Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Đo lường kích thước tuyến tính của các yếu tố nanorelief silicon với hình dạng gần như chữ nhật bằng cách làm mờ chùm electron của kính hiển vi điện tử quét
Tóm tắt
Các yếu tố nanorelief silicon đơn độc với các chiều rộng khác nhau được nghiên cứu bằng cách sử dụng kính hiển vi điện tử quét (SEM). Từ các đường cong tín hiệu video thu được trong chế độ electron chậm thứ cấp của các phép đo SEM, các phụ thuộc của độ dài các đoạn kiểm tra G
p
(D
ef) và L
p
(D
ef), trong đó D
ef là đường kính hiệu quả của đầu dò SEM, được xác định. Các phụ thuộc được tìm thấy là tuyến tính cho cả bốn phần nhô đơn độc, và khi D
ef tăng lên, độ dài G
p
tăng lên và độ dài L
p
giảm xuống. Đã chỉ ra rằng phương pháp làm mờ đầu dò electron của SEM cung cấp một phương tiện để xác định kích thước tuyến tính của các yếu tố nanorelief có hình dạng gần như chữ nhật bằng cách nội suy các phụ thuộc tuyến tính G
p
(D
ef) và L
p
(D
ef) đến D
ef = 0. Đã xác định rằng đoạn kiểm tra không thay đổi đại diện cho kích thước tuyến tính của một yếu tố relief cụ thể nằm ở mức (sl)aver = 0.80 ± 0.03 cho các yếu tố silicon với các chiều rộng khác nhau.
Từ khóa
Tài liệu tham khảo
Gavrilenko, V.P., Kalnov, V.A., Novikov, Yu.A., Orlikovsky, A.A., Rakov, A.V., Todua, P.A., Valiev, K.A., and Zhikharev, E.N., Measurement of Dimensions of Resist Mask Elements below 100 nm with Help of a Scanning Electron Microscope, Proc. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng., 2009, vol. 7272, 727227.
Novikov, Yu.A., Ozerin, Yu.V., Rakov, A.V., and Todua, P.A., Method for Linear Measurements in the Nanometer Range, Meas. Sci. Technol., 2007, vol. 2, no. 2, pp. 367–374.
Novikov, Yu.A. and Rakov, A.V., Measurements of Submicron Pattern Features on Solid Surfaces with a Scanning Electron Microscope: 2. New Concept of Scanning Electron Microscope-Based Metrology (A Review), Microelectronika, 1996, vol. 25, no. 6, pp. 375–383.