Nội dung được dịch bởi AI, chỉ mang tính chất tham khảo
Đặc trưng và phát triển của siêu mạng GaAs/AlAs với độ dày lớp biến thiên
Tóm tắt
Bài báo này trình bày sự phát triển và tính chất của một siêu mạng (GaAs)n/(AlAs)m có chu kỳ ngắn được sinh ra bằng phương pháp lắng đọng bằng chùm phân tử trên bề mặt GaAs(100). Cấu trúc của siêu mạng với độ dày lớp biến thiên (n∼m = đến 15) đã được nghiên cứu bằng phương pháp nhiễu xạ tia X tinh thể đôi. Đặc biệt chú ý được dành để loại trừ ảnh hưởng của một số tham số; ví dụ, sự không chính xác của sự không phù hợp lattice giữa các lớp AlAs và GaAs, có thể gây ra lỗi trong việc xác định độ dày lớp. Các tính chất điện của siêu mạng đã được nghiên cứu bằng phương pháp phản xạ quang và phát quang quang học. Sự giao thoa băng γ-X được tìm thấy xảy ra tại 13,5 lớp đơn ở 12K.
Từ khóa
#siêu mạng #GaAs #AlAs #lắng đọng bằng chùm phân tử #nhiễu xạ tia X #tính chất điện tửTài liệu tham khảo
K. J. Moore, P. Dawson and C. T. Foxon,Phys. Rev. B 38, 3368 (1988).
J. Ihm,Appl. Phys. Lett. 50, 1068 (1987).
T. Matsuoka, T. Nakazawa, T. Ohya, K. Taniguchi, C. Hamaguchi, H. Kato and Y. Watanabe,Phys. Rev. B 43, 11798 (1991).
H. Fujimoto, C. Hamaguchi, T. Nakazawa, K. Taniguchi, K. Imanishi, H. Kato and Y. Watanabe,Phys. Rev. B 41, 7593 (1990)
Weikun Ge, M. D. Sturge, W. D. Schmidt, L. N. Pfeiffer and K. W. West,Appl. Phys. Lett. 57, 55 (1990).
H. Kato, Y. Okada, M. Nakayama and Y. Watanabe,Solid State Comm. 70, 535 (1989).
R. Cingolani, L. Galdassarre, M. Ferrara, M. Lugara and K. Ploog,Phys. Rev. B 40, 6101 (1989).
M. Nakayama, I. Tanaka, I. Kimura and H. Nishimura,Jpn. J. Appl. Phys. 29, 41 (1990).
S. Takagi,Acta Crystallogr. 15, 1311 (1962); D. Taupin,Bull. Soc. Franc. Miner. Cristallogr. 87, 469 (1964).
For a review of the PR technique see for instance, O. J. Glembocki,SPIEIntl. Conf. on Modulation Spectroscopy, Vol. 1286, eds. F. H. Pollak, M. Cardona and D. E. Aspnes (Bellingham: SPIE, 1990), p. 2.
J. H. Neave, B. A. Joyce, P. J. Dobson and N. Norton,Appl. Phys. A 31, 1 (1983).
P. A. Maki, S. C. Palmateer, A. R. Colawa and B. R. Lee,J. Vac. Sci. Technol. B4, 564 (1986).
Z. R. Wasilewski. G. C. Aers, A. J. SpringThorpe and C. J. Miner,J. Cryst. Growth 111, 70 (1991).
P. F. Fewster and C. J. Curling,J. Appl. Phys. 62, 4154 (1987).
P. Ravila, V. M. Airaksinen, H. Lipsanen and T. Tuomi,J. Cryst. Growth 114, 569 (1991).
P. Auvray, M. Baudet and A. Regreny,J. Cryst. Growth 95, 288 (1989).
I. C. Bassignana, D. A. Macquistan and A. J. SpringThorpe,Intl. Symp. on GaAs and Related Compounds, Seattle, 1991, ed. G. B. Stringfellow, (London: Institute of Physics and Physical Society, 1991), p. 247.
M. S. Goorsky, T. F. Kuech, M. A. Tischler and R. M. Potemski,Appl. Phys. Lett. 59, 2269 (1991).
B. K. Tanner, A. G. Turnbull, C. R. Stanley, A. H. Kean and M. McElhinney,Appl. Phys. Lett. 59, 2272 (1991).
W. B. Pearson,A Handbook of Lattice Spacings and Structure of Metals and Alloys (Oxford-London: Pergamon-Press, 1967).
D. E. Aspnes,Handbook on Semiconductors, Vol. 2, ed. M. Balkanski (New York: North Holland, 1980), p. 109.