Key scattering mechanisms limiting the lateral transport in a modulation-doped polar heterojunction

citation_author=Jena D.; citation_author=Wood C.; citation_author=Jena D.; citation_publisher=Springer, New York; citation_title=Polarization Effects in Semiconductors; citation_year=2008; citation_pages=161 citation_author=Yao T.; citation_author=Hong S.-K.; citation_publisher=Springer, Berlin-Heidelberg; citation_title=Oxide and Nitride Semiconductors; citation_year=2009; citation_author=Ando T.; citation_author=Fowler A. B.; citation_author=Stern F.; citation_journal_title=Rev. Mod. Phys.; citation_year=1982; citation_volume=54; citation_pages=437 citation_author=Manasreh O.; citation_publisher=John Wiley & Sons, ; citation_title=Introduction to Nanomaterials and Devices; citation_year=2012; citation_author=Dingle R.; citation_author=Störmer H. L.; citation_author=Gossard A. C.; citation_author=Wiegmann W.; citation_journal_title=Appl. Phys. Lett.; citation_year=1978; citation_volume=33; citation_pages=665 citation_author=Quang D. N.; citation_author=Tuoc V. N.; citation_author=Tung N. H.; citation_author=Minh N. V.; citation_author=Phong P. N.; citation_journal_title=Phys. Rev. B; citation_year=2005; citation_volume=72; citation_pages=245303 citation_author=Quang D. N.; citation_author=Tuan L.; citation_author=Tien N. T.; citation_journal_title=Phys. Rev. B; citation_year=2008; citation_volume=77; citation_pages=125326 citation_author=Weimann N. G.; citation_author=Eastman L. F.; citation_author=Doppalapudi D.; citation_author=Ng H. M.; citation_author=Moustakas T. D.; citation_journal_title=J. Appl. Phys.; citation_year=1998; citation_volume=83; citation_pages=3656 citation_author=Ng H. M.; citation_author=Doppalapudi D.; citation_author=Moustakas T. D.; citation_author=Weimann N. G.; citation_author=Eastman L. F.; citation_journal_title=Appl. Phys. Lett.; citation_year=1998; citation_volume=73; citation_pages=821 citation_author=Leung K.; citation_author=Wright A. F.; citation_author=Stechel E. B.; citation_journal_title=Appl. Phys. Lett.; citation_year=1999; citation_volume=74; citation_pages=2495 citation_author=Schaadt D. M.; citation_author=Miller E. J.; citation_author=Yu E. T.; citation_author=Redwing J. M.; citation_journal_title=Appl. Phys. Lett.; citation_year=2001; citation_volume=78; citation_pages=88 citation_author=Jena D.; citation_author=Gossard A. C.; citation_author=Mishra U. K.; citation_journal_title=Appl. Phys. Lett.; citation_year=2000; citation_volume=76; citation_pages=1707 citation_author=Gurusinghe M. N.; citation_author=Andersson T. G.; citation_journal_title=Phys. Rev. B; citation_year=2003; citation_volume=67; citation_pages=235208 citation_author=Zanato D.; citation_author=Gokden S.; citation_author=Balkan N.; citation_author=Ridley B. K.; citation_author=Schaff W. J.; citation_journal_title=Semicond. Sci. Technol.; citation_year=2004; citation_volume=19; citation_pages=427 citation_author=Gurusinghe M. N.; citation_author=Davidsson S. K.; citation_author=Andersson T. G.; citation_journal_title=Phys. Rev. B; citation_year=2005; citation_volume=72; citation_pages=045316 citation_author=Speck J. S.; citation_author=Rosner S. J.; citation_journal_title=Phys. B; citation_year=1999; citation_volume=273–274; citation_pages=24 citation_author=Quang D. N.; citation_author=Tung N. H.; citation_author=Tien N. T.; citation_journal_title=J. Appl. Phys.; citation_year=2011; citation_volume=109; citation_pages=113711 citation_author=Hsu L.; citation_author=Walukiewicz W.; citation_journal_title=J. Appl. Phys.; citation_year=2001; citation_volume=89; citation_pages=1783 citation_author=Keller S.; citation_author=Parish G.; citation_author=Fini P. T.; citation_author=Heikman S.; citation_author=Chen C.-H.; citation_author=Zhang N.; citation_author=DenBaars S. P.; citation_author=Mishra U. K.; citation_author=Wu Y.-F.; citation_journal_title=J. Appl. Phys.; citation_year=1999; citation_volume=86; citation_pages=5850 citation_author=Arulkumaran S.; citation_author=Egawa T.; citation_author=Shikawa H.; citation_author=Jimbo T.; citation_journal_title=J. Vac. Sci. Tecnol. B; citation_year=2003; citation_volume=21; citation_pages=888 citation_author=Miyoshi M.; citation_author=Egawa T.; citation_author=Shikawa H.; citation_journal_title=J. Vac. Sci. Tecnol. B; citation_year=2005; citation_volume=23; citation_pages=1527 citation_author=Köhler K.; citation_author=Müller S.; citation_author=Waltereit P.; citation_author=Pletschen W.; citation_author=Polyakov V.; citation_author=Lim T.; citation_author=Kirste L.; citation_author=Menner H. P.; citation_author=Brückner P.; citation_author=Ambacher O.; citation_author=Buchleim C.; citation_author=Goldhahn R.; citation_journal_title=J. Appl. Phys.; citation_year=2011; citation_volume=109; citation_pages=053705 citation_author=Hsu L.; citation_author=Walukiewicz W.; citation_journal_title=Phys. Rev. B; citation_year=1997; citation_volume=56; citation_pages=1520 citation_author=Antoszewski J.; citation_author=Gracey M.; citation_author=Dell J. M.; citation_author=Faraone L.; citation_author=Fisher T. A.; citation_author=Parish G.; citation_author=Wu Y.