Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Động học và phát quang của các điểm lượng tử sulfide cadmium trong kính photphat fluor
Tóm tắt
Kính photphat fluor được kích hoạt bởi các điểm lượng tử sulfide cadmium (QDs) đã được nghiên cứu. Các QDs có kích thước khác nhau (2.8, 3.0 và 3.8 nm đường kính) đã được hình thành nhờ quá trình xử lý nhiệt gần nhiệt độ hình thành kính. Sự thay đổi kích thước QD dẫn đến sự dịch chuyển đỏ của cạnh hấp thụ cơ bản (459 nm) và băng phát quang (859 nm). Một sự phụ thuộc của thời gian sống trạng thái kích thích vào bước sóng ghi trong khoảng 450–700 nm được phát hiện. Nghiên cứu cho thấy rằng việc tăng kích thước QD từ 2.8 đến 3.8 nm làm cho thời gian sống trạng thái kích thích dài hơn. Hiệu suất lượng tử tăng từ 16.3% lên 33.7% cùng với sự gia tăng kích thước QD.
Từ khóa
#quang điểm cadmium sulfide #thủy tinh photphat fluor #kích thước điểm lượng tử #thời gian sống trạng thái kích thích #hiệu suất lượng tửTài liệu tham khảo
A. Rogach, Semiconductor Nanocrystal Quantum Dots: Synthesis, Assembly, Spectroscopy and Application (Springer, Wien, 2008), p. 372.
C. A. Leatherdale, W. K. Woo, F. V. Mikulec, and M. G. Bawendi, J. Phys. Chem. B 106 (31), 7619 (2002).
C. Burda, X. Chen, R. Narayanan, and M. A. El-Sayed, Chem. Rev. 105 (4), 1025 (2005).
A. V. Fedorov, I. D. Rukhlenko, A. V. Baranov, and S. Yu. Kruchinin, Optical Properties of Semiconductor Quantum Dots (Nauka, St. Petersburg., 2011) [in Russian].
S. V. Rempel’, A. A. Razvodov, M. S. Nebogatikov, E. V. Shishkina, V. Ya. Shur, and A. A. Rempel’, Phys. Solid State 55 (3), 624 (2013).
A. Smith, S. Nie, and B. A. Kairdolf, RF Patent No. 2497746 (2013).
D. Talapin and C. Murray, Science 310, 86 (2005).
A. A. Kolobkova. E. V. Lipovskii and V. D. Petrikov, Fiz. Tverd. Tela 40 (5), 862 (1998).
E. V. Kolobkova, N. V. Nikonorov, and V. A. Aseev, Nauchn. Tekh. Vestn. Inf. Tekhnol., Mekh., Opt., No. 5 (81), 1 (2012).
J. L. Martin, R. Riera, and S. A. Cruz, J. Phys.: Cond. Matter 10, 1349 (1998).
k Kim Jae, Kim Jongmin, Lee Junhee, Jung Dae-Ryong, Kim Hoechang, Choi Hongsik, Lee Sungjun, Sujin Byun, Kang Suji, and Park Byungwoo, Nanoscale Res. Lett. 7, 482 (2012).
E. K. Volkova and V. I. Kochubei, Izv. Samarskogo Nauchn. Tsentra Ross. Akad. Nauk 12 (4), 113 (2010).
A. M. Kapitonov, A. P. Stupak, S. V. Gaponenko, E. P. Petrov, A. L. Rogach, and A. Eychmuller, J. Phys. Chem. B 103 (46), 10109 (1999).
K. I. Yumashev, A. N. Malyarevich, N. N. Posnov, V. P. Mikhailov, A. A. Lipovskii, E. V. Kolobkova, and V. D. Petrikov, Kvantovaya Elektron. 25 (8), 735 (1998).
A. I. Ekimov and A. A. Onushchenko, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 10 (7), 1215 (1992).
M. S. Smirnov, O. V. Ovchinnikov, A. G. Vitukhnovsky, S. A. Ambrozhevitch, A. V. Katsaba, and T. S. Shatskikh, Proc. Int. Conf. “Nanomaterials: Applications and Properties,” 2013, Vol. 2, No. 3, p. 3.
A. P. Litvin, P. S. Parfenov, E. V. Ushakova, and A. V. Baranov, Nauchn. Tekh. Vestn. Inf. Tekhnol., Mekh., Opt., No. 5(81), 32 (2012).
W. Yu. William, Ch. Emmanuel, D. Rebekah, and L. Colvin Vicki, Biochem. Biophys. Res. Commun. 348, 781 (2006).