Xử lý và chế tạo bằng chùm electron và chùm ion hỗ trợ khí

Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena - Tập 26 Số 4 - Trang 1197-1276 - 2008
Ivo Utke1, P. Hoffmann2, J. Melngailis3
1Swiss Federal Institute of Materials Testing and Research EMPA, , Feuerwerkerstrasse 39, CH-3602 Thun, Switzerland
2Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne Advanced Photonics Laboratory, , CH-1015 Lausanne, Switzerland
3University of Maryland Department of Electrical and Computer Engineering, Institute for Research in Electronics and Applied Physics, , College Park, Maryland 20742

Tóm tắt

Chùm electron và ion hiện nay thường được tập trung đến kích thước trong phạm vi nanomet. Vì các chùm này có thể được sử dụng để thay đổi vật liệu tại điểm tác động trên bề mặt, chúng đại diện cho các công cụ chế tạo nano trực tiếp. Các tác giả sẽ tập trung vào chế tạo trực tiếp thay vì lithography, là phương pháp gián tiếp sử dụng trung gian là vật liệu nhạy sáng. Trong trường hợp cả ion và electron, việc thêm hoặc loại bỏ vật liệu có thể được thực hiện bằng cách sử dụng khí tiền chất. Bên cạnh đó, ion cũng có thể thay đổi vật liệu qua quá trình phun (mài), qua sự thiệt hại, hoặc nhờ cấy ghép. Nhiều quy trình loại bỏ và lắng đọng vật liệu sử dụng khí tiền chất đã được phát triển cho nhiều ứng dụng thực tiễn, chẳng hạn như sửa chữa mặt nạ, cấu trúc lại và sửa chữa mạch, cũng như cắt mẫu. Các tác giả cũng sẽ thảo luận về các cấu trúc được chế tạo cho mục đích nghiên cứu hoặc để trình diễn khả năng xử lý. Trong nhiều trường hợp, kích thước tối thiểu mà các quy trình này có thể đạt được lớn hơn đáng kể so với đường kính của chùm. Các cơ chế ở cấp độ nguyên tử chịu trách nhiệm về việc kích hoạt khí tiền chất vẫn chưa được nghiên cứu chi tiết trong nhiều trường hợp. Các tác giả sẽ xem xét trình trạng công nghệ hiện tại và mức độ hiểu biết về chế tạo bằng chùm ion và electron trực tiếp và chỉ ra một số vấn đề chưa được giải quyết.

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

1988, J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 895, 10.1116/1.584318

1934, Phys. Rev., 45, 0488, 10.1103/PhysRev.45.488

1953, Proc. Phys. Soc. London, Sect. B, 66, 542, 10.1088/0370-1301/66/7/303

1954, Br. J. Appl. Phys., 5, 27, 10.1088/0508-3443/5/1/307

1965, Lab. Invest., 14, 1134

1965, Lab. Invest., 14, 1140

1976, Appl. Phys. Lett., 29, 596, 10.1063/1.89155

1960, J. Appl. Phys., 31, 1680, 10.1063/1.1735915

1984, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 23, L706, 10.1143/JJAP.23.L706

1986, J. Vac. Sci. Technol. B, 4, 299, 10.1116/1.583317

1988, J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 477, 10.1116/1.584045

1973, J. Vac. Sci. Technol., 10, 1127

1975, J. Vac. Sci. Technol., 12, 1209, 10.1116/1.568497

1974, 125

1975, J. Vac. Sci. Technol., 12, 1208, 10.1116/1.568496

1978, Nucl. Instrum. Methods, 149, 739, 10.1016/0029-554X(78)90961-8

2002, Proc. SPIE, 4688, 375, 10.1117/12.472312

2004, J. Vac. Sci. Technol. B, 22, 2902, 10.1116/1.1808711

2006, Crit. Rev. Solid State Mater. Sci., 31, 55, 10.1080/10408430600930438

2006, Electron-Beam-Induced Nanometer-Scale Deposition

2007, MRS Bull., 32, 408, 10.1557/mrs2007.64

2007, MRS Bull., 32, 389, 10.1557/mrs2007.62

2007, MRS Bull., 32, 417, 10.1557/mrs2007.65

2007, MRS Bull., 32, 400, 10.1557/mrs2007.63

2007, MRS Bull., 32, 424, 10.1557/mrs2007.66

2007, Crit. Rev. Solid State Mater. Sci., 32, 1, 10.1080/10408430601187624

2007, IEICE Trans. Electron., E90C, 25, 10.1093/ietele/e90-c.1.25

2006, Chimia, 60, A735, 10.2533/chimia.2006.735

2005, Small, 1, 924, 10.1002/smll.200500113

2005, Microelectron. Eng., 78–79, 266

2001, J. Micromech. Microeng., 11, 287, 10.1088/0960-1317/11/4/301

1987, J. Vac. Sci. Technol. B, 5, 469, 10.1116/1.583937

2005, Introduction to Focused Ion Beams: Instrumentation, Theory, Techniques and Practice

2003, High Resolution Focused Ion Beams

2003, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process., 76, 1017, 10.1007/s00339-002-1943-1

2006, Microelectron. Eng., 83, 1225, 10.1016/j.mee.2006.01.105

1986, J. Vac. Sci. Technol. B, 4, 189, 10.1116/1.583435

1992, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B, 63, 120, 10.1016/0168-583X(92)95180-Y

1988, J. Phys. D: Appl. Phys., 21, 1835, 10.1088/0022-3727/21/12/031

2006, J. Vac. Sci. Technol. B, 24, 2871, 10.1116/1.2357967

2000, J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 3194, 10.1116/1.1320797

2004, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 43, 3767, 10.1143/JJAP.43.3767

1984, J. Phys. E, 17, 296, 10.1088/0022-3735/17/4/011

1998, Scanning Electron Microscopy: Physics of Image Formation and Microanalysis, 2nd ed.

