Quan hệ Tổng quát cho Quá trình Oxy hóa Nhiệt của Silicon
Tóm tắt
Sự động học của quá trình oxy hóa nhiệt của silicon được khảo sát một cách chi tiết. Dựa trên một mô hình đơn giản về quá trình oxy hóa, mô hình này xem xét các phản ứng diễn ra tại hai ranh giới của lớp oxit cũng như quá trình khuếch tán, mối quan hệ tổng quát x02+Ax0=B(t+τ) được rút ra. Mối quan hệ này cho thấy sự phù hợp xuất sắc với dữ liệu oxy hóa thu được trên một dải nhiệt độ rộng (700°–1300°C), áp suất một phần (0.1–1.0 atm) và độ dày oxit (300–20 000 Å) cho cả chất oxy hóa là oxy và nước. Các tham số A, B, và τ được chứng minh là có liên quan đến hằng số vật lý-hóa học của phản ứng oxy hóa theo cách được tiên đoán. Phân tích chi tiết này cũng dẫn đến thông tin thêm về bản chất của các loài được vận chuyển cũng như ảnh hưởng của điện tích không gian lên giai đoạn đầu của quá trình oxy hóa.
Từ khóa
#oxy hóa nhiệt #silicon #động học #lớp oxit #khuếch tán #phản ứng #nhiệt độ #áp suất #oxit độ dày #oxy hóa #đặc trưng vật lý-hóa học.Tài liệu tham khảo
1948, Rept. Progr. Phys., 12, 163
1924, Trans. Electrochem. Soc., 46, 247
1961, Nature, 171, 701