Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Hóa Chất Tẩy Nhẹ Cho Bề Mặt GaN Qua Quá Trình Ôxy Hoá Điện Hóa Gia Tăng Bằng Ánh Sáng Trong Nước Deion
Tóm tắt
Các tính chất của bề mặt GaN được khắc bằng quá trình ôxy hóa điện hóa gia tăng bằng ánh sáng (PEC) với sự hỗ trợ của điện áp trong nước deion và việc loại bỏ vật liệu đã bị oxi hóa sau đó được nghiên cứu thông qua các đi-ốt Schottky chế tạo trên các bề mặt đã khắc. Kết quả cho thấy, với một cuộc tôi nhiệt ngắn ở 700°C sau khi loại bỏ ôxit, có thể đạt được bề mặt tổn thương thấp với đặc tính phân cực và điện dung-điện áp (C-V) gần như lý tưởng. Các đi-ốt Schottky chất lượng tốt được chế tạo trên các bề mặt được khắc đến 120 nm. Cũng đã chứng minh hiện tượng cắt giảm bề mặt có mặt nạ. Vì vậy, với tính chọn lọc khoảng cách năng lượng, khả năng cắt giảm các khu vực có mặt nạ và các bề mặt tổn thương thấp có thể đạt được, quá trình được mô tả trong bài báo này phù hợp cho việc chế tạo các cấu trúc transistor lưỡng cực GaN tự định hướng.
Từ khóa
#GaN #ôxy hóa điện hóa #điện áp #đi-ốt Schottky #bán dẫn #transistor lưỡng cựcTài liệu tham khảo
S.J. Pearton, J.C. Zolper, R.J. Shul, F. Ren (1999) J. Appl. Phys. 86, 1
C.H. Chen, S. Keller, E.D. Haberer, L. Zhang, P. DenBaars, E.L. Hu, U.K. Mishra, Y. Wu (1999) J. Vac. Sci. Technol. B 17, 2755
X.A. Cao, J. Pearton, G.T. Dang, A.P. Zhang, F. Ren, J.M. Hove (2000) IEEE Trans. Electron. Dev. 47, 1320
F.A. Khan, L. Zhou, V. Kumar, I. Adesida (2001) J. Vac. Sci. Technol. B 19, 2926
D. Zhuang, J.H. Edgar (2005) Mar. Sci. Eng. R 48, 1
C. Youtsey I. Adesida L.T. Romana G. Bulman (1998) Appl. Phys. Lett. 72, 560
T. Rotter et al. (2001) Electron. Lett. 37, 715
J.E. Borton, C. Cai, M.I. Nathan, P. Chow, J.M. Van Hove, A. Wowchak, H. Morkoc (2000) Appl. Phys. Lett. 77, 1227
B. Yang, P. Fay (2004) J. Vac. Sci. Technol. B 22, 1750
A.T. Ping, D. Selvanathan, C. Youtsey, E. Piner, J. Redwing, I. Adesida (1999) Electron. Lett. 35, 2140
J.W. Seo, C.S. Oh, H.S. Jeong, J.W. Yang, K.Y. Lim, C.J. Yoon, H.J. Lee (2002) Appl. Phys. Lett. 81, 1029
E.J. Miller, E.T. Yu, P. Waltereit, J.S. Speck (2004) Appl. Phys. Lett. 84, 535
J.W.P. Hsu, M.J. Manfra, R.J. Molnar, B. Heying, J.S. Speck (2002) Appl. Phys. Lett. 81, 79
P. Pipinys, V. Lapeika (2006) J. Appl. Phys. 99, 093709
S. Limpijumnong, C.G. Van de Walle (2004) Phys. Rev. B 69, 035207
C.G. Van de Walle, J. Neugebauer (2004) J. Appl. Phys. 95, 3851
J.M. Hwang, J.T. Hsieh, H.L. Hwang, and W.H. Hung, MRS Int. J. Nitride Semicond. Res. 5, W11.73(2000)
C. Youtsey, L.T. Romano, I. Adesida (1998) Appl. Phys. Lett. 73, 797