2006, J. Vac. Sci. Technol. B, 24, 2956, 10.1116/1.2387158

2007

2002, J. Microsc., 208, 24, 10.1046/j.1365-2818.2002.01062.x

1986, Appl. Phys. Lett., 48, 659, 10.1063/1.96735

1987, J. Electrochem. Soc., 134, 1536, 10.1149/1.2100704

1988, J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 2090, 10.1116/1.584117

2007, Phys. Status Solidi A, 204, 1665, 10.1002/pssa.200675337

2003, 3rd ed., 586

2007, Microelectron. Eng., 84, 779, 10.1016/j.mee.2007.01.059

1988, J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 2057, 10.1116/1.584111

1991, J. Appl. Phys., 70, 665, 10.1063/1.349671

1989, J. Vac. Sci. Technol. B, 7, 609, 10.1116/1.584803

2000, J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 3190, 10.1116/1.1321761

1996, Microelectron. Reliab., 36, 1779, 10.1016/0026-2714(96)00196-5

2002, Microelectron. Reliab., 61–62, 693

1986, J. Vac. Sci. Technol. B, 5, 427, 10.1116/1.583919

2006, Microelectron. Eng., 83, 784, 10.1016/j.mee.2006.01.035

1994, Appl. Phys. Lett., 64, 1448, 10.1063/1.111912

1996, J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 662, 10.1116/1.589154

2005, J. Vac. Sci. Technol. B, 23, 2825, 10.1116/1.2101732

1994, J. Vac. Sci. Technol. B, 12, 73, 10.1116/1.587111

1968, Ion Bombardment of Solids, 41

1988, J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 1039, 10.1116/1.584345

1972, Thin Solid Films, 13, 81, 10.1016/0040-6090(72)90158-7

1974, J. Appl. Phys., 45, 707, 10.1063/1.1663306

1993, J. Phys. D, 26, 2266, 10.1088/0022-3727/26/12/026

Flügge, 1956, Handbuch der Physik, 232

2001, J. Appl. Phys., 89, 718, 10.1063/1.1331645

2002, J. Appl. Phys., 92, 6128, 10.1063/1.1513205

1986, J. Appl. Phys., 59, 1418, 10.1063/1.336493

2005, J. Microsc., 217, 235, 10.1111/j.1365-2818.2005.01448.x

1980, Nucl. Instrum. Methods, 174, 257, 10.1016/0029-554X(80)90440-1

1996, Mikrochim. Acta, Suppl., 13, 485

1965, Phys. Rev., 138, A336, 10.1103/PhysRev.138.A336

1965, Phys. Rev., 138, A305, 10.1103/PhysRev.138.A305

1965, Phys. Rev., 138, A322, 10.1103/PhysRev.138.A322

1932, Ann. Phys., 14, 531, 10.1002/andp.19324060506

1987, J. Microsc., 147, 51, 10.1111/j.1365-2818.1987.tb02817.x

1995, Monte Carlo Modeling for Electron Microscopy and Microanalysis

1991, J. Vac. Sci. Technol. B, 9, 2664, 10.1116/1.585668

2001, Microelectron. Eng., 57–58, 263

2007, Appl. Phys. Lett., 90, 053106, 10.1063/1.2435611

2006, Appl. Phys. Lett., 88, 031906, 10.1063/1.2158516

2005, Nano Lett., 5, 1303, 10.1021/nl050522i

2004, Fundamental Electron Interactions with Plasma Processing Gases, 1st ed.

2007, Phys. Chem. Chem. Phys., 9, 3163, 10.1039/b704656a

1992, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 31, 2919, 10.1143/JJAP.31.2919

2000, Phys. Plasmas, 7, 1421, 10.1063/1.873960

1965, J. Phys. Chem., 69, 1618, 10.1021/j100889a029

1964, Inorg. Chem., 3, 699, 10.1021/ic50015a023

1965, J. Organomet. Chem., 4, 190, 10.1016/S0022-328X(00)94158-5

1965, J. Phys. Chem., 69, 3198, 10.1021/j100893a520

1965, Inorg. Chem., 4, 157, 10.1021/ic50024a006

1967, J. Am. Chem. Soc., 89, 3653, 10.1021/ja00990a062

2004, Microelectron. Eng., 73–74, 553

2003, Phys. Chem. Chem. Phys., 5, 268, 10.1039/b206731e

2004, Int. J. Mass. Spectrom., 233, 267, 10.1016/j.ijms.2003.12.030

2006, Surf. Interface Anal., 38, 1702, 10.1002/sia.2429

2003, Low Temp. Phys., 29, 202, 10.1063/1.1542441

2007, J. Micro/Nanolith. MEMS MOEMS, 111, 303

1967, Z. Angew. Math. Phys., 22, 69

1999, J. Appl. Phys., 85, 3368, 10.1063/1.369690

1998, Appl. Phys. Lett., 72, 341, 10.1063/1.120730

1991, Surf. Sci., 257, 9, 10.1016/0039-6028(91)90774-M

1986, Science, 234, 316, 10.1126/science.234.4774.316

1968, Surf. Sci., 11, 61, 10.1016/0039-6028(68)90039-3

1978, Phys. Rev. Lett., 40, 964, 10.1103/PhysRevLett.40.964

1978, Phys. Rev. B, 18, 6531, 10.1103/PhysRevB.18.6531

1964, J. Chem. Phys., 41, 3311, 10.1063/1.1725730

1964, Can. J. Phys., 42, 886, 10.1139/p64-083

1985, J. Vac. Sci. Technol. B, 3, 367, 10.1116/1.583265

1984, Appl. Phys. Lett., 45, 589, 10.1063/1.95292

1984, Phys. Rev. B, 30, 400, 10.1103/PhysRevB.30.400

1995, Microsc. Microanal. Microstruct., 6, 345, 10.1051/mmm:1995125

1990, Scanning Microsc. Suppl., 4, 185

1994, Surf. Sci., 300, 824, 10.1016/0039-6028(94)90700-5

1997, Vacuum, 48, 585, 10.1016/S0042-207X(97)00030-4

2004, Micron, 35, 399, 10.1016/j.micron.2004.02.003

1976, J. Phys. D, 9, 659, 10.1088/0022-3727/9/4/016

2003, Appl. Phys. Lett., 82, 1108, 10.1063/1.1555691

2004, Nat. Mater., 3, 153, 10.1038/nmat1076

2004, Nano Lett., 4, 109, 10.1021/nl034946t

2006, Appl. Phys. Lett., 89, 113108, 10.1063/1.2352723

2005, Surf. Interface Anal., 37, 444, 10.1002/sia.2032

1996, At. Data Nucl. Data Tables, 62, 149, 10.1006/adnd.1996.0005

1981, Sputtering by Particle Bombardment. Physical Sputtering of Single Element Solids, 145

