Tổng Hợp Diện Tích Lớn Của Phim Graphene Chất Lượng Cao Và Đồng Đều Trên Tấm Đồng

American Association for the Advancement of Science (AAAS) - Tập 324 Số 5932 - Trang 1312-1314 - 2009
Xuesong Li1, Weiwei Cai1, Jinho An1, Seyoung Kim2, Junghyo Nah2, Dejian Yang1, Richard D. Piner1, Aruna Velamakanni1, Inhwa Jung1, Emanuel Tutuc2, Sanjay K. Banerjee2, Luigi Colombo3, Rodney S. Ruoff1
1Department of Mechanical Engineering and the Texas Materials Institute, 1 University Station C2200, The University of Texas at Austin, Austin, TX 78712–0292, USA.
2Department of Electrical and Computer Engineering, Microelectronics Research Center, The University of Texas at Austin, Austin, TX 78758, USA.
3Texas Instruments, Dallas, TX 75243, USA.

Tóm tắt

Phát Triển Graphene

Các mẫu graphene chất lượng cao nhất, là các lớp carbon mỏng bằng một nguyên tử, được tách ra từ graphit. Tuy nhiên, các mẫu này có kích thước rất nhỏ (micromet vuông). Để ứng dụng rộng rãi trong điện tử, cần có các diện tích lớn hơn. Li và cộng sự. (trang. 1312 , xuất bản trực tuyến ngày 7 tháng 5) cho thấy rằng graphene được phát triển theo cách tự giới hạn trên các phim đồng thành các lớp diện tích lớn (một centimet vuông) từ metan thông qua quá trình lắng đọng hóa học hơi. Các phim, chủ yếu là một lớp dày, có thể được chuyển sang các cơ chất khác và có độ linh động điện tử lên tới 4300 centimet vuông trên mỗi volt giây.

Từ khóa

#graphene #tấm đồng #lắng đọng hóa học hơi #điện tử ứng dụng #độ linh động điện tử

Tài liệu tham khảo

10.1038/nmat1849

10.1126/science.1125925

10.1038/nmat2382

10.1038/nmat2166

10.1063/1.2982585

10.1038/nature07719

10.1021/nl801827v

10.1021/nl0728874

10.1063/1.3077021

10.1016/j.sse.2007.10.054

10.1109/LED.2008.2009362

10.1021/nl080649i

10.1126/science.1156965

10.1021/nl072838r

10.1021/jp807380s

10.1021/nl071254m

10.1103/PhysRevLett.97.187401

10.1038/nnano.2008.67

10.1016/0039-6028(79)90330-3

10.1063/1.438736

10.1016/0039-6028(80)90080-1

10.1016/0036-9748(69)90262-2

10.1016/0036-9748(73)90066-5

10.1016/j.scriptamat.2004.03.028

10.1116/1.574174

Thông tin
Thông tin xuất bản

American Association for the Advancement of Science (AAAS)

Tập 324 Số 5932

1312-1314

Thông tin tác giả