GaInNAs: A Novel Material for Long-Wavelength-Range Laser Diodes with Excellent High-Temperature Performance

Japanese Journal of Applied Physics - Tập 35 Số 2S - Trang 1273 - 1996
Masahiko Kondow1, K. Uomi2, A. Niwa2, T. Kitatani2, S. Watahiki2, Y. Yazawa2
1RWCP Optoelectronics Hitachi Laboratory, c/o Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd.,
2Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-Koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185,Japan

Tóm tắt

We propose a novel material, GaInNAs, that can be formed on GaAs to drastically improve the temperature characteristics (T 0) in long-wavelength-range laser diodes. The feasibility of our proposal is demonstrated experimentally.

Từ khóa


Tài liệu tham khảo

Thông tin
Thông tin xuất bản

Japanese Journal of Applied Physics

Tập 35 Số 2S

1273

Thông tin tác giả