1992, J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 2675, 10.1116/1.586024

1995, J. Vac. Sci. Technol. B, 13, 2565, 10.1116/1.588395

1998, Appl. Surf. Sci., 135, 129, 10.1016/S0169-4332(98)00285-2

1990, Proc. SPIE, 1263, 12, 10.1117/12.20141

1997, J. Vac. Sci. Technol. B, 15, 2346, 10.1116/1.589643

2003, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process., 76, 545, 10.1007/s00339-002-1890-x

2007, Nanotechnology, 18, 265307, 10.1088/0957-4484/18/26/265307

2007, Nanotechnology, 18, 245303, 10.1088/0957-4484/18/24/245303

2007, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B, 255, 309, 10.1016/j.nimb.2006.11.116

2005, Nanotechnology, 16, 2764, 10.1088/0957-4484/16/12/003

2007, J. Appl. Phys., 102, 044308, 10.1063/1.2771044

1968, Can. J. Phys., 46, 587, 10.1139/p68-073

2002, J. Vac. Sci. Technol. B, 20, 2682, 10.1116/1.1521736

1981, Sputtering by Particle Bombardment. Physical Sputtering of Single Element Solids, 145

1987, J. Phys. Colloq., 48, 65, 10.1051/jphyscol:1987627

1989, J. Vac. Sci. Technol. B, 7, 1810, 10.1116/1.584463

2003, J. Vac. Sci. Technol. B, 21, 2334, 10.1116/1.1619421

2001, Thin Solid Films, 398, 560, 10.1016/S0040-6090(01)01318-9

1999, J. Vac. Sci. Technol. B, 17, 362, 10.1116/1.590564

1986, J. Vac. Sci. Technol. B, 4, 176, 10.1116/1.583373

2007, Microelectron. Eng., 84, 1540, 10.1016/j.mee.2007.01.206

2006, Prog. Surf. Sci., 81, 247, 10.1016/j.progsurf.2006.03.003

2005, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B, 229, 348, 10.1016/j.nimb.2004.12.129

2005, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B, 239, 286, 10.1016/j.nimb.2005.07.178

2003, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A, 506, 250, 10.1016/S0168-9002(03)01368-8

2006, J. Vac. Sci. Technol. B, 24, 836, 10.1116/1.2184325

2006, J. Vac. Sci. Technol. B, 24, 1766, 10.1116/1.2210000

1991, J. Vac. Sci. Technol. A, 9, 2785, 10.1116/1.577199

Lafferty, 1998, Foundations of Vacuum Science and Technology

1994, The Chemistry of Metal CVD

2001, Chem. Vap. Deposition, 7, 33, 10.1002/1521-3862(200101)7:1<33::AID-CVDE33>3.0.CO;2-Y

2005, J. Chem. Thermodynamics, 37, 377, 10.1016/j.jct.2004.10.002

1990, J. Vac. Sci. Technol. B, 8, 1826, 10.1116/1.585167

2002, Thin Solid Films, 409, 147, 10.1016/S0040-6090(02)00118-9

1993, J. Phys. Chem. Ref. Data, 22, 783, 10.1063/1.555926

1995, Thermochim. Acta, 265, 129, 10.1016/0040-6031(95)02403-O

1992, Vacuum Engineering Calculations, Formulas, and Solved Exercises

1909, Ann. Phys., 28, 75, 10.1002/andp.19093330106

1976, Rarefied Gas Dyn., 10, 261

2006, Microelectron. Eng., 83, 1499, 10.1016/j.mee.2006.01.136

2004, Proc. SPIE, 5567, 467, 10.1117/12.570268

2006

2005, Microelectron. Eng., 78–79, 307

2005, Scanning, 27, 293, 10.1002/sca.4950270604

1987, J. Vac. Sci. Technol. A, 5, 3386, 10.1116/1.574201

2004, Appl. Phys. Lett., 84, 3441, 10.1063/1.1736314

2004, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process., 78, 543, 10.1007/s00339-003-2394-z

