áp và điện dung quang-điện áp của tụ điện MIS với điện cực bán dẫn loại p. Sự phụ thuộc của độ nhạy điện dung quang vào điện áp dọc đã cho thấy xuất hiện một đỉnh khá hẹp, có độ cao và vị trí phụ thuộc vào nồng độ tặng electron. Đặc tính điện dung và điện dung quang đã được tính toán cho tụ điện MIS với điện cực silicon doped indium.
Từ khóa
#quang điện dung #tụ điện MIS #bán dẫn loại p #ion hóa quang #điện ápTài liệu tham khảo
R. F. Pierret and S. T. Sah, Solid-State Electron. 13, 269 (1970).
A. V. Sachenko, V. A. Zuev, V. G. Litovchenko, et al., Phys. Status Solidi A 21, 345 (1974).
N. F. Kovtonyuk, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (Leningrad) 9, 2386 (1975) [Sov. Phys. Semicond. 9, 1540 (1975)].
V. G. Litovchenko and A. P. Gorban’, Physical Basics of MIS-Based Microelectronic Systems (Naukova Dumka, Kiev, 1978), Chap. 1.
A. Sher, Y. H. Tsuo, J. A. Moriarty, et al., J. Appl. Phys. 51, 2137 (1980).
A. A. Lebedev, N. A. Sobolev, and V. Ékke, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (Leningrad) 15, 1438 (1981) [Sov. Phys. Semicond. 15, 832 (1981)].
V. A. Zuev and V. G. Popov, Photoelectric MIS Devices (Radio i svyaz’, Moscow, 1983), Chap. 4, p. 89.
N. F. Kovtonyuk and E. N. Sal’nikov, Photosensitive MIS Devices for Processing of Images (Radio i Svyaz’, Moscow, 1990), Chap. l, p. 8.
N. A. Penin, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (Leningrad) 17, 431 (1983) [Sov. Phys. Semicond. 17, 266 (1983)].