Growth and characterization of device quality GaAs produced by laser-assisted atomic layer epitaxy using triethylgallium

Thin Solid Films - Tập 225 - Trang 115-119 - 1993
Q. Chen1, P.D. Dapkus1
1National Center for Integrated Photonic Technology, Departments of Materials Science and Electrical Engineering, University of Southern California, Los Angeles, CA 90089-0483 USA

Tài liệu tham khảo

Thông tin
Thông tin xuất bản

Thin Solid Films

Tập 225

115-119

Thông tin tác giả