1986, Microelectron. Eng., 5, 423, 10.1016/S0167-9317(01)00635-9

1989, J. Appl. Phys., 66, 870, 10.1063/1.343512

1985, Surf. Sci., 160, 419, 10.1016/0039-6028(85)90784-8

2005, Microelectron. Eng., 78–79, 300

2001, Surf. Sci., 482, 312, 10.1016/S0039-6028(00)01019-0

1938, J. Am. Chem. Soc., 60, 309, 10.1021/ja01269a023

1995, Prog. Surf. Sci., 49, 265, 10.1016/0079-6816(95)00039-2

1998, React. Kinet. Catal. Lett., 39, 229

1990, J. Am. Chem. Soc., 112, 988, 10.1021/ja00159a014

2004, Scanning, 26, 226, 10.1002/sca.4950260503

1995, Phys. Rev. E, 52, 5156, 10.1103/PhysRevE.52.5156

1999, J. Appl. Phys., 86, 4949, 10.1063/1.371464

1999, J. Vac. Sci. Technol. A, 17, 1445, 10.1116/1.581911

2000, Surf. Sci., 459, L451, 10.1016/S0039-6028(00)00510-0

1993, Science, 262, 1249, 10.1126/science.262.5137.1249

1995, Ultramicroscopy, 60, 411, 10.1016/0304-3991(95)00077-1

2005, Adv. Eng. Mater., 7, 323, 10.1002/adem.200500061

2006, Appl. Phys. Lett., 89, 02102, 10.1063/1.2219398

1995, J. Electron Microsc., 44, 331

2002, Proc. SPIE, 4689, 206, 10.1117/12.473459

2002, J. Vac. Sci. Technol. B, 20, 3044, 10.1116/1.1523023

2003, J. Vac. Sci. Technol. B, 21, 2985, 10.1116/1.1624255

2005, J. Appl. Phys., 97, 124312, 10.1063/1.1942627

1994, J. Phys. D: Appl. Phys., 27, 1363, 10.1088/0022-3727/27/7/004

2002, Appl. Phys. Lett., 81, 3245, 10.1063/1.1517180

1976, Phys. Rev. A, 13, 2287, 10.1103/PhysRevA.13.2287

2003, Philos. Trans. R. Soc. London, Ser. A, 361, 291, 10.1098/rsta.2002.1144

2006, Adv. Eng. Mater., 8, 711, 10.1002/adem.200600026

2006, J. Mater. Sci., 41, 2577, 10.1007/s10853-006-7783-1

1989, Microelectron. Eng., 9, 251, 10.1016/0167-9317(89)90059-2

2007, J. Vac. Sci. Technol. B, 25, 2219, 10.1116/1.2789441

1971, Optik (Jena), 33, 296

1994, Scanning, 16, 101, 10.1002/sca.4950160207

1978, Ultramicroscopy, 3, 169, 10.1016/S0304-3991(78)80023-0

1991, Izv. Akad. Nauk. SSSR, Fiz. Zemli, 55, 1523

1993, Scanning, 15, 212, 10.1002/sca.4950150406

1963, J. Phys. Chem., 67, 1784, 10.1021/j100803a010

1993, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 32, 6168, 10.1143/JJAP.32.6168

Jayadevaiah, 1974, Surface Science: Recent Progress and Perspectives, 104

2006, J. Vac. Sci. Technol. A, 24, 431, 10.1116/1.2187995

1986, J. Appl. Phys., 60, 2182, 10.1063/1.337173

1988, J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 1542, 10.1116/1.584211

1993, J. Vac. Sci. Technol. B, 11, 2012, 10.1116/1.586535

1996, J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 3920, 10.1116/1.588695

2006, Nanotechnology, 17, 2722, 10.1088/0957-4484/17/11/002

1993, Appl. Phys. Lett., 62, 3043, 10.1063/1.109133

2007, J. Appl. Phys., 101, 054309, 10.1063/1.2437667

2008, Nanotechnology, 19, 025303, 10.1088/0957-4484/19/02/025303

1997, J. Vac. Sci. Technol. A, 15, 3104, 10.1116/1.580853

2006, Scanning, 28, 204, 10.1002/sca.4950280402

2005, J. Appl. Phys., 98, 084905, 10.1063/1.2085307

1993, Nanotechnology, 4, 163, 10.1088/0957-4484/4/3/006

2004, J. Electrochem. Soc., 151, C535, 10.1149/1.1765680

1994, Mikroelektronika, 23, 287

2003, Appl. Phys. Lett., 82, 3514, 10.1063/1.1575506

2004, Appl. Phys. Lett., 85, 2352, 10.1063/1.1794369

2005, Surf. Interface Anal., 37, 261, 10.1002/sia.1978

2004, J. Microsc., 214, 76, 10.1111/j.0022-2720.2004.01307.x

2005, Appl. Surf. Sci., 241, 56, 10.1016/j.apsusc.2004.09.016

2003, Appl. Phys. Lett., 83, 2064, 10.1063/1.1611274

1991, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 30, 3266, 10.1143/JJAP.30.3266

2006, Microelectron. Eng., 83, 1468, 10.1016/j.mee.2006.01.155

2006, J. Vac. Sci. Technol. B, 24, 618, 10.1116/1.2170099

2007, Nanotechnology, 18, 265308, 10.1088/0957-4484/18/26/265308

2007, J. Appl. Phys., 101, 054307, 10.1063/1.2437065

J. Appl. Phys.

1993, J. Vac. Sci. Technol. B, 11, 2219, 10.1116/1.586460

1993, J. Microelectromech. Syst., 2, 30, 10.1109/84.232592

1992, Ultramicroscopy, 42, 1519, 10.1016/0304-3991(92)90476-Z

2001, Microelectron. Eng., 57–58, 953

2003, Appl. Phys. Lett., 83, 4005, 10.1063/1.1626261

1994, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 33, 7099, 10.1143/JJAP.33.7099

2003, Microsc. Microanal., 9, 912, 10.1017/S1431927603444565

2006, J. Vac. Sci. Technol. B, 24, 678, 10.1116/1.2178372

1963, Z. Angew. Phys., 15, 116

2007, J. Vac. Sci. Technol. A, 25, 551, 10.1116/1.2718958

1982, J. Am. Chem. Soc., 104, 6590, 10.1021/ja00388a019

1992, Ultrasonics, 30, 168, 10.1016/0041-624X(92)90068-W

2000, Adv. Mater. Opt. Electron., 10, 223, 10.1002/1099-0712(200005/10)10:3/5<223::AID-AMO411>3.0.CO;2-M

2002, J. Phys. Chem. Ref. Data, 31, 537, 10.1063/1.1475333

2003, J. Phys. Chem. Ref. Data, 32, 519, 10.1063/1.1529214

T. Bret, Ph.D. thesis, EPFL, 2005.

1994, Appl. Surf. Sci., 76, 11, 10.1016/0169-4332(94)90315-8

2002, Semicond. Sci. Technol., 17, 1096, 10.1088/0268-1242/17/10/311

1993, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 32, 6147, 10.1143/JJAP.32.6147

