Diode laser InGaAsP/InP / diode siêu phát sáng với các giếng lượng tử không đồng nhất

Hành vi mới của các diode laser (LDs) và diode siêu phát sáng (SLDs) được tạo ra trên các substrat với giếng lượng tử không đồng nhất đã được phát hiện. Các diode laser/ diode siêu phát sáng với giếng lượng tử không đồng nhất đã được thiết kế, chế tạo và đo đạc. Sự phân bố không đồng nhất của các hạt mang điện bên trong nhiều giếng lượng tử cũng đã được xác nhận thực nghiệm. Các đặc điểm đo được cũng cho thấy rằng electron, thay vì lỗ trống, là hạt mang điện chi phối việc phân bố hạt mang điện. Chuỗi giếng lượng tử không đồng nhất cũng đã cho thấy ảnh hưởng đáng kể đến các đặc điểm của thiết bị, cho thấy sự phân bố hạt mang điện rất khác nhau trong mỗi chuỗi.