Nonlinear AC and DC Conductivities in a Two-Subband n-GaAs/AlAs Heterostructure

И. Л. Дричко1, I. Yu. Smirnov1, А. К. Бакаров2, А. А. Быков2, Alexey A. Dmitriev3, Y. M. Galperin4
1Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, 194021, Russia
2Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, 630090, Russia
3ITMO University, St. Petersburg 197101, Russia
4Department of Physics, University of Oslo, P. O. Box 1048, Blindern, Oslo, 0316, Norway

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

V. Polyanovskii, Sov. Phys. Semicond. 22, 1408 (1988).

G. S. Boebinger, H. W. Jiang, L. N. Pfeiffer, and K. W. West, Phys. Rev. Lett. 64, 1793 (1990).

M. E. Raikh and T. V. Shahbazyan, Phys. Rev. B 49, 5531 (1994).

N. S. Averkiev, L. E. Golub, S. A. Tarasenko, and M. Willander, J. Phys.: Condens. Matter 13, 2517 (2001).

O. E. Raichev, Phys. Rev. B 78, 125304 (2008).

D. R. Leadley, R. Fletcher, R. J. Nicholas, F. Tao, C. T. Foxon, and J. J. Harris, Phys. Rev. B 46, 12439 (1992).

A. A. Bykov, D. R. Islamov, A. V. Goran, and A. I. Toropov, JETP Lett. 87, 477 (2008).

G. M. Min’kov, O. E. Rut, A. A. Sherstobitov, S. A. Dvoretski, and N. N. Mikhailov, JETP Lett. 110, 301 (2019).

Y. W. Suen, L. W. Engel, M. B. Santos, M. Shayegan, and D. C. Tsui, Phys. Rev. Lett. 68, 1379 (1992).

X. Y. Lee, H. W. Jiang, and W. J. Schaff, Phys. Rev. Lett. 83, 3701 (1999).

X. C. Zhang, D. R. Faulhaber, and H. W. Jiang, Phys. Rev. Lett. 95, 216801 (2005).

A. A. Bykov, JETP Lett. 88, 64 (2008).

N. C. Mamani, G. M. Gusev, O. E. Raichev, T. E. Lamas, and A. K. Bakarov, Phys. Rev. B 80, 075308 (2009).

S. Wiedmann, G. M. Gusev, O. E. Raichev, A. K. Bakarov, and J. C. Portal, Phys. Rev. B 84, 165303 (2011).

S. Dietrich, S. Byrnes, S. Vikalov, A. V. Goran, and A. A. Bykov, Phys. Rev. B 86, 075471 (2012).

I. L. Drichko, I. Yu. Smirnov, M. O. Nestoklon, A. V. Suslov, D. Kamburov, K. W. Baldwin, L. N. Pfeiffer, K. W. West, and L. E. Golub, Phys. Rev. B 97, 075427 (2018).

A. A. Bykov, I. S. Strygin, A. V. Goran, I. V. Marchishin, D. V. Nomokonov, A. K. Bakarov, S. Abedi, and S. A. Vitkalov, JETP Lett. 109, 400 (2019).

A. A. Dmitriev, I. L. Drichko, I. Yu. Smirnov, A. K. Bakarov, and A. A. Bykov, JETP Lett. 110, 68 (2019).

A. V. Goran, A. A. Bykov, A. I. Toropov, and S. A. Vitkalov, Phys. Rev. B 80, 193305 (2009).

A. A. Bykov, A. V. Goran, and S. A. Vitkalov, Phys. Rev. B 81, 155322 (2010).

W. Mayer, S. Vitkalov, and A. A. Bykov, Phys. Rev. B 96, 045436 (2017).

A. A. Bykov, JETP Lett. 100, 786 (2015).

A. L. Efros, Sov. Phys. JETP 62, 1057 (1985).

G. Ebert, K. von Klitzing, K. Ploog, and G. Weimann, J. Phys. C: Solid State Phys. 16, 5441 (1983).

J. A. Alexander-Webber, A. M. R. Baker, P. D. Buckle, T. Ashley, and R. J. Nicholas, Phys. Rev. B 86, 045404 (2012).

I. L. Drichko, A. M. D’yakonov, V. D. Kagan, A. M. Kreshchuk, T. A. Polyanskaya, I. G. Savel’ev, I. Yu. Smirnov, and A. V. Suslov, Semiconductors 31, 1170 (1997).

I. A. Dmitriev, M. G. Vavilov, I. L. Aleiner, A. D. Mirlin, and D. G. Polyakov, Phys. Rev. B 71, 115316 (2005).

J. Q. Zhang, S. Vitkalov, A. A. Bykov, A. K. Kalagin, and A. K. Bakarov, Phys. Rev. B 75, 081305(R) (2007).

J. Q. Zhang, S. Vitkalov, and A. A. Bykov, Phys. Rev. B 80, 045310 (2009).