Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Nghiên cứu sự hình thành khuyết tật trong silicon trong quá trình chiếu xạ gamma
Tóm tắt
Các thông số của các trung tâm tái tổ hợp trong các photodiode silicon được nghiên cứu trước và sau khi chiếu xạ gamma. Kỹ thuật nghiên cứu là quang phổ tái tổ hợp mức sâu. Kết quả cho thấy rằng, sau khi chiếu xạ, cả dòng điện thuận và dòng điện nghịch qua tiếp giáp p-n đều tăng, điều này được giải thích bởi sự gia tăng nồng độ các trung tâm tái tổ hợp do sự hình thành các khoảng trống trong quá trình chiếu xạ.
Từ khóa
#silicon #photodiodes #gamma irradiation #tái tổ hợp #khuyết tậtTài liệu tham khảo
Vavilov, V.S. and Ukhin, N.A., Radiatsionnye defekty v poluprovodnikakh i poluprovodnikovykh priborakh (Radiation Effects in Semiconductors and Semiconductors Devices), Moscow: Atomizdat, 1969; New York: Consultants Bureau, 1977.
Borchi, E. and Bruzzi, M., Radiation damage in silicon detectors, Riv. Nuovo Cim., 1994, vol. 17, no. 11, pp. 1–63.
Lefèvre, H., Annealing behavior on trap-centers in silicon containing A-swirl defects, Appl. Phys. A, 1982, vol. 29, no. 2, pp. 105–111.
Sobolev, N.A., Shek, E.I., Kurbakov, A.I., Rubinova, E.E., and Sokolov, A.E., Characterization of vacancy-related defects introduced into silicon during heat treatment by deep-level transient spectroscopy and gamma-ray diffraction techniques, Appl. Phys. A, 1996, vol. 62, no. 3, pp. 259–262.
Chroneos, A., Londos, C., Sgourou, E.N., and Pochet, P., Point defect engineering strategies to suppress A-center formation in silicon, Appl. Phys. Lett., 2011, vol. 99, no. 24, p. 99241901.
Ohyama, H., Shitogiden, H., Takakura, K., et al., J. Mater. Sci.: Mater Electron., 2008, vol. 19, no. 2, pp. 171–173.
Bulyarskiy, S.V., Grushko, N.S., Somov, A.I., and Lakalin, A.V., Recombination in the space charge region and its effect on the transmittance of bipolar transistors, Semiconductors, 1997, vol. 31, no. 9, pp. 983–987.
Bulyarskiy, S.V., Grushko, N.S., and Lakalin, A.V., Differential methods for determination of deep-level parameters from recombination currents of p-n-junctions, Semiconductors, 1998, vol. 32, no. 10, pp. 1065–1068.
Bulyarskiy, S.V., Vorob’ev, M.O., Grushko, N.S., and Lakalin, A.V., Deep-level bulyarskiy recombination spectroscopy in GaP light-emitting diodes, Semiconductors, 1999, vol. 33, no. 6, pp. 668–671.