Influence of Oxygen Vacancies on the Magnetic Properties of Zn1 – xCo x O y Films
Tóm tắt
Tài liệu tham khảo
H. J. Ko, T. Yao, Y. F. Chen, and S. K. J. Hong, J. Appl. Phys. 92, 4354 (2002).
T. Dietl, H. Ohno, and F. Matsukura, Science 287, 1019 (2000).
M. Ivill, S. J. Pearton, S. Rawal, et al., New J. Phys. 10, 065002 (2008).
Y. Z. Peng, T. Liew, T. C. Chong, et al., J. Appl. Phys. 98, 114909 (2005).
D. Chakraborti, S. Ramachandran, G. Trichy, et al., J. Appl. Phys. 101, 053918 (2007).
Q. Liu, C. L. Yuan, C. L. Gan, and G. C. Han, J. Appl. Phys. 101, 073902 (2007).
Q. Liu, C. L. Yuan, C. L. Gan, and H. Guchang, J. Appl. Phys. 110, 033907 (2011).
V. V. Ratnikov, R. N. Kyutt, S. V. Ivanov, et al., Semiconductors 44, 251 (2010).
A. A. Lotin, O. A. Novodvorsky, V. V. Rylkov, D. A. Zuev, et al., Semiconductors 48, 538 (2014).
V. G. Kytin, V. A. Kulbachinskii, D. S. Glebov, et al., Semiconductors 44, 155 (2010).
J. Langer, C. Delerue, M. Lannoo, and H. Heinrich, Phys. Rev. B 38, 7723 (1988).
A. Zunger, Solid State Phys. 39, 275 (1986).
Y. Z. Peng, T. Liewa, and T. C. Chonget, J. Appl. Phys. 98, 114909 (2005).
P. Koidl, Phys. Rev. B 15, 2493 (1977).
S. B. Ogale, Adv. Mater. 22, 3125 (2010).
