Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Phương pháp không phá hủy để xác định điện áp kẹp dòng trong các transistor lưỡng cực tần số vô tuyến và vi sóng công suất lớn
Tóm tắt
Một phương pháp và thuật toán để xác định điện áp kẹp của dòng trong các transistor lưỡng cực tần số vô tuyến và vi sóng công suất lớn được mô tả, dựa trên việc sử dụng sự phụ thuộc của thành phần điện áp biến đổi trên kết nối phát (emitter junction) của transistor vào điện áp thu (collector voltage) mà không sử dụng chế độ "điểm nóng". Các sai số trong việc xác định điện áp kẹp được trình bày, và kết quả của việc thử nghiệm phương pháp bằng cách sử dụng các thiết bị nối tiếp được trình bày.
Từ khóa
#transistor lưỡng cực #điện áp kẹp #tần số vô tuyến #vi sóng #phương pháp không phá hủyTài liệu tham khảo
Xiaohu, Z., Failure mechanism investigation for silicon carbide power devices, Dev. Mater. Reliab., 2006, no. 4, pp. 577–588.
Sinkevich, V.F., Physical principles of assurance of reliability of high power bipolar and field-effect transistors, Elektron. Promyshl., 2003, no. 2, pp. 232–244.
Kerner, B.S., Rubakha, E.A., and Sinkevich, V.F., Method of high-power transistor rejection, SSSR Inventor’s Sertificateno. 619877 G01R31/26, Byull. Izobret., no. 30, 1978.
Kvurt, Ya.A. and Mindlin, N.L., Diagnostic nondestructive testing of high-power circuits, Elektron. Tekh., Ser. 2: Poluprovodn. Prib., 1980, no. 4, pp. 74–79.
Sergeev, V.A., Shirokov, A.A., and Dulov, O.A., Device for high-power transistor rejection, SSSR Inventor’s Sertificateno. 983596, MKI G01 R31/26, Byull. Izobret., no. 47, 1982.
Gusev, V.A. and Kapranov, I.Yu., Nondestructive testing of ‘hot’ region formation in transistor structure, Vestn. SevGTU, Ser. Inform., Elektron., Svyaz, 2008, no. 93, pp. 106–109.
Sergeev, V.A., Dulov, O.A., and Kulikov, A.A., Monitoring of the current-distribution uniformity in bipolar transistors from the dependence of internal-feedback factor on collector voltage, Semiconductors, 2010, Vol. 44, no. 13, pp. 1675–1679.
Sergeev, V.A., Measurement methods and means of thermal parameters of semiconductor devices and integrated circuits, Elektron. Promyshl., 2004, no. 1, pp. 45–48.
Sergeev, V.A. and Kulikov, A.A., Dependence of current localization voltage in high-power bipolar microwave transistor structures from temperature, Abstracts of Papers, Nanoelektronika, nanofotonika i nelineinaya fizika, VII Vserossiiskaya konf. molodykh uchenykh, Saratov, 24–26 sentyabrya 2012 (Proceedings of the 7th AllRussia Conference of Young Scientists on Nanoelectronics, Nanophotonics and Nonlinear Physics, Saratov, September 24–26, 2012), Saratov: Sarat. Univ., 2012, pp. 131–132.