Sự hình thành oxide anod trên các phim TiNx được phun phản ứng

Surface and Interface Analysis - Tập 20 Số 6 - Trang 503-507 - 1993
Ignacio Montero Ruíz1, Carmen Jiménez1, J.M. Albella1, J. Perrière2
1Instituto de Ciencia de Materiales, CSIC, and Departamento de Física Aplicada, Universidad Autónoma, C12, Cantoblanco, 28049 Madrid, Spain
2Groupe de Physique des Solides, Université Paris VII, Tour 23, 2 Place Jussieu, F-75251 Paris Cedex 05, France

Tóm tắt

Tóm tắtHành vi oxi hóa anod của các lớp mỏng nitride titanium được phun phản ứng trên các nền silicon đã được nghiên cứu nhằm thu được các lớp oxynitride ở nhiệt độ phòng. Kết quả cho thấy, sự khác biệt nhỏ trong thành phần hóa học của các lớp nitride titanium có thể dẫn đến những thay đổi lớn trong khả năng phản ứng với oxy. Do đó, có một ảnh hưởng mạnh mẽ của tỷ lệ nguyên tử N/Ti đến động học oxi hóa. Phân tích các lớp mỏng bằng kỹ thuật tán xạ Rutherford và phổ khối ion thứ cấp cho thấy rằng cấu trúc oxide được hình thành bởi một lớp mỏng oxi hóa bên ngoài, bao gồm một hỗn hợp của TiO2 + TiNx, tiếp theo là một lớp dày hơn chứa các nguyên tử oxy hòa tan trong lớp nitride titanium đã được nạp trước đó. Sau khi oxi hóa kéo dài, không có nitơ nào được phát hiện trong lớp bề mặt, mà chỉ bao gồm TiO2. Thú vị thay, độ dày của lớp ngoài gần như không phụ thuộc vào điện áp hình thành và dòng điện anod hóa.

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

10.1116/1.573382

10.1116/1.573679

10.1149/1.2119919

10.1016/0039-6028(91)91147-P

10.1149/1.2115758

10.1016/0168-583X(85)90762-1

10.1149/1.2095631

10.1016/0013-4686(65)87018-9

10.1016/0001-6160(57)90073-1

10.1116/1.583654

10.1016/0040-6090(85)90333-5

10.1063/1.328659

10.1002/sia.740190179

Thông tin
Thông tin xuất bản

Surface and Interface Analysis

Tập 20 Số 6

503-507

Thông tin tác giả