Improvement in the detection of oxygen in silicon by infra-red absorption

Solid-State Electronics - Tập 12 - Trang 923-925 - 1969
Bernard Pajot1
1Laboratoire d'Infrarouge Chimie Physique Faculté des Sciences de Paris Bâtiment 350 (91) OrsayFrance

Tài liệu tham khảo