1989, J. Vac. Sci. Technol. B, 7, 1954, 10.1116/1.584655

2004, 3

2004, Surf. Sci., 571, 128, 10.1016/j.susc.2004.07.053

2002, Rev. Sci. Instrum., 73, 3302, 10.1063/1.1499542

2007, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B, 257, 758, 10.1016/j.nimb.2007.01.077

1983, Appl. Phys. Lett., 43, 777, 10.1063/1.94502

1995, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 34, 5904, 10.1143/JJAP.34.5904

1996, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 35, 6570, 10.1143/JJAP.35.6570

1988, Phys. Rev. B, 38, 3943, 10.1103/PhysRevB.38.3943

2003, Thin Solid Films, 434, 106, 10.1016/S0040-6090(03)00461-9

1998, Inorg. Chem., 37, 6638, 10.1021/ic981022d

1998, J. Am. Chem. Soc., 120, 5233, 10.1021/ja980404f

2005, Surf. Sci., 583, 1, 10.1016/j.susc.2005.03.063

1984, Thin Solid Films, 122, 243, 10.1016/0040-6090(84)90051-8

1989, J. Vac. Sci. Technol. B, 7, 1182, 10.1116/1.584570

1997, J. Vac. Sci. Technol. B, 15, 2809, 10.1116/1.589733

1997, Microelectron. Eng., 35, 273, 10.1016/S0167-9317(96)00105-0

1997, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 36, 7686, 10.1143/JJAP.36.7686

1998, Nanotechnology, 9, 108, 10.1088/0957-4484/9/2/012

1999, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 38, 7135, 10.1143/JJAP.38.7135

1986, Appl. Phys. Lett., 49, 196, 10.1063/1.97168

1994, J. Vac. Sci. Technol. B, 12, 2976, 10.1116/1.587545

1992, J. Appl. Phys., 71, 1475, 10.1063/1.351241

2002, J. Phys. Chem. B, 106, 1386, 10.1021/jp013239q

1970, J. Less-Common Met., 22, 327, 10.1016/0022-5088(70)90083-4

1988, J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 1869, 10.1116/1.584190

1988, Appl. Phys. Lett., 53, 1492, 10.1063/1.100465

1989, J. Vac. Sci. Technol. B, 7, 1959, 10.1116/1.584656

1989, 531

2005, Appl. Surf. Sci., 249, 110, 10.1016/j.apsusc.2004.11.060

1976, J. Vac. Sci. Technol., 13, 228, 10.1116/1.568857

1967, J. Appl. Phys., 38, 2851, 10.1063/1.1710012

1964, Appl. Phys. Lett., 4, 166, 10.1063/1.1754016

1978, Surf. Sci., 72, 678, 10.1016/0039-6028(78)90353-9

1987, Appl. Phys. Lett., 50, 962, 10.1063/1.97999

1987, J. Vac. Sci. Technol. B, 5, 427, 10.1116/1.583919

1988, J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 1557, 10.1116/1.584214

2005, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 44, 5627, 10.1143/JJAP.44.5627

2005, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 44, 5631, 10.1143/JJAP.44.5631

2006, J. Mater. Sci., 41, 2667, 10.1007/s10853-006-7868-x

2005, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 44, 5635, 10.1143/JJAP.44.5635

2008, Small, 6, 841, 10.1002/smll.200701095

2005, High Energy Chem., 39, 65, 10.1007/s10733-005-0015-4

1989, Appl. Surf. Sci., 43, 54, 10.1016/0169-4332(89)90190-6

1993, J. Appl. Phys., 74, 7588, 10.1063/1.354985

1991, J. Vac. Sci. Technol. B, 9, 3483, 10.1116/1.585828

1998, Vib. Spectrosc., 18, 141, 10.1016/S0924-2031(98)00057-5

2002, Appl. Phys. Lett., 80, 4792, 10.1063/1.1489097

2002, 307

2005, Appl. Phys. Lett., 86, 042503, 10.1063/1.1856134

2002, J. Vac. Sci. Technol. A, 20, 1295, 10.1116/1.1481040

1985, Surf. Sci., 149, 460, 10.1016/0039-6028(85)90075-5

1978, Surf. Sci., 77, 193, 10.1016/0039-6028(78)90001-8

1986, Appl. Surf. Sci., 27, 299, 10.1016/0169-4332(86)90135-2

1977, Surf. Sci., 67, 393, 10.1016/0039-6028(77)90002-4

1967, Angew. Chem., 6, 53, 10.1002/anie.196700531

2007, J. Vac. Sci. Technol. B, 25, 2228, 10.1116/1.2794071

2004, J. Vac. Sci. Technol. B, 22, 1803, 10.1116/1.1761266

2006, J. Vac. Sci. Technol. B, 24, 3165, 10.1116/1.2395962

2000, J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 3168, 10.1116/1.1319690

2000, 171

2004, J. Cryst. Growth, 265, 619, 10.1016/j.jcrysgro.2004.02.006

2006, Microelectron. Eng., 83, 1482, 10.1016/j.mee.2006.01.146

1998, Appl. Organomet. Chem., 12, 161, 10.1002/(SICI)1099-0739(199803)12:3<161::AID-AOC689>3.0.CO;2-6

1987, J. Vac. Sci. Technol. B, 5, 1427, 10.1116/1.583629

2004, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process., 79, 1869, 10.1007/s00339-004-2952-z

2005, Ultramicroscopy, 103, 17, 10.1016/j.ultramic.2004.11.011

2005, Appl. Phys. Lett., 86, 183104, 10.1063/1.1922576

1996, Scanning, 18, 114, 10.1002/sca.1996.4950180205

1995, J. Vac. Sci. Technol. B, 13, 1364, 10.1116/1.587854

2006, J. Vac. Sci. Technol. B, 24, 3144, 10.1116/1.2388965

1989, Proc. SPIE, 1089, 18, 10.1117/12.968510

2007, Thin Solid Films, 515, 6791, 10.1016/j.tsf.2007.02.029

2005, Appl. Surf. Sci., 242, 107, 10.1016/j.apsusc.2004.08.005

1951, J. Am. Chem. Soc., 73, 5501, 10.1021/ja01155a566

2005, J. Vac. Sci. Technol. B, 23, 3174, 10.1116/1.2130355

1990, J. Appl. Phys., 68, 4820, 10.1063/1.346140

1988, Bull. Acad. Sci. USSR, Phys. Ser. (Engl. Transl.), 37, 2068, 10.1007/BF00953406

