Origin of Dielectric Relaxation Observed for Ba<sub>0.5</sub>Sr<sub>0.5</sub>TiO<sub>3</sub> Thin-Film Capacitor

Japanese Journal of Applied Physics - Tập 35 Số 9S - Trang 5178 - 1996
Yukio Fukuda1, Ken Numata1, Katsuhiro Aoki Katsuhiro Aoki1, Akitoshi Nishimura Akitoshi Nishimura1
1ULSI Technology Center, Texas Instruments Japan Limited,

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

1994, Jpn. J. Appl. Phys., 33, 5255, 10.1143/JJAP.33.5255

1995, Jpn. J. Appl. Phys., 34, 5478, 10.1143/JJAP.34.5478

1995, Integr. Ferroelectr., 7, 291, 10.1080/10584589508220240

1995

1995, Jpn. J. Appl. Phys., 34, L1291, 10.1143/JJAP.34.L1291

1989, J. Am. Ceram. Soc., 72, 2276, 10.1111/j.1151-2916.1989.tb06073.x

1989, J. Am. Ceram. Soc., 72, 1989, 10.1111/j.1151-2916.1989.tb06067.x

1973

1996, Jpn. J. Appl. Phys., 35, 1548, 10.1143/JJAP.35.1548

Thông tin
Thông tin xuất bản

Japanese Journal of Applied Physics

Tập 35 Số 9S

5178

Thông tin tác giả