Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Tối ưu hóa quá trình tăng trưởng vùng chọn lọc của GaAs bằng phương pháp lắng đọng hơi pha kim loại hữu cơ áp suất thấp phục vụ cho các mạch tích hợp đơn nhất
Tóm tắt
Cấu trúc thiết bị GaAs MESFET đã được tăng trưởng trên các substrat GaAs có mặt nạ silicon nitride hoặc silicon dioxide kích thước 50 và 76 mm thông qua phương pháp lắng đọng hơi pha kim loại hữu cơ áp suất thấp. Hình thái rất mịn, không có đặc điểm và độ chọn lọc 100 phần trăm của các đảo GaAs đã đạt được trên một loạt các điều kiện tăng trưởng. Việc tối ưu hóa lớp đệm p GaAs của cấu trúc transistor hiệu ứng trường đã dẫn đến hiệu suất thiết bị được cải thiện, bao gồm việc tăng điện áp ngắt. Đặc tính của thiết bị transistor hiệu ứng trường kim loại bán dẫn độ ồn thấp với kích thước cửa 0.5 µm được chế tạo trên các đảo này cho thấy hiệu suất tốt và khả năng tái lặp giữa các wafer trong lô thiết bị thứ hai.
Từ khóa
#GaAs #MESFET #lắng đọng hơi pha #áp suất thấp #mạch tích hợp #cấu trúc transistor #hiệu ứng trường #điện áp ngắtTài liệu tham khảo
R. Azoulay, N. Bouadma, J.C. Bouley and L. Dugrand,J. Cryst. Growth 66, 229 (1981).
R. Gale, R. McClelland, J. Fan and C. Bozler, Inst. Phys. Conf. Ser. No. 65,101 (1983).
T. Keuch, M. Goorsky, M. Tischler, A. Palevski, P. Solomon, R. Potemski, C. Tsai, J. Lebens and K. Vahala, J. Cryst. Growth 107,116(1991).
R. Azoulay and L. Dugrand, Appl. Phys. Lett. 58, 129 (1991).
K. Kamon, S. Takagishi and H. Mori, J. Cryst. Growth 73, 73 (1985).
Y. Galeuchet and P. Roentgen, J. Cryst. Growth 107,147 (1991).
P. Demeester, I. Buydens, I. Moerman, D. Lootens and P. Van Daele, J. Cryst. Growth 107, 161 (1991).
H. Kanber, M. Sokolich, S. Bar, M. Herman, P. Norris, C. Beckham and D. Walker, Inst. Phys. Conf. Ser. No. 120, 215 (1991).
R. Bhat, Paper Dl.5, Fall MRS Conference, Boston, MA, Nov. 1992.