Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Phản ứng Giao diện Giữa Hàn Eutectic Sn-Pb và Lớp Kim loại Ni Điện Phủ cũng như Ni Không Điện Cực Trong Quá Trình Nung Lại
Tóm tắt
Ni điện phủ (EP-Ni) đã dần được áp dụng như một lớp kim loại dưới bump do có điện trở suất tương đối thấp hơn và tốc độ lắng đọng cao hơn. Trong nghiên cứu này, phản ứng kim loại học giữa hàn eutectic Sn-Pb và EP-Ni cũng như Ni không điện cực (EL-Ni) đã được điều tra ở các nhiệt độ 200°C, 210°C, 220°C và 240°C. Kết quả cho thấy tốc độ tăng trưởng của hợp kim giữa Ni3Sn4 (IMC) trên EP-Ni chậm hơn so với trên EL-Ni. Tốc độ tiêu thụ được đo là 0.97 × 10−3 μm/s và 1.48 × 10−3 μm/s cho EP-Ni và EL-Ni, tương ứng. Năng lượng kích hoạt được xác định là 51 kJ/mol và 48 kJ/mol cho EP-Ni và EL-Ni, tương ứng. Cấu trúc dày đặc của EP-Ni có thể là nguyên nhân cho tốc độ hình thành IMC thấp hơn.
Từ khóa
#EP-Ni #EL-Ni #phản ứng giao diện #hàn eutectic #hợp kim giữa Ni3Sn4Tài liệu tham khảo
R.R. Tummala, E.J. Rymaszewski, and A.G. Klopfenstein, Microelectronics Packaging Handbook, 2nd ed., Part 2, Ch 8. (New York: Chapman & Hall, 1997).
S. K. Kang and V. Ramachandran, Scripta Mater. 14, 421 (1980).
M. O. Alam, Y. C. Chan and K. C. Hung, J. Electron. Mater. 31, 1117 (2002) doi:10.1007/s11664-002-0051-5.
K·H. Prakash and T. Sritharan, J. Electron. Mater. 32, 939 (2003) doi:10.1007/s11664-003-0227-7.
K. N. Tu and K. Zeng, Mater. Sci. and Eng. R 34, 1 (2001).
H. K. Kim, K. N. Tu and P. A. Totta, Appl. Phys. Lett. 68, 2204 (1996) doi:10.1063/1.116013.
K. Zeng and K. N. Tu, Mater. Sci. Eng. R 38,55 (2002).
R.J.K. Wassink, Soldering in Electronics (IOM: Electrochemical Publications, 1984).
P. G. Kim, J. W. Jang, T. Y. Lee and K. N. Tu, J. Appl. Phys. 86, 6746 (1999) doi:10.1063/1.371751.
K. L. Lin and Y. C. Liu, IEEE Trans. Adv. Packag. 22(4), 568 (1999) doi:10.1109/6040.803447.
Z. Mei and R.H. Dauskardt, 1999 MRS Spring Meeting Symposium M, Materails Reliability in Mocroelectronics IX, pp. 1.
C. Y. Lee and K. L. Lin, Thin solid films 249, 201 (1994) doi:10.1016/0040-6090(94)90761-7.
J. W. Jang, P. G. Kim and K. N. Tu, J. Appl. Phys. 85(12), 8456 (1999) doi:10.1063/1.370627.
K. C. Hung, Y. C. Chen, C. W. Tang and H. C. Ong, J. Mater. Res. 15(11), 2534 (2000) doi:10.1557/JMR.2000.0363.
K. C. Hung and Y. C. Chen, J. Mater. Sci. Lett. 19,1755 (2000) doi:10.1023/A:1006735103744.
J. W. Jang, D. R. Peter, T. Y. Lee and K. N. Tu, J. Appl. Phys. 88, 6359 (2000) doi:10.1063/1.1321787.
Y.D. Jeon, K.W. Paik, K.S. Bok, W.S. Choi, and C.L. Cho, IEEE 2001 Electronic Components and Technology Confernce.
M. He, A. Kumar, P. T. Yeo, G. J. Qi and Z. Chen, Thin Solid Films 462–463, 387 (2004) doi:10.1016/j.tsf.2004.05.062.
S. J. Wang, H. J. Kao and C. Y. Liu, J. Electron. Mater. 30(2), 130 (2004).
S. J. Wang and C. Y. Liu, Scripta Mat 49, 813 (2003) doi:10.1016/S1359-6462(03)00486-X.
M. He, W. H. Lau, G. Qi and Z. Chen, Thin Solid Films 462–463, 376 (2004) doi:10.1016/j.tsf.2004.05.058.
C. P. Huang and C. Chen, J. Mater. Res. 20(10), 2772 (2005) doi:10.1557/JMR.2005.0334.
C. S. Huang, J. G. Duh and Y. M. Chen, J. Electron. Mater. 32(12), 1509 (2003) doi:10.1007/s11664-003-0122-2.
G. Ghosh, J. Appl. Phys. 88(11), 6887 (2000) doi:10.1063/1.1321791.
G. Ghosh, Acta Mater. 48, 3719 (2000) doi:10.1016/S1359-6454(00)00165-8.
Y. D. Jeon, K. W. Paik, K. S. Bok, W. S. Choi and C. L. Cho, IEEE 2001 Electronic Components and Technology Conference, San Diego, USA, pp. 1326–1332.
M. He, Z. Chen and G. Qi, Acta Mater. 52, 2047 (2004). doi:10.1016/j.actamat.2003.12.042.
Y. Takaku, X. J. Liu, I. Ohnuma, R. Kainuma, K. Ishida, Mater Trans. 45, 646 (2004) doi:10.2320/matertrans.45.646.
R. H. Dauskardt, F. Haubensak and R. O. Ritchie, Acta Metall. Mater. 38(2), 143 (1990) doi:10.1016/0956-7151(90)90043-G.
H. K. Kim and K. N. Tu, Phys Rev B. 53, 16027 (1996) doi:10.1103/PhysRevB.53.16027.
D. Gur and M. Bamberger, Acta Mater. 46, 4917 (1998) doi:10.1016/S1359-6454(98)00192-X.