Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Đặc điểm quang học và điện môi của oxit kim loại đất hiếm Lu2O3
Tóm tắt
Các đặc điểm của oxit Lu2O3 và sự biến đổi của chúng được kiểm soát bởi các khuyết tật thành phần đã được nghiên cứu. Các khuyết tật này là những lỗ trống anion được tạo ra do sự giảm một phần oxit. Những khuyết tật này thể hiện các đặc điểm điển hình của các vật thể lượng tử và có ảnh hưởng sâu sắc đến phổ truyền quang, tính chất dẫn điện (thuộc tính điện môi hoặc bán dẫn) và mức độ lớn của độ thẩm thấu ɛ (có thể thay đổi từ 11,2 đến 125). Các đặc điểm cấu trúc của các lỗ trống trong các oxit được xem xét, và ảnh hưởng của các lỗ trống đến độ phân cực, độ dẫn điện, và dao động mạng được nghiên cứu. Các nghiên cứu được thực hiện trong khoảng nhiệt độ 200–900 K, khoảng bước sóng 0,03–50 μm, và khoảng tần số dòng điện 102–105 Hz. Các oxit kim loại đất hiếm thu hút sự quan tâm cho các ứng dụng trong vi điện tử do độ thẩm thấu cao của chúng (cao gấp vài lần so với độ thẩm thấu của SiO2) và do đó, triển vọng sử dụng các oxit này thay thế cho SiO2.
Từ khóa
#Lu2O3 #khuyết tật thành phần #lỗ trống anion #phổ truyền quang #tính chất dẫn điện #độ thẩm thấuTài liệu tham khảo
D. I. Chernobrovkin and Yu. G. Sakharov, Élektronika 2(1), 82 (1973).
G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Antony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
H. J. Osten, A. Laha, M. Czernohorsky, E. Bugiel, R. Dargis, and A. Fisse, Phys. Stat. Solidi A 295, 695 (2008).
C. H. Liu, T. M. Pan, W. H. Shu, and K. C. Huang, Electrochem. Solid-State Lett. 10, G54 (2007).
Chia-Wen Chang, Chia-Kang Dang, J. S. Huang, H. R. Chang, and T. F. Lei, Electrochem. Solid-State Lett. 10, J143 (2007).
S. Duenas, H. Caston, H. Carcia, A. Gamez, L. Bailon, K. Kukli, T. Hatanpaa, J. Lu, M. Ritalola, and M. Leskola, J. Electrochem. Soc. 154, G207 (2007).
G. Scarel, E. Bonera, C. Wiemer, G. Tallarida, S. Spiga, M. Fanciulli, I. L. Fedushkin, H. Schumann, Yu. Lebedinskii, and F. Zenkevich, Appl. Phys. Lett. 85, 630 (2004).
E. Bonera, G. Scarel, M. Fanciulli, P. Delugas, and V. Fiorentini, Phys. Rev. Lett. 94, 027602 (2005).
P. Darmawan, P. S. Lee, Y. Setiawan, J. C. Lai, and P. Yang, J. Vac. Sci. Technol. B 25, 1203 (2007).
C. L. Yuan, P. Darmawan, Y. Setiawan, and P. S. Lee, Electrochem. Solid-State Lett. 99, F53 (2006).
A. I. Shelykh, A. V. Prokof’ev, and B. T. Melekh, Fiz. Tverd. Tela 38, 427 (1966) [Sov. Phys. Solid State 38, 236 (1966)].
A. V. Prokofiev, A. I. Shelykh, and B. T. Melekh, J. Alloys Comp. 242, 41 (1966).
Kh. S. Bagdasarov, V. P. Zhuze, M. G. Karin, K. K. Si- dorin, and A. I. Shelykh, Fiz. Tverd. Tela 26, 1134 (1984) [Sov. Phys. Solid State 26, 687 (1984)].
D. Bloor and J. R. Dean, J. Phys. C: Solid State Phys. 5, 1237 (1972).
V. P. Zhuze and A. I. Shelykh, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 23, 393 (1989) [Sov. Phys. Semicond. 23, 245 (1989)].
G. P. Skornyakov and V. L. Konstantinov, in Physics and Chemistry of Rare Earth Semiconductors, Ed. by G. P. Skornyakov and A. A. Samokhvalov (UNTs AN SSSR, Sverdlovsk, 1977) [in Russian].
G. Schaak and J. A. Koningstein, J. Opt. Soc. Am. 60, 1110 (1970).
R. F. Gamarra, M. Josebachuilli, P. Zurita, and S. Gie, Am. J. Phys. 75, 1073 (2007).
J. D. Axe, J. Phys. Chem. Sol. 30, 1403 (1969).
A. E. Miller and A. H. Daane, J. Jnorg. Nucl. Chem. 27, 1955 (1965).
A. Lidiard, Handbuch der Physik, Ed. by S. Flugge (Springer, Berlin, 1957; Inostr. Liter., Moscow, 1962), Vol. 20, Ch. 11.
H. J. van Daal and A. J. Bosman, Phys. Rev. 158, 736 (1967).
A. J. Bosman and H. J. van Daal, Adv. Phys. 19, 1 (1970).
T. Bak, M. K. Novotny, L. R. Sheppard, and J. Navotny, J. Phys. Chem. C 112, 12 981 (2008).