2007, Chem. Vap. Deposition, 13, 176, 10.1002/cvde.200606583

2007, Proc. SPIE, 6533, 65331Q, 10.1117/12.736918

1991, J. Vac. Sci. Technol. B, 9, 169, 10.1116/1.585281

1992, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B, 72, 183, 10.1016/0168-583X(92)95233-H

1955, Z. Naturforsch. B, 10, 665, 10.1515/znb-1955-1201

2004, J. Phys. Chem. A, 108, 11292, 10.1021/jp0462714

1992

1997, J. Vac. Sci. Technol. B, 15, 785, 10.1116/1.589409

1992, Chem. Mater., 4, 162, 10.1021/cm00019a032

2007, J. Chem. Thermodyn., 39, 594, 10.1016/j.jct.2006.09.001

2004, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 43, 1833, 10.1143/JJAP.43.1833

2003, Appl. Phys. Lett., 83, 4426, 10.1063/1.1629382

2000, Appl. Phys. Lett., 76, 3319, 10.1063/1.126638

2000, J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 976, 10.1116/1.591310

1992, J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 2695, 10.1116/1.586028

1991, J. Vac. Sci. Technol. B, 9, 162, 10.1116/1.585279

2007, Microelectron. Eng., 84, 784, 10.1016/j.mee.2007.01.055

1988, Pure Appl. Chem., 60, 1225, 10.1351/pac198860081225

1989, J. Vac. Sci. Technol. B, 7, 1816, 10.1116/1.584465

2000, Microelectron. Eng., 53, 261, 10.1016/S0167-9317(00)00311-7

1989, J. Vac. Sci. Technol. B, 7, 941

1993, J. Vac. Sci. Technol. B, 11, 2386, 10.1116/1.586991

2005, J. Vac. Sci. Technol. B, 23, 2403, 10.1116/1.2122847

1996, J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 3887, 10.1116/1.588687

1993, J. Vac. Sci. Technol. B, 11, 2195, 10.1116/1.586455

2004, J. Vac. Sci. Technol. B, 22, 3000, 10.1116/1.1826065

1996, Microelectron. Eng., 30, 539, 10.1016/0167-9317(95)00304-5

2006, J. Vac. Sci. Technol. B, 24, 587, 10.1116/1.2170096

1995, J. Vac. Sci. Technol. B, 13, 2576, 10.1116/1.588026

1997, 223

1998, J. Vac. Sci. Technol. B, 16, 3311, 10.1116/1.590497

1986, Microelectron. Eng., 5, 163, 10.1016/S0167-9317(00)00443-3

2005, Proc. SPIE, 5925, 1

2006, Nanotechnology, 17, 3779, 10.1088/0957-4484/17/15/028

1996, J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 2609, 10.1116/1.588994

1995, Appl. Phys. Lett., 66, 2080, 10.1063/1.113909

2003, Nano Lett., 3, 1499, 10.1021/nl0257972

1997, J. Vac. Sci. Technol. A, 15, 2677, 10.1116/1.580942

2006, J. Mater. Sci., 41, 4532, 10.1007/s10853-006-0091-y

2006, Nanotechnology, 17, 3637, 10.1088/0957-4484/17/15/003

2005, Appl. Phys. Lett., 87, 013103, 10.1063/1.1968435

2007, J. Vac. Sci. Technol. B, 25, 2233, 10.1116/1.2798746

1989, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 28, 2372, 10.1143/JJAP.28.2372

1979, J. Microsc., 117, 321, 10.1111/j.1365-2818.1979.tb04689.x

1997, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 36, 7691, 10.1143/JJAP.36.7691

2006, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 45, L71, 10.1143/JJAP.45.L71

2005

1979, J. Appl. Phys., 50, 3189, 10.1063/1.326355

2005, J. Appl. Phys., 98, 034902, 10.1063/1.1991976

1992, J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 2729, 10.1116/1.585992

1999, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 4

2005, J. Vac. Sci. Technol. B, 23, 206, 10.1116/1.1848107

2005, Appl. Surf. Sci., 252, 311, 10.1016/j.apsusc.2004.11.090

1987, J. Vac. Sci. Technol. B, 5, 423, 10.1116/1.583918

1990, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 29, 2288, 10.1143/JJAP.29.2288

1993, J. Vac. Sci. Technol. B, 11, 234, 10.1116/1.586708

1997, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 36, 7712, 10.1143/JJAP.36.7712

1991, J. Vac. Sci. Technol. B, 9, 2660, 10.1116/1.585667

2007, J. Vac. Sci. Technol. B, 25, 2175, 10.1116/1.2804607

2007, Appl. Surf. Sci., 253, 8969, 10.1016/j.apsusc.2007.05.026

1992, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 31, 4465, 10.1143/JJAP.31.4465

1993, 593

1994, Microelectron. Eng., 24, 43, 10.1016/0167-9317(94)90053-1

1999, J. Vac. Sci. Technol. B, 17, 3058, 10.1116/1.590954

2005, Microelectron. Eng., 78-79, 29, 10.1016/j.mee.2004.12.089

1988, J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 989, 10.1116/1.584294

