Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Sự khuếch tán Al-Ga không cân bằng trong các cấu trúc bán dẫn dị thể AlGaAs được xử lý nhiệt trong lò phản ứng MOCVD
Tóm tắt
Các cấu trúc dị thể giếng lượng tử AlGaAs-GaAs đã được xử lý nhiệt trong một lò phản ứng MOCVD ở áp suất khí quyển dưới môi trường AsH3/H2. Quang phổ phát quang cho thấy một sự gia tăng đồng đều và có thể tái lập trong khoảng cách năng lượng giếng lượng tử hiệu quả. Dữ liệu dịch chuyển năng lượng chỉ ra rằng sự khuếch tán Al-Ga xảy ra trong điều kiện “không cân bằng”, dẫn đến sự khuếch tán Al-Ga phụ thuộc vào độ sâu, khiến các giếng lượng tử gần bề mặt ít rối loạn hơn so với những giếng xa hơn. Năng lượng kích hoạt thay đổi từ khoảng 5.1–5.2 eV cho trường hợp “cân bằng” đến 3.2–3.6 eV cho trường hợp “không cân bằng”. Những kết quả này cho thấy cần thận trọng khi sử dụng năng lượng kích hoạt đã báo cáo để xác định sự khuếch tán Al-Ga cho việc chế tạo thiết bị quang học.
Từ khóa
#AlGaAs #GaAs #giếng lượng tử #khuếch tán Al-Ga #MOCVD #năng lượng kích hoạt #xử lý nhiệtTài liệu tham khảo
T. Ikegami and H. Kawaguchi, IEEE J. on Selected Areas in Comm.6, 1131 (1988).
D. G. Deppe, L. J. Guido, N. Holonyak, Jr., K. C. Hsieh, R. D. Burnham, R. L. Thornton and T. L. Paoli, Appl. Phys. Lett.49, 510 (1986).
Y. Suzuki, H. Iwamura and O. Mikami, Appl. Phys. Lett.56, 19 (1990).
L. J Guido, N. Holonyak, Jr., K. C. Hsieh, R. W. Kaliski and W. E. Piano, J. Appl. Phys.61, 1372 (1987).
J. Y. Chi, X. Wen, E. S. Koteles and B. Elman, Appl. Phys. Lett.55, 855 (1989).
L. J. Guido, N. Holonyak, Jr., K. C. Hsieh and J. E. Baker, Appl. Phys. Lett.54, 262 (1989).
M. D. Camras, N. Holonyak, Jr., R. D. Burnham, W. Streifer, D. R. Scifres, T. L. Paoli and C. Lindstrom, J. Appl. Phys.54, 5637 (1983).
T. E. Schlesinger and T. Kuech, Appl. Phys. Lett.49, 519 (1986).
M. Kawabe, N. Shimizu, F. Hasegawa and Y. Nannichi, Appl. Phys. Lett.46, 849 (1985).
A. Furuya, O. Wada, A. Takamori and H. Hashimoto, Jpn. J. Appl. Phys.26, L926 (1987).
D. G. Deppe and N. Holonyak, Jr., J. Appl. Phys.64, R93 (1988).
K. B. Kahen, D. L. Peterson, G. Rajeswaran and D. J. Law- rence, Appl. Phys. Lett.55, 651 (1989).