Sự hình thành oxide anod trên các phim TiN_x được phun phản ứng

Hành vi oxi hóa anod của các lớp mỏng nitride titanium được phun phản ứng trên các nền silicon đã được nghiên cứu nhằm thu được các lớp oxynitride ở nhiệt độ phòng. Kết quả cho thấy, sự khác biệt nhỏ trong thành phần hóa học của các lớp nitride titanium có thể dẫn đến những thay đổi lớn trong khả năng phản ứng với oxy. Do đó, có một ảnh hưởng mạnh mẽ của tỷ lệ nguyên tử N/Ti đến động học oxi hóa. Phân tích các lớp mỏng bằng kỹ thuật tán xạ Rutherford và phổ khối ion thứ cấp cho thấy rằng cấu trúc oxide được hình thành bởi một lớp mỏng oxi hóa bên ngoài, bao gồm một hỗn hợp của TiO₂ + TiN_x, tiếp theo là một lớp dày hơn chứa các nguyên tử oxy hòa tan trong lớp nitride titanium đã được nạp trước đó. Sau khi oxi hóa kéo dài, không có nitơ nào được phát hiện trong lớp bề mặt, mà chỉ bao gồm TiO₂. Thú vị thay, độ dày của lớp ngoài gần như không phụ thuộc vào điện áp hình thành và dòng điện anod hóa.