Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Laser dị tầng InGaAsSb(Gd)/InAsSbP (λ=3.0–3.3 µm) phục vụ quang phổ laser diode
Tóm tắt
Dữ liệu về dòng ngưỡng, hiệu suất lượng tử khác biệt, phổ phát xạ, điều chỉnh dòng điện và công suất bức xạ của laser dị tầng InGaAsSb(Gd)/InAsSbP với λ=3.0–3.3 µm và chiều dài buồng vọng 70–150 µm trong khoảng nhiệt độ từ 50–107 K được báo cáo. Trong các thí nghiệm, dòng ngưỡng I\n th <10 mA, công suất đầu ra tổng cộng 0.5 mW/mặt, và công suất chế độ đơn 0.43 mW tại 77 K trong chế độ cw đã được thu được. Các laser hoạt động trong chế độ chế độ đơn với dòng điện I≤6 I\n th, độ tinh khiết quang phổ đạt tới 650: 1, tỷ lệ điều chỉnh là 210 cm−1/A, và phạm vi điều chỉnh rộng 10 cm−1. Một ví dụ về phát hiện metan ở 3028.75 cm−1 được trình bày.
Từ khóa
#Laser dị tầng #InGaAsSb #InAsSbP #quang phổ diode #dòng ngưỡng #công suất bức xạTài liệu tham khảo
M. Aidaraliev, N. V. Zotova, S. A. Karandashev, et al., Semicond. Sci. Technol. 8, 1575 (1993).
H. K. Choi, G. W. Turner, and Z. L. Liau, Appl. Phys. Lett. 65(18), 2251 (1994).
A. Rybaltowski, Y. Xiao, D. Wu, et al., Appl. Phys. Lett. 71(17), 2430 (1997).
A. N. Baranov, A. N. Imenkov, V. V. Sherstnev, and Y. P. Yakovlev, Appl. Phys. Lett. 64(19), 2480 (1994).
A. A. Popov, V. V. Sherstnev, and Yu. P. Yakovlev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 32, 1139 (1998) [Semiconductors 32, 1019 (1998)].
N. V. Zotova, S. A. Karandashev, B. A. Matveev, et al., Pis’ma Zh. Tekh. Fiz. 23(1), 72 (1997) [Tech. Phys. Lett. 23, 41 (1997)].
M. Aidaraliev, N. V. Zotova, S. A. Karandashev, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 33(2), 233 (1999) [Semiconductors 33, 200 (1999)].
M. Aidaraliev, N. V. Zotova, S. A. Karandashev, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 33(6), 759 (1999) [Semiconductors 33, 700 (1999)].
M. Aidaraliev, N. V. Zotova, S. A. Karandashev, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 34(4), 124 (2000) [Semiconductors 34, 488 (2000)].
N. V. Zotova, S. A. Karandashev, B. A. Matveev, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 33(8), 1010 (1999) [Semiconductors 33, 920 (1999)].
A. Krier, H. H. Gao, and V. V. Sherstnev, in Abstracts of Third International Conference on Midinfrared Optoelectronics, Materials and Devices, MIOMD III, Aaahen, 1999, p. O 20.
W. W. Bewley, H. Lee, I. Vurgaftman, et al., Appl. Phys. Lett. 76(3), 256 (2000).
Semiconductors and Semimetals, Vol. 22: Lightwave Communications Technology, I. Semiconductor Injection Lasers, Ed. by W. T. Tsang (Academic, New York, 1985; Radio i Svyaz’, Moscow, 1990).
U. P. Schiesl and H. E. Wagner, in Proceedings of the 5th International Symposium on Gas Analysis by Tunable Diode Lasers, VDI Berichte 1366, 251 (1998).