2003, J. Vac. Sci. Technol. B, 21, 3067, 10.1116/1.1624253

2008, Angew. Chem., Int. Ed., 47, 3496, 10.1002/anie.200800506

2000, Chem. Commun., 14, 1317

1986, Appl. Phys. Lett., 48, 1748, 10.1063/1.96823

1986, Appl. Phys. Lett., 49, 1661, 10.1063/1.97259

2007, Nanotechnology, 18, 465602, 10.1088/0957-4484/18/46/465602

2004, J. Vac. Sci. Technol. B, 22, 2504, 10.1116/1.1800356

2002, J. Vac. Sci. Technol. B, 20, 2695, 10.1116/1.1526665

Bushan, 2008, Applied Scanning Probe Methods VIII, 10.1007/978-3-540-74080-3

2004, Microelectron. Eng., 76, 175, 10.1016/j.mee.2004.07.047

2007

2007, J. Vac. Sci. Technol. B, 25, 2210, 10.1116/1.2804603

1995, Thin Solid Films, 258, 333, 10.1016/0040-6090(94)06399-0

2001, J. Vac. Sci. Technol. B, 19, 2834, 10.1116/1.1417545

2003, J. Vac. Sci. Technol. B, 21, 2728, 10.1116/1.1627806

2006, Adv. Eng. Mater., 8, 155, 10.1002/adem.200500254

2003, Microelectron. Eng., 67-68, 963, 10.1016/S0167-9317(03)00160-6

2000, J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 3216, 10.1116/1.1319687

2005, J. Vac. Sci. Technol. B, 23, 3101, 10.1116/1.2062428

1993, J. Vac. Sci. Technol. B, 11, 2427, 10.1116/1.586999

Nawotec

2006, J. Vac. Sci. Technol. B, 24, 2755, 10.1116/1.2393245

2004, Proc. SPIE, 5567, 456, 10.1117/12.569210

2003, Proc. SPIE, 5130, 383, 10.1117/12.504061

2003, Semicond. Sci. Technol., 18, 199, 10.1088/0268-1242/18/4/302

2000, Appl. Phys. Lett., 76, 909, 10.1063/1.125626

1990, J. Vac. Sci. Technol. A, 8, 429, 10.1116/1.576413

Nanotools

2002, Appl. Phys. Lett., 80, 4623, 10.1063/1.1485307

1995, Appl. Phys. Lett., 67, 3732, 10.1063/1.115365

2006, Scanning, 28, 311, 10.1002/sca.4950280603

1988, Appl. Phys. Lett., 53, 842, 10.1063/1.100089

2004, J. Appl. Phys., 96, 3983, 10.1063/1.1788844

2003, J. Vac. Sci. Technol. B, 21, 2990, 10.1116/1.1624259

1995, Nanotechnology, 6, 35, 10.1088/0957-4484/6/2/001

2004, Nanotechnology, 15, 1131, 10.1088/0957-4484/15/9/005

2006, J. Mater. Sci., 41, 2627, 10.1007/s10853-006-7825-8

2005, Nanotechnology, 16, 1321, 10.1088/0957-4484/16/8/057

2002, J. Appl. Phys., 92, 1078, 10.1063/1.1487918

1999, Ultramicroscopy, 76, 187, 10.1016/S0304-3991(98)00075-8

2001, Microelectron. Eng., 57–58, 737

2001, J. Vac. Sci. Technol. B, 19, 2856, 10.1116/1.1420580

2002, Rev. Sci. Instrum., 73, 3901, 10.1063/1.1511801

Namba, 1992, Science and Technology of Mesoscopic Structures, 10.1007/978-4-431-66922-7

2002, Nanotechnology, 13, 179, 10.1088/0957-4484/13/2/310

1999, IEEE Trans. Magn., 35, 2544, 10.1109/20.800885

1998, IEEE Trans. Magn., 34, 1471, 10.1109/20.706586

2003, Mater. Sci. Eng., C, 23, 747, 10.1016/j.msec.2003.09.146

2004, Appl. Phys. Lett., 85, 6260, 10.1063/1.1842352

1991, J. Vac. Sci. Technol. B, 9, 2648, 10.1116/1.585664

2001, Microelectron. Eng., 57–58, 995

2002, Science, 297, 820, 10.1126/science.1071895

2004, Microelectron. Eng., 73–74, 412

2007, Appl. Phys. Lett., 91, 121112, 10.1063/1.2786600

1998, Nature (London), 391, 667, 10.1038/35570

2006, Meas. Sci. Technol., 17, 943, 10.1088/0957-0233/17/5/S01

2006, Microelectron. Eng., 83, 1805, 10.1016/j.mee.2006.01.176

2005, Appl. Phys. Lett., 87, 241101, 10.1063/1.2138348

2006, Appl. Phys. Lett., 88, 122116, 10.1063/1.2189030

1998, Chem. Vap. Deposition, 4, 92, 10.1002/(SICI)1521-3862(199805)04:03<92::AID-CVDE92>3.0.CO;2-C

1997, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 36, 1619, 10.1143/JJAP.36.L1619

1997, Appl. Surf. Sci., 113–114, 269

1995, J. Vac. Sci. Technol. B, 13, 2400, 10.1116/1.588008

1996, J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 4105, 10.1116/1.588600

2003, 811

2005, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 44, 5683, 10.1143/JJAP.44.5683

2006, Phys. Status Solidi A, 203, 282, 10.1002/pssa.200521292

1999, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B, 148, 25, 10.1016/S0168-583X(98)00812-X

2004, Appl. Phys. Lett., 85, 49, 10.1063/1.1765736

2004, Nanotechnology, 15, 1047, 10.1088/0957-4484/15/8/033

2006, J. Vac. Sci. Technol. B, 24, 2306, 10.1116/1.2348731

2007, Microelectron. Eng., 84, 789, 10.1016/j.mee.2007.01.113

2004, Nano Lett., 4, 2059, 10.1021/nl0492133

2006, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.), 18, 290, 10.1002/adma.200501832

