Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Nghiên cứu các lớp phim oxit Ga được trưởng thành trực tiếp trên n-type GaN bằng phương pháp oxy hóa quang điện hóa sử dụng laser He-Cd
Tóm tắt
Bằng cách sử dụng laser He-Cd trong dung dịch hóa học H3PO4 với giá trị pH là 3,5, các lớp phim oxit Ga đã được trưởng thành trực tiếp trên n-type GaN. Từ các phép đo phổ tán xạ năng lượng (EDS) và đo nhiễu xạ tia X (XRD), lớp phim oxit Ga trưởng thành được xác định là cấu trúc α-Ga2O3 (104). Có một lượng nhỏ photpho tồn tại và liên kết với oxy trên các lớp phim trưởng thành. Các lớp phim trưởng thành là vô định hình. Từ phân tích XRD, rõ ràng rằng sự hồi annealing của các lớp phim α-Ga2O3 đã dẫn đến sự thay đổi trong vi cấu trúc từ giai đoạn vô định hình sang giai đoạn tinh thể đa. Ngoài ra, các lớp phim mật độ thấp được trưởng thành dần dần trở thành lớp phim có mật độ cao hơn trong quá trình hồi annealing. Hơn nữa, độ nhám bề mặt của các lớp phim đã hồi annealing cũng giảm dần. Các lỗ rỗng lục giác trên các lớp phim trưởng thành đã được quan sát. Mật độ của các lỗ rỗng lục giác tương tự như mật độ khuyết tật của n-type GaN. Từ các hình vi hiển vi điện tử truyền qua (TEM) theo mặt cắt ngang, rõ ràng rằng các lỗ rỗng lục giác có nguồn gốc từ các khuyết tật trong n-type GaN.
Từ khóa
#laser He-Cd #oxit Ga #n-type GaN #phổ tán xạ năng lượng #nhiễu xạ tia X #vi cấu trúc #độ nhám bề mặt #khuyết tật.Tài liệu tham khảo
M.A. Khan, A. Bhattarai, J.N. Kuznia, and D.T. Olson, Appl. Phys. Lett. 63, 1214 (1993).
V. Tilak, B. Green, V. Kaper, H. Kim, T. Prunty, J. Smart, J. Shealy, and L. Eastman, IEEE Electron Dev. Lett. 22, 504 (2001).
H.C. Casey, Jr., G.G. Fountain, R.G. Alley, B.P. Keller, and S.P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 68, 1850 (1996).
B. Gaffey, L.J. Guido, X.W. Wang, and T.P. Ma, IEEE Trans. Electron Dev. 48, 458 (2001).
L.W. Tu, W.C. Kuo, K.H. Lee, P.H. Tsao, C.M. Lai, A.K. Chu, and J.K. Sheu, Appl. Phys. Lett. 77, 3788 (2000).
D.J. Fu, Y.H. Kwon, T.W. Kang, C.J. Park, K.H. Baek, H.Y. Cho, D.H. Shin, C.H. Lee, and K.S. Chung, Appl. Phys. Lett. 80, 446, (2002).
C.T. Lee, H.Y. Lee, and H.W. Chen, IEEE Electron Dev. Lett. 24, 54 (2003).
C.T. Lee, H.W. Chen, and H.Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 82, 4304 (2003).
H.O. Finklea, Semiconductor Electrodes (Netherlands, Amsterdam: Elsevier Science, 1988).
C.D. Tsai and C.T. Lee, J. Appl. Phys. 87, 4230 (2000).
Y.J. Lin, C.D. Tsai, Y.T. Lyu, and C.T. Lee, Appl. Phys. Lett. 77, 687 (2000).
F. Tourtin, P. Armand, A. Ibanez, G. Tourillon, and E. Philiport, Thin Solid Films 322, 85 (1998).