-F.; citation_author=Mishra U. K.; citation_journal_title=J. Appl. Phys.; citation_year=2000; citation_volume=87; citation_pages=3900 citation_author=Gold A.; citation_author=Götze W.; citation_journal_title=J. Phys. C; citation_year=1981; citation_volume=14; citation_pages=4049 citation_author=Gold A.; citation_author=Götze W.; citation_journal_title=Phys. Rev. B; citation_year=1986; citation_volume=33; citation_pages=2495 citation_author=Stern F.; citation_author=Howard W. E.; citation_journal_title=Phys. Rev.; citation_year=1967; citation_volume=163; citation_pages=816 citation_author=Gold A.; citation_journal_title=Phys. Rev. B; citation_year=1987; citation_volume=35; citation_pages=723 citation_author=Okuyama Y.; citation_author=Tokuda N.; citation_journal_title=Phys. Rev. B; citation_year=1989; citation_volume=40; citation_pages=9744 citation_author=Ando T.; citation_journal_title=J. Phys. Soc. Jpn.; citation_year=1982; citation_volume=51; citation_pages=3893 citation_author=Ando T.; citation_journal_title=J. Phys. Soc. Jpn.; citation_year=1982; citation_volume=51; citation_pages=3900 citation_author=Tien N. T.; citation_author=Thao D. N.; citation_author=Thao P. T. B.; citation_author=Quang D. N.; citation_journal_title=Phys. B; citation_year=2015; citation_volume=479; citation_pages=62 citation_author=Jonson M.; citation_journal_title=J. Phys. C; citation_year=1976; citation_volume=9; citation_pages=3055 citation_author=Bastard G.; citation_publisher=Les Editions de Physique, Paris; citation_title=Wave Mechanics Applied to Semiconductor Heterostructures; citation_year=1988; citation_author=Ambacher O.; citation_author=Foutz B.; citation_author=Smart J.; citation_author=Shealy J. R.; citation_author=Weimann N. G.; citation_author=Chu K.; citation_author=Murphy M.; citation_author=Sierakowski A. J.; citation_author=Shaff W. J.; citation_author=Eastman L. F.; citation_author=Dimitrov R.; citation_author=Mitchell A.; citation_author=Stutzmann M.; citation_journal_title=J. Appl. Phys.; citation_year=2000; citation_volume=87; citation_pages=334 citation_author=Maeda N.; citation_author=Nishida T.; citation_author=Kobayashi N.; citation_author=Tomizawa M.; citation_journal_title=Appl. Phys. Lett.; citation_year=1998; citation_volume=73; citation_pages=1856 citation_author=Yu T.-H.; citation_author=Brennan K. F.; citation_journal_title=J. Appl. Phys.; citation_year=2001; citation_volume=89; citation_pages=3827 citation_author=Jena D.; citation_author=Heikman S.; citation_author=Speck J. S.; citation_author=Gossard A.; citation_author=Mishra U.; citation_journal_title=Phys. Rev. B; citation_year=2003; citation_volume=67; citation_pages=153306 citation_author=Jena D.; citation_author=Smorchkova Y. P.; citation_author=Elsass C. R.; citation_author=Gossard A. C.; citation_author=Mishra U. K.; citation_author=Miura N.; citation_author=Ando T.; citation_year=2000; citation_pages=771 citation_author=Ando T.; citation_journal_title=J. Phys. Soc. Jpn.; citation_year=1977; citation_volume=43; citation_pages=1616 citation_author=Matsumoto Y.; citation_author=Uemura Y.; citation_journal_title=Jpn. J. Appl. Phys., Suppl.; citation_year=1974; citation_pages=367 citation_author=Fang F. F.; citation_author=Howard W. E.; citation_journal_title=Phys. Rev. Lett.; citation_year=1966; citation_volume=16; citation_pages=797 citation_author=Bernardini F.; citation_author=Fiorentini V.; citation_author=Vanderbilt D.; citation_journal_title=Phys. Rev. B; citation_year=1997; citation_volume=56; citation_pages=R10024 citation_author=Smorchkova I. P.; citation_author=Elsass C. R.; citation_author=Ibbetson J. P.; citation_author=Vetury R.; citation_author=Heying B.; citation_author=Fini P.; citation_author=Haus E.; citation_author=DenBaars S.; citation_author=Spect J. S.; citation_author=Mishra U. K.; citation_journal_title=J. Appl. Phys.; citation_year=1999; citation_volume=86; citation_pages=4520 citation_author=Smorchkova I. P.; citation_author=Chen L.; citation_author=Mates T.; citation_author=Shen L.; citation_author=Heikman S.; citation_author=Moran B.; citation_author=Keller S.; citation_author=DenBaars S. P.; citation_author=Speck J. P.; citation_author=Mishra U. K.; citation_journal_title=J. Appl. Phys.; citation_year=2001; citation_volume=90; citation_pages=5196