Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Mô Hình Số của Plasma Argon–Silane với Nucleation và Tăng Trưởng Hạt Bụi RF
Tóm tắt
Một mô hình số một chiều và kết quả mô phỏng được trình bày cho plasma bụi argon-silane liên kết điện dung với tần số radio. Mô hình bao gồm các mô đun số được kết nối tự nhất quán, bao gồm mô hình khí plasma, mô hình aerosol phân đoạn và mô hình hóa học đơn giản để dự đoán tỷ lệ nucleation hạt và tăng trưởng bề mặt. Các điều kiện hoạt động được xem xét bao gồm tần số 13.56 MHz, áp suất 100 mTorr, khoảng cách điện cực 4 cm, dòng khí qua điện cực trên với tỉ lệ 30:1 của argon so với silane, và biên độ điện áp tần số radio được áp dụng là 100 hoặc 250 V. Trong trường hợp điện áp cao hơn, hai lobe hạt tương đối lớn hình thành do lực kéo ion, trong khi nucleation mới xảy ra trong khoảng trống giữa các lobe này. Nghiên cứu cho thấy lý do mà nucleation mới xảy ra trong khoảng trống liên quan đến sự tương tác giữa nhiều hiện tượng liên kết, bao gồm vận chuyển nanoparticle, hồ sơ tiềm năng plasma, và trapping của các anion silicon hydride thúc đẩy nucleation trong hệ thống này.
Từ khóa
#Mô hình số #plasma argon-silane #nucleation hạt #tăng trưởng hạt #plasma bụi #mô phỏng.Tài liệu tham khảo
Kortshagen U, Bhandarkar U (1999) Phys Rev E 60:887–898
Bhandarkar U, Swihart MT, Girshick SL, Kortshagen U (2000) J Phys D 33:2731–2746
Bhandarkar U, Kortshagen U, Girshick SL (2003) J Phys D 36:1399–1408
De Bleecker K, Bogaerts A, Goedheer W (2006) New J Phys 8:178
Warthesen SJ, Girshick SL (2007) Plasma Chem Plasma Process 27:292–310
Ravi L, Girshick SL (2009) Phys Rev E 79:026408–026409
Agarwal P, Girshick SL (2012) Plasma Sources Sci Technol 21:055023
Gelbard F, Tambour Y, Seinfeld JH (1980) J Coll Interface Sci 76:541–556
Warren DR, Seinfeld JH (1985) Aerosol Sci Technol 4:31–43
Huang DD, Seinfeld JH, Okuyama K (1991) J Coll Interface Sci 141:191–198
Howling AA, Dorier J-L, Hollenstein C (1993) Appl Phys Lett 62:1341–1343
Howling AA, Sansonnens L, Dorier J-L, Hollenstein C (1993) J Phys D 26:1003–1006
Howling AA, Sansonnens L, Dorier J-L, Hollenstein C (1994) J Appl Phys 75:1340–1353
Howling AA, Courteille C, Dorier J-L, Sansonnens L, Hollenstein C (1996) Pure Appl Chem 68:1017–1022
Watanabe Y, Shiratani M, Fukuzawa T, Kawasaki H, Ueda Y, Singh S, Ohkura H (1996) J Vac Sci Technol, A 14:995–1001
Watanabe Y, Shiratani M, Kawasaki H, Singh S, Fukuzawa T, Ueda Y, Ohkura H (1996) J Vac Sci Technol, A 14:540–545
Perrin J, Böhm C, Etemadi R, Lioret A (1994) Plasma Sources Sci Technol 3:252–261
Fridman AA, Boufendi L, Hbid T, Potapkin BV, Bouchoule A (1996) J Appl Phys 79:1303–1314
Gallagher A, Howling AA, Hollenstein C (2002) J Appl Phys 91:5571–5580
Agarwal P (2012) Numerical modeling of plasmas in which nanoparticles nucleate and grow. PhD thesis, University of Minnesota, Minneapolis
Kushner MJ (2009) J Phys D 42:194013
Allen JE (1992) Phys Scripta 45:497–503
Gallagher A (2000) Phys Rev E 62:2690–2706
Bhandarkar UV (2002) Study of particle nucleation and growth in low pressure silane plasmas. PhD thesis, University of Minnesota, Minneapolis
Couedel L, Mikikian M, Samarian AA, Boufendi L (2010) Phys Plasmas 17:083705
Alam MK, Flagan RC (1984) J Coll Interface Sci 97:232–246
Swihart MT, Girshick SL (1999) J Phys Chem B 103:64–76
Belenguer P, Blondeau JP, Boufendi L, Toogood M, Plain A, Bouchoule A, Laure C, Boeuf JP (1992) Phys Rev A 46:7923–7933
Meeks E, Larson RS, Ho P, Apblett C, Han SM, Edelberg E, Aydil ES (1998) J Vac Sci Technol, A 16:544–563
Denysenko I, Stefanovic I, Sikimic B, Winter J, Azarenkov NA, Sadeghi N (2011) J Phys D 44:205204
Ashida S, Lee C, Lieberman MA (1995) J Vac Sci Technol, A 13:2498–2507
Perrin J, Leroy O, Bordage MC (1996) Contrib Plasma Phys 36:3–49
Kushner MJ (1988) J Appl Phys 63:2532–2551
Ho P, Coltrin ME, Breiland WG (1994) J Phys Chem 98:10138–10147
Buss RJ, Ho P, Breiland WG, Coltrin ME (1988) J Appl Phys 63:2808–2819