2006, J. Appl. Phys., 100, 024306, 10.1063/1.2215354

2005, Appl. Phys. Lett., 86, 192112, 10.1063/1.1927714

2003, J. Vac. Sci. Technol. B, 21, 2737, 10.1116/1.1630329

1998, Nanotechnology, 9, 104, 10.1088/0957-4484/9/2/011

2005, J. Vac. Sci. Technol. B, 23, L1, 10.1116/1.1872015

2007, J. Magn. Magn. Mater., 310, 2752, 10.1016/j.jmmm.2006.10.1036

1998, J. Vac. Sci. Technol. B, 16, 2898, 10.1116/1.590291

1994, J. Vac. Sci. Technol. B, 12, 3699, 10.1116/1.587643

1992, Appl. Phys. Lett., 60, 68, 10.1063/1.107376

2007, Nat. Mater., 6, 723, 10.1038/nmat1996

2007, Appl. Phys. Lett., 90, 023103, 10.1063/1.2430680

2004, J. Vac. Sci. Technol. B, 22, 3539, 10.1116/1.1824050

2006, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 45, L711, 10.1143/JJAP.45.L711

1998, J. Vac. Sci. Technol. B, 16, 862, 10.1116/1.589921

1997, J. Vac. Sci. Technol. B, 15, 1535, 10.1116/1.589394

1996, Microelectron. Eng., 30, 471, 10.1016/0167-9317(95)00290-1

2004, J. Vac. Sci. Technol. B, 22, 1266, 10.1116/1.1669652

2004, J. Vac. Sci. Technol. B, 22, 1402, 10.1116/1.1689310

2003, J. Vac. Sci. Technol. B, 21, 1598, 10.1116/1.1569932

2001, J. Vac. Sci. Technol. B, 19, 933, 10.1116/1.1349205

2000, 967

1998, Microelectron. Eng., 41–42, 453

1996, 657

1996, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 35, 6623, 10.1143/JJAP.35.6623

1994, Microelectron. Eng., 23, 477, 10.1016/0167-9317(94)90199-6

1995, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A, 363, 1, 10.1016/0168-9002(95)00147-6

1997, J. Vac. Sci. Technol. B, 15, 1369, 10.1116/1.589540

1995, J. Vac. Sci. Technol. B, 13, 461, 10.1116/1.588333

1996, 458

2001, Microelectron. Eng., 57–58, 1009

2005, Appl. Phys. Lett., 86, 183106, 10.1063/1.1922568

2002, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A, 483, 488, 10.1016/S0168-9002(02)00367-4

2007, J. Vac. Sci. Technol. B, 25, 1310, 10.1116/1.2756550

2005, J. Vac. Sci. Technol. B, 23, 781, 10.1116/1.1875332

2005, J. Vac. Sci. Technol. B, 23, 759, 10.1116/1.1884117

1997, Microelectron. Eng., 35, 401, 10.1016/S0167-9317(96)00210-9

2003, Electrochem. Solid-State Lett., 6, C1, 10.1149/1.1523692

2004, J. Electrochem. Soc., 151, G175, 10.1149/1.1643744

2003, 79

2006, Nanotechnology, 17, 5363, 10.1088/0957-4484/17/21/013

1999, Appl. Phys. Lett., 74, 1916, 10.1063/1.123712

1990, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 29, L1360, 10.1143/JJAP.29.L1360

1989, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 28, L515, 10.1143/JJAP.28.L515

1991, Semicond. Sci. Technol., 6, 699, 10.1088/0268-1242/6/7/025

1992, Appl. Phys. Lett., 60, 1833, 10.1063/1.107179

2004, J. Vac. Sci. Technol. B, 22, 22, 10.1116/1.1633281

2003, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 42, 3874, 10.1143/JJAP.42.3874

2005, Appl. Phys. Lett., 87, 173116, 10.1063/1.2117608

2002, Appl. Phys. Lett., 81, 1919, 10.1063/1.1504486

2002, Appl. Phys. Lett., 80, 2574, 10.1063/1.1467701

2000, Science, 287, 637, 10.1126/science.287.5453.637

2005, J. Appl. Phys., 98, 014905, 10.1063/1.1940138

2007, Nanotechnology, 18, 205503, 10.1088/0957-4484/18/20/205503

2006, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.), 18, 874, 10.1002/adma.200501807

2007, Nano Lett., 7, 75, 10.1021/nl0621286

2005, Appl. Phys. Lett., 86, 053109, 10.1063/1.1857081

2001, Nanotechnology, 12, 331, 10.1088/0957-4484/12/3/322

2005, J. Vac. Sci. Technol. B, 23, 298, 10.1116/1.1849211

2006, Microelectron. Eng., 83, 1221, 10.1016/j.mee.2005.12.022

2004, J. Vac. Sci. Technol. B, 22, 3137, 10.1116/1.1826063

2006, Compos. Sci. Technol., 66, 1112, 10.1016/j.compscitech.2005.11.030

2006, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 45, 5556, 10.1143/JJAP.45.5556

2003, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B, 206, 472, 10.1016/S0168-583X(03)00798-5

2006, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.), 18, 427, 10.1002/adma.200501991

2006, J. Vac. Sci. Technol. B, 24, 2538, 10.1116/1.2359730

2006, Langmuir, 22, 10711, 10.1021/la061321c

2001, Nature (London), 412, 166, 10.1038/35084037

2008, Appl. Phys. Lett., 92, 043124, 10.1063/1.2839334

2006, Microelectron. Eng., 83, 1642, 10.1016/j.mee.2006.01.217

2008, Nanotechnology, 19, 225305, 10.1088/0957-4484/19/22/225305

2007, Photonics Spectra, 41, 68

2006, Scanning, 28, 63

2001, J. Vac. Sci. Technol. B, 19, 2520, 10.1116/1.1421562

1998, J. Vac. Sci. Technol. B, 16, 927, 10.1116/1.590052

2007, Proc. SPIE, 6730, 6730033

1997, J. Vac. Sci. Technol. B, 15, 2382, 10.1116/1.589652

1972, J. Phys. D: Appl. Phys., 5, 43, 10.1088/0022-3727/5/1/308

2004, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom., 136, 265, 10.1016/j.elspec.2004.04.003

2004, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B, 219, 1027, 10.1016/j.nimb.2004.01.208

Thông tin
Thông tin xuất bản

Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena

Tập 26 Số 4

1197-1276

Thông tin tác giả