Improvement in Lasing Characteristics of GaN-based Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Fabricated Using a GaN Substrate

Applied Physics Express - Tập 2 - Trang 052101
Kunimichi Omae1, Yu Higuchi1, Kyosuke Nakagawa1, Hiroaki Matsumura1, Takashi Mukai1
1Nitride Semiconductor Research Laboratory, Nichia Corporation, 491 Oka, Anan, Tokushima 774-8601, Japan

Tóm tắt

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

Lu, 2008, Appl. Phys. Lett., 92, 141102, 10.1063/1.2908034

Higuchi, 2008, Appl. Phys. Express, 1, 121102, 10.1143/APEX.1.121102

Matsubara, 2008, Science, 319, 445, 10.1126/science.1150413

Song, 2000, Appl. Phys. Lett., 77, 1744, 10.1063/1.1310625

Kelly, 1997, Phys. Status Soldi A, 159, R3, 10.1002/1521-396X(199701)159:1<R3::AID-PSSA99993>3.0.CO;2-F

Wong, 2000, Appl. Phys. Lett., 77, 2822, 10.1063/1.1319505

Kuramoto, 1999, Jpn. J. Appl. Phys., 38, L184, 10.1143/JJAP.38.L184

Nagahama, 2000, Jpn. J. Appl. Phys., 39, L647, 10.1143/JJAP.39.L647

Thông tin
Thông tin xuất bản

Applied Physics Express

Tập 2

052101

Thông tin tác giả