Thời gian sống của các hạt mang không cân bằng trong chất bán dẫn từ quan điểm của sự tương tác tập thể trong quá trình tái kết hợp phát quang

Semiconductors - Tập 32 - Trang 332-334 - 1998
S. V. Zaitsev1, A. M. Georgievskii1
1A. F. Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Tóm tắt

Các cấu trúc dị thể laser InGaAsP/InP trong chế độ bơm liên tục đã được nghiên cứu bằng phương pháp tự tương quan. Kết quả cho thấy rằng dưới và trên ngưỡng phát laser, bức xạ laser bao gồm các xung đồng bộ siêu ngắn và độ tương đồng tạm thời của các xung này đã được đo. Sự phụ thuộc của thời gian xung vào dòng bơm cũng đã được điều tra. Các kết quả thu được có thể được giải thích theo khía cạnh của các cộng hưởng tập thể trong quá trình tái kết hợp phát quang. Để giải thích các hiệu ứng quan sát được, thời gian sống của các hạt mang đã được coi là sự kết hợp giữa thời gian tích lũy và thời gian phát xạ tập thể.

Từ khóa

#InGaAsP/InP laser #heterostructures #autocorrelation methods #ultrashort coherent pulses #temporal coherence #pulse duration #pump current #radiative recombination #collective resonances

Tài liệu tham khảo

R. H. Dicke, Phys. Rev. 93, 99 (1054). L. Allen and J. H. Eberly, Optical Resonance and Two-Level Atoms, Wileym, N.Y., 1975. A. I. Gurevich, A. B. Grudinin, A. G. Deryagin, S. V. Zaitsev, V. I. Kuchinskii, D. V. Kuksenkov, E. L. Portnoi, and I. Yu. Khrushchev, Pis’ma Zh. Tekh. Fiz. 18, 38 (1992) [Sov. Tech. Phys. Lett. 18, 74 (1992)]. S. V. Zaitsev and A. M. Georgievski, in Proceedings of the Int. Conf. SPIE on OPTDIM’95, Kiev, 1995, Vol. 2648-50, p. 319. S. V. Zaitsev and A. M. Georgievski, in Proceedings of the International Conference QDS’96, Sapporo, Japan, November 4–7, 1996, published in JJAP, part 1, 36, 4209 (1997). I. S. Tarasov, L. S. Vavilova, N. I. Katsavets, A. V. Lyutetskiy, A. V. Murashova, N. A. Pikhtin, N. A. Bert, and Zh. I. Alferov, in Proceedings of the International Conference on Nanostructures, St. Petersburg, 1996, p. 351. A. M. Georgievskii and S. V. Zaitsev, Prib. Tekh. Éksp. 1, 132 (1996). O. Hess and T. Kugn, Phys. Rev. A 54, 3360 (1996).