Graphen: Hiện Trạng và Triển Vọng

American Association for the Advancement of Science (AAAS) - Tập 324 Số 5934 - Trang 1530-1534 - 2009
A. K. Geǐm1
1Manchester Centre for Mesoscience and Nanotechnology, University of Manchester, Oxford Road, Manchester, M13 9PL, UK

Tóm tắt

Mở Rộng Vùng Đất Phẳng Kể từ sau khi được phát hiện và cô lập cách đây khoảng 5 năm, nghiên cứu về graphene đã phát triển mạnh mẽ. Các tấm nguyên tử carbon, chỉ dày một nguyên tử, thể hiện hàng loạt các tính chất — cơ học, quang học và điện học — khiến nó trở thành một bệ thử nghiệm lý tưởng để thăm dò các vấn đề cơ bản trong vật lý, đồng thời mở đường cho nhiều ứng dụng khác nhau. Geim (trang 1530 ), người phát hiện ra vật liệu đặc biệt này, đánh giá các tiến bộ gần đây và thảo luận về những phát triển khác có thể xuất hiện đối với vật liệu này.

Từ khóa

#graphene #vật liệu #phát triển #ứng dụng #nghiên cứu

Tài liệu tham khảo

A. Barth W. Marx http://arxiv.org/abs/0808.3320 (2008).

10.1038/nmat1849

10.1103/RevModPhys.81.109

Special edition: Exploring Graphene—Recent Research Advances S. Das Sarma A. K. Geim P. Kim A. H. MacDonald Eds. Solid State Commun. 143 issues 1–2 (2007).

10.1038/nnano.2008.215

10.1038/nature06016

10.1088/0953-8984/9/1/004

10.1038/nature05545

10.1021/nl801827v

10.1038/nature07719

10.1103/PhysRevB.77.193401

10.1038/nmat2382

10.1038/nmat2003

10.1103/PhysRevLett.100.176802

10.1103/PhysRevLett.101.267601

10.1103/PhysRevD.78.096009

10.1103/PhysRevLett.99.246802

A. Shytov D. Abanin L. Levitov http://arxiv.org/abs/0812.4970 (2008).

10.1038/nphys1198

10.1103/PhysRevLett.102.026807

10.1103/PhysRevB.79.115434

10.1126/science.1154663

10.1103/PhysRevB.79.075426

10.1103/PhysRevLett.98.206805

10.1126/science.1150878

C. W. J. Beenakker H. van Houten in Semiconductor Heterostructures and Nanostructures H. Ehrenreich D. Turnbull Eds. (Academic New York 1991) pp. 1–228.

V. M. Pereira A. H. Castro Neto N. M. R. Peres http://arxiv.org/abs/0811.4396 (2008).

10.1103/PhysRevB.78.121401

10.1038/nmat1967

10.1126/science.1167130

10.1103/PhysRevB.75.153401

10.1021/nl8023092

10.1126/science.1157996

10.1021/nl0731872

W. Bao et al . http://arxiv.org/abs/0903.0414 (2009).

10.1021/nl801412y

10.1021/nl801457b

10.1021/nl803316h

10.1021/nl072838r

10.1126/science.1136836

10.1038/nmat2331

10.1021/nl801774a

Zheng Y., et al.., Appl. Phys. Lett. 94, 163505 (2009).