Operation mechanism of Schottky barrier nonvolatile memory with high conductivity InGaZnO active layer

citation_author=Nomura K.; citation_author=Ohta H.; citation_author=Ueda K.; citation_author=Kamiya T.; citation_author=Hirano M.; citation_author=Hosono H.; citation_journal_title=Science; citation_year=2003; citation_volume=300; citation_pages=1269 citation_author=Yabuta H.; citation_author=Sano M.; citation_author=Abe K.; citation_author=Aiba T.; citation_author=Den T.; citation_author=Kumomi H.; citation_author=Nomura K.; citation_author=Kamiya T.; citation_author=Hosono H.; citation_journal_title=Appl. Phys. Lett.; citation_year=2006; citation_volume=89; citation_pages=112123 citation_author=Su N. C.; citation_author=Wang S. J.; citation_author=Chin A.; citation_journal_title=IEEE Electron Device Lett.; citation_year=2010; citation_volume=31; citation_pages=201 citation_author=Yin H. X; citation_author=Kim S. N.; citation_author=Lim H.; citation_author=Min Y. S.; citation_author=Kim C. J.; citation_author=Song I. H.; citation_author=Park J. C; citation_author=Kim S. W.; citation_author=Tikhonovsky A.; citation_author=Hyun J. W; citation_author=Park Y. S; citation_journal_title=IEEE Trans. Electron Devices; citation_year=2008; citation_volume=55; citation_pages=2071 citation_author=Park Y. S.; citation_author=Lee S. Y.; citation_author=Lee J. S.; citation_journal_title=IEEE Electron Device Lett.; citation_year=2010; citation_volume=31; citation_pages=1134 citation_author=Yang J. H.; citation_author=Ahn C. G.; citation_author=Baek I. B.; citation_author=Jang M. G.; citation_author=Sung G. Y.; citation_author=Park B. C.; citation_author=Im K. J.; citation_author=Lee S. J.; citation_journal_title=Thin Solid Films; citation_year=2009; citation_volume=517; citation_pages=1825-1828; citation_author=Shin J. W.; citation_author=Cho W. J.; citation_author=Choi C. J.; citation_author=Jang M. G.; citation_journal_title=Appl. Phys. Lett.; citation_year=2009; citation_volume=94; citation_pages=053502 citation_author=Shin J. W.; citation_author=Choi C. J.; citation_author=Jang M. G.; citation_author=Cho W. J.; citation_journal_title=IEEE Electron Device Lett.; citation_year=2008; citation_volume=29; citation_pages=1336 citation_author=Nomura K.; citation_author=Ohta H.; citation_author=Takagi A.; citation_author=Kamiya T.; citation_author=Hirano M.; citation_author=Hosono H.; citation_journal_title=Nature; citation_year=2004; citation_volume=432; citation_pages=488-492; citation_author=Nguyen H. H.; citation_author=Nguyen V. D.; citation_author=Trinh T. T.; citation_author=Jang K. S.; citation_author=Baek K. H; citation_author=Raja J.; citation_author=Yi J. S; citation_journal_title=J. Electrochem. Soc.; citation_year=2011; citation_volume=158; citation_issue=10; citation_pages=H1077 citation_author=Duy N. V.; citation_author=Jung S. W.; citation_author=Kim K.; citation_author=Son D. N.; citation_author=Nga N. T.; citation_author=Cho J.; citation_author=Choi B.; citation_author=Yi J.; citation_journal_title=J. Phys. D: Appl. Phys.; citation_year=2010; citation_volume=43; citation_pages=075101 CRC Handbook of Chemistry and Physics , edited by Lide David R. , 89th ed. (Internet Version, 2009 ), pp. 12–114. citation_author=Yun P. S.; citation_author=Koike J.; citation_journal_title=J. Electrochem. Soc.; citation_year=2011; citation_volume=158; citation_issue=10; citation_pages=H1034-H1040; citation_author=Lee K. W.; citation_author=Heo K. Y; citation_author=Kim H. J.; citation_journal_title=Appl. Phys. Lett.; citation_year=2009; citation_volume=94; citation_pages=102112 citation_author=Ji K. H.; citation_author=Kim J. I.; citation_author=Jung H. Y.; citation_author=Park S. Y.; citation_author=Choi R. N.; citation_author=Kim U. K.; citation_author=Hwang C. S.; citation_author=Lee D. S.; citation_author=Hwang H. S.; citation_author=Jeong J. K.; citation_journal_title=Appl. Phys. Lett.; citation_year=2011; citation_volume=98; citation_pages=103509 citation_author=Hsieh T. Y.; citation_author=Chang T. C.; citation_author=Chen T. C.; citation_author=Tsai M. Y.; citation_author=Lu W. H.; citation_author=Chen S. C.; citation_author=Jian F. Y.; citation_author=Lin C. S.; citation_journal_title=Thin Solid Films; citation_year=2011; citation_volume=520; citation_pages=1427-1431;