Finite time of carrier energy relaxation as a cause of optical-power limitation in semiconductor lasers

J. K. Wade, L. J. Mawst, D. Botez, and J. A. Morris, Electron. Lett. 34, 1100 (1998).

J. Sebastian, G. Beister, F. Bugge, et al., IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 7, 334 (2001).

X. He, S. Srinivasan, S. Wilson, et al., Electron. Lett. 34, 2126 (1998).

A. Al-Muhanna, L. J. Mawst, D. Botez, et al., Appl. Phys. Lett. 73, 1182 (1998).

F. Bugge, G. Erbert, J. Fricke, et al., Appl. Phys. Lett. 79, 1965 (2001).

N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, et al., Electron. Lett. 40, 1413 (2004).

D. Z. Garbuzov, R. J. Menna, R. U. Martinelli, et al., Electron. Lett. 33, 1635 (1997).

E. G. Golikova, V. A. Kureshov, A. Yu. Leshko, et al., Pis’ma Zh. Tekh. Fiz. 26(20), 40 (2000) [Tech. Phys. Lett. 26, 913 (2000)].

N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, and I. S. Tarasov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 38, 374 (2004) [Semiconductors 38, 360 (2004)].

S. O. Slipchenko, D. A. Vinokurov, N. A. Pikhtin, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 38, 1477 (2004) [Semiconductors 38, 1430 (2004)].

D. Z. Garbuzov, A. V. Ovchinnikov, N. A. Pikhtin, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (Leningrad) 25, 928 (1991) [Sov. Phys. Semicond. 25, 560 (1991)].

N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, and M. A. Ivanov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 28, 1983 (1994) [Semiconductors 28, 1094 (1994)].

B. S. Ryvkin and E. A. Avrutin, J. Appl. Phys. 97, 123103 (2005).

B. S. Ryvkin and E. A. Avrutin, J. Appl. Phys. 97, 113106 (2005).

L. V. Asryan, N. A. Gun’ko, A. S. Polkovnikov, et al., Semicond. Sci. Technol. 15, 1131 (2000).

G. G. Zegrya and I. Yu. Solov’ev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 39, 636 (2005) [Semiconductors 39, 603 (2005)].

E. G. Golikova, V. A. Kureshov, A. Yu. Leshko, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 34, 886 (2000) [Semiconductors 34, 853 (2000)].

D. A. Vinokurov, S. A. Zorina, V. A. Kapitonov, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 39, 388 (2005) [Semiconductors 39, 370 (2005)].

Al-Muhanna, A. Mawst, L. J. Botez, et al., in Proceedings of Lasers and Electro-Optics Society Annual Meeting, LEOS’97 (1997), Conf. Proc. IEEE, Vol. 2, p. 205.

J. G. Kim, L. Shterengas, R. U. Martinelli, et al., Appl. Phys. Lett. 81, 3146 (2002).

A. A. Chelny, M. Sh. Kobyakova, and P. G. Eliseev, IEEE J. Quantum Electron. 40, 113 (2004).

Y. Nishimura, IEEE J. Quantum Electron. 9, 1011 (1973).

B. Zee, IEEE J. Quantum Electron. 14, 727 (1978).

T. Honc and J. Zavadil, J. Appl. Phys. 73, 7978 (1993).

M. P. Kesler, C. S. Harder, and E. E. Latta, Appl. Phys. Lett. 59, 2775 (1991).

N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, and I. S. Tarasov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 36, 364 (2002) [Semiconductors 36, 344 (2002)].

D. Z. Garbuzov, A. V. Tikunov, and V. B. Khalfin, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (Leningrad) 21, 1085 (1987) [Sov. Phys. Semicond. 21, 662 (1987)].

L. A. Coldren and S. W. Corzine, Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits (Wiley, New York, 1995).

Zh. I. Alferov, D. Z. Garbuzov, S. V. Zaĭtsev, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (Leningrad) 21, 824 (1987) [Sov. Phys. Semicond. 21, 503 (1987)].

A. Dargys and J. Kundrotas, Handbook on Physical Properties of Ge, Si, GaAs and InP (Science and Encyclopedia, Vilnius, 1994).

L. E. Vorob’ev, S. N. Danilov, V. L. Zerova, and D. A. Firsov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 37, 604 (2003) [Semiconductors 37, 586 (2003)].

L. E. Vorob’ev, S. N. Danilov, E. L. Ivchenko, M. E. Levinshteĭn, D. A. Firsov, and V. A. Shalygin, Kinetic and Optical Phenomena in High Electric Fields in Semiconductor Nanostructures (Nauka, St. Petersburg, 2000) [in Russian].