Influence of tellurium impurity on the Properties of Ga1−X InXAsYSb1−Y (X>0.22) solid solutions
Tóm tắt
Từ khóa
Tài liệu tham khảo
T. I. Voronina, T. S. Lagunova, E. V. Kunitsyna, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 35, 941 (2001) [Semiconductors 35, 904 (2001)].
T. I. Voronina, B. E. Dzhurtanov, T. S. Lagunova, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (Leningrad) 25, 283 (1991) [Sov. Phys. Semicond. 25, 171 (1991)].
A. N. Baranov, T. I. Voronina, A. N. Dakhno, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (Leningrad) 24, 1072 (1990) [Sov. Phys. Semicond. 24, 676 (1990)].
A. N. Baranov, T. I. Voronina, T. S. Lagunova, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (Leningrad) 23, 780 (1989) [Sov. Phys. Semicond. 23, 490 (1989)].
B. I. Shklovskii and A. L. Éfros, Electronic Properties of Doped Semiconductors (Nauka, Moscow, 1979; Springer-Verlag, New York, 1984).
O. Madelung, Physics of III–V Compounds (Wiley, New York, 1964; Mir, Moscow, 1967).
B. I. Shklovskii and A. L. Éfros, Zh. Éksp. Teor. Fiz. 60, 867 (1971) [Sov. Phys. JETP 33, 468 (1971)].
M. K. Sheikman and A. Ya. Shik, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (Leningrad) 10, 209 (1976) [Sov. Phys. Semicond. 10, 128 (1976)].
A. S. Kyuregyan, I. K. Lazareva, V. M. Stuchebnikov, and A. Yu. Yunovich, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (Leningrad) 6, 242 (1972) [Sov. Phys. Semicond. 6, 208 (1972)].